本发明专利技术提供一种光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，包括有机碱、有机溶剂、防腐蚀剂和水。光致抗蚀膜剂的剥离液组合物，该组合物按质量百分比计包括：5-50wt％的有机碱，1-60wt％的有机溶剂，0.5-15wt％的防腐蚀剂，其余为水。本发明专利技术的剥离液尤其适用于厚度为100μm以上的厚干膜的剥离，可以在较低温度(55-75℃)、较短时间(＜30min)条件下，完全剥离厚干膜。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，特别适用于封装基板制程中所用的厚度为100 μ m以上的光致抗蚀剂膜的剥离，也适用于PCB、FPC、TFT、IXD的光致抗蚀剂膜的剥离。
技术介绍
在PCB、FPC、TFT、IXD的制程中，线路图形的转移是必须的步骤。在实现线路图形转移，光致抗蚀剂的使用起着至关重要的作用。在“成像”完成后，光致抗蚀剂膜能否顺利完全去除，直接影响着蚀刻等后工序。封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。封装基板制程中所用光致抗蚀剂膜的厚度(10011、12(^!11)，比较在？08、？ (、 TFT、IXD中所常用的光致抗蚀剂膜的厚度(30μπι、40μπι)增加很多。对于薄干膜的剥离， 中国专利CN14^659A中提出季铵氢氧化物、水溶性胺、水溶性有机溶剂组合物剥离光致抗蚀剂膜。中国专利CN101692155A提出了一种包含环胺或/和二胺、乙二醇醚类、极性溶剂的光致抗蚀剂膜剥离组合物。中国专利CN101544932A中提出了含有羟胺、溶剂、胺的光致抗蚀剂膜剥离组合物。对于大于100 μ m的厚干膜，用现有的剥离方法，在较低温度、较短时间内难以完全退除干净。虽然通过延长接触时间，提高工作温度，或者增加溶液的攻击性可以使剥离效果得到改善，但是也带来了生产效率降低，设备负荷增加，基材腐蚀加重等新问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，特别适用于封装基板的厚度为 100 μ m以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。本专利技术的技术方案如下一种光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，包含(1)有机碱，含量为5_50wt% ；( 有机溶剂，含量为l-60Wt% ；(3)防腐蚀剂，含量为0. 5-15wt% ；(4)余量为水。本专利技术的剥离液组合物的较佳的配方为(1)有机碱，含量为 10_40wt% ；(2)有机溶剂，含量为5_50wt % ；(3)防腐蚀剂，含量为I-IOwt% ；(4)余量为水。本专利技术的剥离液组合物的更佳的配方为(1)有机碱，含量为 15_30wt% ；( 有机溶剂，含量为10-40Wt% ；(3)防腐蚀剂，含量为2-8wt% ；(4)余量为水。上述的有机碱优选烷醇胺、季胺碱、胆碱、羟胺、N，N_ 二乙基羟胺中的任意一种、任意两种或任意两种以上以任意比例混合。实际上，一般常用的有机碱均能够应用于本专利技术。上述的有机溶剂优选N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、 二甲基亚砜、烷基醇醚、烷基或芳香基醇中的任意一种、任意两种或任意两种以上以任意比例混合。实际上，一般常用的有机溶剂均能够应用于本专利技术。上述的防腐蚀剂优选芳香族羟基化合物或/和唑类化合物中的任意一种、任意两种或任意两种以上以任意比例混合。实际上，一般常用的金属防腐剂，特别是铜面防腐剂均能够应用于本专利技术。上述芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种；唑类化合物优选三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑、巯基苯并噻唑中的任意一种、任意两种或任意两种以上以任意比例混合。本专利技术光致抗蚀剂膜的剥离液组合物，用于封装基板的光致抗蚀剂膜的剥离，也用于PCB、FPC、TFT、IXD的光致抗蚀剂膜的剥离。本专利技术具有以下优点1、对于厚度为ΙΟΟμπι以上的光致抗蚀剂膜的剥离效果优秀。2、实施温度低 (55-750C )、时间短(< 30min)。3、体系低泡性，无须添加消泡剂，因此，板面无硅斑、凝胶缺陷。4、碎膜、溶膜效果好，易于生产操作。具体实施例方式本专利技术的光致抗蚀剂剥离剂组合物是含有有机碱、有机溶剂、防腐蚀剂以及水的组合物。本专利技术中所述的有机碱包括烷醇胺、季胺碱、胆碱、羟胺、N, N- 二乙基羟胺中的一种或两种以上任意混合。作为烷醇胺的具体例，可以选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、 2-(2-氨基甲氧基)乙醇、2-(2-乙氧基)乙醇、N-甲基乙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N- 丁基乙醇胺、单异丙基醇胺、二异丙基醇胺、三异丙基醇胺中的1种或2种。作为季胺碱的具体例，可以选自四甲基氢氧化铵、三甲基乙基氢氧化铵、二甲基二乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、甲基三丁基氢氧化铵、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵中的1种或2种。所述有机碱的含量为5-50wt%， 优选10-40Wt%，更优选15-30Wt% .浓度小于5wt%时，起不到攻击光致抗蚀剂膜的作用； 大于50Wt%时，对基材的攻击腐蚀加重。本专利技术中所述的有机溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、N，N- 二甲基甲酰胺、N，N- 二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、烷基醇醚、烷基或芳香基醇中的一种或两种以上任意混合。作为烷基醇醚的具体例，可以选自乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇一丁基醚、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、丙二醇一甲基醚、二乙二醇一甲基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇一丙基醚、二乙二醇一丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇甲乙醚、二丙二醇一甲基醚、二丙二醇一丙基醚、二丙二醇一丁基醚中的1种或2种以上。作为烷基或芳香基醇的具体例，可以选自苯氧乙醇、异丙氧乙醇、苯甲醇、苯乙醇、丙三醇、丁醇、仲丁醇、乙二醇中的1种或2种以上。所述有机溶剂含量为为l-60wt%，优选5-50wt%，更优选 10-40wt%.浓度小于Iwt%时，起不到改善溶解光致抗蚀剂膜的作用；大于60Wt%时，得不到更好的改善溶解膜层的效果，而且体系的去水要求高，成本高。本专利技术中所述的防腐蚀剂包括芳香族羟基化合物和唑类化合物中的至少一种。芳香族羟基化合物具体例有没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种。唑类化合物具体例有三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑、巯基苯并噻唑中的一种或两种以上任意混合。所述的防腐蚀剂含量0. 5-15wt%，优选I-IOwt %，更优选 2-8wt%.浓度小于0.5%时，得不到充分的防止基材金属被腐蚀的作用；大于15%时，降低光致抗蚀剂膜层的剥离速率。本专利技术中水是包括离子交换水、纯水、超纯水，含量为5-95wt% .含量小于5%时， 组合物剥离能力降低，成本高；含量大于95%时，剥离能力低。本专利技术所述的光致抗蚀剂剥离剂组合物，使用温度无特别限定，优选55-75°C，低于55°C时，光致抗蚀剂膜层剥离速率慢，生产时间上是不经济的；高于75°C时，虽然光致抗蚀剂膜层剥离速率增大，但组分挥发量增大，对体系的稳定性不利，同时会增加设备负荷。以下的本专利技术实施例，用于对本专利技术进行进一步说明，但本专利技术并不限于以下实施例。用作测试的板大小为5 X 5cm，光致抗蚀剂层厚为120 μ m.配制500mL剥离液，水浴 55-75°C，搅拌条件下，把测试板浸于剥离液液中30分钟。取出，水洗，干燥，显微镜下观察剥离效果，氧化程度，基材腐蚀程度。表1光致抗蚀剂剥离液组合物(wt % )有机碱有机溶剂防腐蚀剂水实施例1MEA(15)NMP(40)GC(本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张军，常积东，李承孝，
申请(专利权)人：西安东旺精细化学有限公司，
类型：发明
国别省市：
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