【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体微细加工
，特别是一种基于电子束光刻和X射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法。
技术介绍
多层膜闪耀光栅是一种二维人造周期晶体，气制备方法是在多层膜上刻蚀光栅或在普通的光上表面沉积多层膜。它将光栅的衍射和多层膜的的布拉格衍射结合起来，具有新的衍射特点，并且充分利用周期性多层膜的高反射效率来提高光栅在高角入射时的反射率，从而把光栅的高分辨率和周期性多层膜的高反射率很好的结合起来。目前制备多层膜闪耀光栅的方法主要是机械刻划，其优点主要是刻划的图形面积可以很大，但由于机械刻划在刻划每一条栅线条时都需要对准，对环境的温度和湿度要求很高，因此其效率很低，并且由于划刀的限制，制备的栅线密度很有限，通常在1000线/毫米左右。电子束光刻具有分辨率高，特征尺寸小和具有图形生成能力的特点，是制作X射线光刻掩模的常用方法。X射线具有极高的分辨率，并且效率高，可实现小批量生产。但是由于电子束设备的限制，并且利用电子束很难形成闪耀角，而X射线没有图形发生能力，因此可以将电子束光刻和X射线技术结合在一起。本专利技术在接触式X射线曝光时，通过调整所制作的曝光卡具方向来...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢常青，李海亮，朱效立，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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