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本发明公开了一种基于电子束光刻和X射线曝光制作多层膜闪耀光栅的方法，该方法采用电子束直写制作X射线曝光掩模板，采用接触式曝光，在负性光刻胶上形成闪耀光栅图形，之后在此图形上生长多层膜，形成多层膜闪耀光栅。利用本发明，克服了电子束效率低和难制...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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