形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物制造技术

本发明专利技术的课题在于提供在使用电子束光刻的器件制作工序中所使用的、对于降低由电子束产生的不良影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物，和提供使用该电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成方法。本发明专利技术的解决手段在于：包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其在基板上的形成转印图案的加工对象膜与电子束光刻用抗蚀剂膜之间成膜而使用，用于半导体器件制造。所述高分子化合物至少含有１０质量％的卤原子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在使用电子束光刻的器件制作工序中所使用的、对降低由 电子束产生的不良影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的电子束光刻用抗蚀 剂下层膜组合物，以及使用该电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂 图案形成方法。
技术介绍
一直以来，在半导体器件的制造中，人们都是使用光致光刻技术进行 微细加工的。上述微细加工为，在硅晶片等被加工基板上形成光致抗蚀剂 组合物的薄膜，在该薄膜上通过描绘有半导体器件的图案的掩^^莫图案照射 紫外线等活性光线，进行显影，以得到的光致抗蚀剂图案作为保护膜来对 硅晶片等被加工基板进行蚀刻处理的加工法。近年来，半导体器件的高集成化不断发展，使用的活性光线也由KrF准分子激光器(248nm)向ArF准 分子激光器(193nm)的短波长化转换。与此相伴，活性光线从基板的漫反射、 驻波的影响逐渐成为大问题，因此广泛釆用以下方法，即，在光致抗蚀剂 和被加工基板之间作为起防止反射作用的抗蚀剂下层膜，设置防反射膜 (Bottom Anti-Reflective Coating 、 BARC )。作为防反射膜，已知有钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、碳、a-硅等 无机防反射膜、和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成电子束光刻工艺用抗蚀剂下层膜的组合物，其是包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成半导体器件制造的电子束光刻工艺用抗蚀剂下层膜的组合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：榎本智之，坂口崇洋，坂本力丸，永井雅规，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]