【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关专利申请的交叉引用本申请要求2014年8月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0108635和2015年7月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0097659的优先权权益,所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及回收废光刻胶剥离剂的方法。具体地本专利技术涉及这样的回收废光刻胶剥离剂的方法,其可缩短原材料的分析时间和添加剂的稀释时间,因此提高生产率并降低成本,且还可定量引入原材料和添加剂,由此减少回收前新鲜的光刻胶剥离剂与回收的光刻胶剥离剂之间的含量变化。
技术介绍
液晶显示器的微电路或半导体集成电路的制造方法包括以下几个步骤:在衬底上形成多种底膜如导电金属膜(由铝、铝合金、铜、铜合金、钼、或钼合金制成)或绝缘膜(如氧化硅膜、氮化硅膜、或丙烯酰基绝缘膜);在这样的底膜上均匀涂覆光刻胶;任选地使所涂覆的光刻胶曝光并显影以形成光刻胶图案;以及使用光刻胶图案作为掩模使底膜图案化。在这些图案化步骤之后,进行移除残留在底膜上的光刻胶的过程。为此,使用剥离剂组合物移除光刻胶。同时,废剥离剂主要产生于电子零件(如液晶显示器的半导体晶片或玻璃衬底)的制造过程。所述废剥离剂不仅含有剥离溶剂,而且含有光刻胶树脂、水、和例如重金属的杂质。这些废剥离剂主要作为所述过程的染料焚烧或以低水平回收。因此,其可引起二次污染及通过低效能量消耗所致的环境污染,且IT行业中公司的商业竞争力可能变弱。此外,随着IT技术的快速发展,就排出的废剥离剂量最高的LCD制造而言,能够制造商业化40到47寸LCD面板以及82寸尺寸的产品的第 ...
【技术保护点】
一种回收废光刻胶剥离剂的方法,其包括以下步骤:使包含40重量%到75重量%的至少一种胺化合物、20重量%到55重量%的亚烷基二醇化合物、以及1重量%到10重量%的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.20 KR 10-2014-0108635;2015.07.09 KR 10-2011.一种回收废光刻胶剥离剂的方法,其包括以下步骤:使包含40重量%到75重量%的至少一种胺化合物、20重量%到55重量%的亚烷基二醇化合物、以及1重量%到10重量%的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体。2.根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中,在使包含40重量%到75重量%的至少一种胺化合物、20重量%到55重量%的亚烷基二醇化合物、以及1重量%到10重量%的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体的步骤中,所述废光刻胶剥离剂的纯化液体与所述回收液体的重量比为5:1到20:1。3.根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中使包含40重量%到75重量%的至少一种胺化合物、20重量%到55重量%的亚烷基二醇化合物、以及1重量%到10重量%的添加剂的回收液体接触废光刻胶剥离剂的纯化液体的步骤还包括使选自非质子有机溶剂和质子有机溶剂中的一者或更多者接触所述废光刻胶剥离剂的纯化液体和所述回收液体的步骤。4.根据权利要求3所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中使选自非质子有机溶剂和质子有机溶剂中的一者或更多者接触所述废光刻胶剥离剂的纯化液体和所述回收液体的步骤包括:使60重量%到95重量%的所述废光刻胶剥离剂的纯化液体、1重量%到10重量%的所述回收液体;以及1重量%到30重量%的选自所述非质子有机溶剂和质子有机溶剂中的一种或更多种化合物接触。5.根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中所述废光刻胶剥离剂的纯化液体以0.5:1到2:1的重量比包含所述非质子有机溶剂和所述质子有机溶剂。6.根据权利要求5所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中所述废光刻胶剥离剂的纯化液体还包含0.1重量%到10重量%的所述胺化合物。7.根据权利要求1所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中所述添加剂包含选自腐蚀抑制剂和硅酮类非离子型表面活性剂中的一者或更多者。8.根据权利要求7所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中所述腐蚀抑制剂与所述硅酮类非离子型表面活性剂的重量比为从5:1到15:1。9.根据权利要求7所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中所述腐蚀抑制剂包含苯并咪唑类化合物、三唑类化合物或四唑类化合物。10.根据权利要求9所述的回收废光刻胶剥离剂的方法,其中所述三唑类化合物包含由式1或式2表示的化合物:[式1]其中R...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴泰文,郑大哲,李东勋,李佑然,李贤浚,金周永,
申请(专利权)人:株式会社LG化学,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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