一种曝光方法、基板及曝光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种曝光方法、基板及曝光装置，用以解决目前基板制作过程中，使用的掩膜板成本较高，如何简化膜层图形的制作，并降低膜层图形的制作成本的问题。该曝光方法包括：将至少两个掩膜版拼接成掩膜版组合，通过掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，直到在待曝光膜层上形成完整的待曝光图形。由于本发明专利技术使用了至少两个掩膜版，因而可以使用掩膜版组合通过一次曝光形成一个掩膜版难以形成的图形，进而简化了膜层图形的制作；同时，由于每个掩膜版可以制作成不同的图形，因而可以根据需要将两个掩膜版分别复用到其它不同图形的产品中，进而降低膜层图形的制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻
，尤其涉及一种曝光方法、基板及曝光装置。
技术介绍
目前，传统的基板在制作的过程中，曝光工艺采用曝光机的装置，衬底基板的待曝光膜层上要形成的图形和掩膜版上的图形一致，通过使用掩膜版曝光后形成全部图形。由于现有技术是针对衬底基板的一侧进行曝光，所以一种产品只能对应一个掩膜版，不同的产品之间的掩膜版不可以复用。而掩膜版成本是项目开发中比例最大的，因此这样制作成本大大的提升。综上所述，目前传统的基板在制作的过程中，使用的掩膜板成本较高，如何简化膜层图形的制作，并降低膜层图形的制作成本，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种曝光方法、基板及曝光装置，用以解决目前基板制作过程中，使用的掩膜板成本较高，如何简化膜层图形的制作，并降低膜层图形的制作成本的问题。本专利技术实施例提供的一种曝光方法，包括：将至少两个掩膜版拼接成掩膜版组合；通过所述掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，直到在所述待曝光膜层上形成完整的待曝光图形。本专利技术实施例提供的曝光方法，采用至少两个掩膜版组成的掩膜版组合，对待曝光膜层进行曝光，进而形成完整的待曝光膜层的图形；由于本专利技术使用了至少两个掩膜版拼接成的掩膜版组合，因而可以使用掩膜版组合通过一次曝光形成一个掩膜版难以形成的图形，进而简化了膜层图形的制作；同时，由于每个掩膜版可以制作成不同的图形，因而可以根据需要将两个掩膜版分别复用到其它不同图形的产品中，进而降低膜层图形的制作成本。较佳的，通过所述掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，具体包括：在通过所述掩膜版组合中的第一掩膜版对衬底基板上第一区域对应的待曝光膜层进行曝光的同时，通过所述掩膜版组合中的第二掩膜版对衬底基板上第二区域对应的待曝光膜层进行曝光。较佳的，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；或，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在所述衬底基板上的正投影互不重叠。较佳的，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版位于所述衬底基板的同一侧；或，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版分别位于所述衬底基板的不同侧。较佳的，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版位于所述衬底基板的同一侧时，采用至少一个曝光光源，且所述至少一个曝光光源位于所述第一掩膜版和所述第二掩膜版所在的一侧；或，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版分别位于所述衬底基板的不同侧，采用至少两个曝光光源，且所述至少两个曝光光源分别位于所述衬底基板的不同侧。较佳的，所述待曝光膜层的材料为正性光刻胶材料时，所述待曝光图形采用与所述掩膜版组合中所有掩膜版叠加后的图形互补的图形。较佳的，所述待曝光膜层的材料为负性光刻胶材料时，所述待曝光图形采用所述掩膜版组合中所有掩膜版叠加后的图形。较佳的，该方法用于制作黑矩阵层或彩膜层。本专利技术实施例提供的一种采用本专利技术实施例提供的上述曝光方法制作的基板，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的黑矩阵层和/或彩膜层；其中，所述黑矩阵层和/或彩膜层为由本专利技术实施例提供的上述曝光方法形成的。本专利技术实施例提供的一种用于制作本专利技术实施例提供的上述基板的曝光装置，包括：能够分别在衬底基板不同侧同时进行曝光的第一曝光机和第二曝光机。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种曝光方法的步骤流程图；图2A为本专利技术实施例提供的采用第一掩膜版和第二掩膜版对衬底基板的上下两侧进行曝光的结构示意图；图2B为本专利技术实施例提供的图2A所示的第一掩膜版和第二掩膜版叠加后的图形示意图；图2C为本专利技术实施例提供的采用图2A所示结构进行曝光后在待曝光膜层上形成的图形示意图；图3为本专利技术实施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版在衬底基板上的正投影部分重叠的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版在衬底基板上的正投影互不重叠的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的第一掩膜版和第二掩膜版位于衬底基板同一侧的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。其中，附图中各个结构的大小和形状不反映其真实比例，目的只是示意说明本专利技术的内容。如图1所示，为本专利技术实施例提供的一种曝光方法的步骤流程图，包括：步骤101，将至少两个掩膜版拼接成掩膜版组合；步骤102，通过掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，直到在待曝光膜层上形成完整的待曝光图形。在具体实施时，针对现有曝光方法中，只对衬底基板的一侧进行曝光，一种产品只能对应一个掩膜版的情况。本专利技术实施例提供了一种新的曝光方法，该曝光方法采用至少两个掩膜版组成的掩膜版组合，对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，直到在待曝光膜层上形成完整的待曝光图形。其中，上述掩膜版组合中每个掩膜版上的图形可以根据需要进行设置，可以设置为相同的图形，也可以根据需要设置为不同的图形，只要是掩膜版组合中所有掩膜版叠加后的图形能够形成待曝光图形即可。由于本专利技术使用了至少两个掩膜版，因而可以使用掩膜版组合通过一次曝光形成一个掩膜版难以形成的图形(如混合模式产品)，进而简化了膜层图形的制作；同时，由于每个掩膜版可以制作成不同的图形，因而可以根据需要将两个掩膜版分别复用到其它不同图形的产品中，进而降低膜层图形的制作成本。具体的，本专利技术实施例通过掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，在曝光时，掩膜版组合可以分别对衬底基板上的不同区域进行曝光，下面进行具体介绍。较佳的，通过掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，具体包括：在通过掩膜版组合中的第一掩膜版对衬底基板上第一区域对应的待曝光膜层进行曝光的同时，通过掩膜版组合中的第二掩膜版对衬底基板上第二区域对应的待曝光膜层进行曝光。在具体实施时，采用的掩膜版数量可以根据需要进行设置，至少包括两个，为了方便说明，本专利技术实施例中以掩膜版组合中仅包括第一掩膜版和第二掩膜版为例进行说明，但实际上并不限于只包括两个掩膜版，也可以包括多个掩膜版。当掩膜版组合中包括两个掩膜版时，可以通过掩膜版组合中的第一掩膜版和第二掩膜版分别对衬底基板上的不同区域同时进行曝光。如图2A所示，为本专利技术实施例提供的采用第一掩膜版和第二掩膜版对衬底基板的上下两侧进行曝光的结构示意图；在通过第一掩膜版202对衬底基板203的上侧区域(即第一区域)对应的待曝光膜层204进行曝光的同时，通过第二掩膜版206对衬底基板的下侧区域(图中未示出)对应的待曝光膜层204进行曝光。图中201和205分别代表两个曝光光源。其中，为了节省曝光时间，减少节拍时间，因而较佳的可以对衬底基板的两侧同时进行曝光，但也可以根据需要对衬底基板的一侧先进行曝光之后，再对另一侧进行曝光，具体曝光的顺序，可以根据需要进行设置。在具体实施时，采用图2A所示的第一掩膜版202和第二掩膜版206对衬底基板上的待曝光膜层204进行曝光时，待曝光膜层204位于衬底基板203的上侧，因而，采用位于衬底基板203上侧的第一曝光光源201，通过第一掩膜版202对待曝光膜层204进行曝光时，可以在待曝光膜层204上形成如第一掩膜版本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光方法，其特征在于，包括：将至少两个掩膜版拼接成掩膜版组合；通过所述掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，直到在所述待曝光膜层上形成完整的待曝光图形。

【技术特征摘要】
1.一种曝光方法，其特征在于，包括：将至少两个掩膜版拼接成掩膜版组合；通过所述掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，直到在所述待曝光膜层上形成完整的待曝光图形。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光，具体包括：在通过所述掩膜版组合中的第一掩膜版对衬底基板上第一区域对应的待曝光膜层进行曝光的同时，通过所述掩膜版组合中的第二掩膜版对衬底基板上第二区域对应的待曝光膜层进行曝光。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；或，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在所述衬底基板上的正投影互不重叠。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版位于所述衬底基板的同一侧；或，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版分别位于所述衬底基板的不同侧。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版位于所述衬底基板的同一侧时，采用至少一个曝光光源，且所述至少一个曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓光，肖宇，薛超，汪栋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11