用于单层钼膜的蚀刻剂组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种用于单层钼膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重，包括：5～25wt％的过氧化氢(H2O2)；0.5～3wt％的环胺化合物；0.5～5wt％的添加剂，所述添加剂包括选自由柠檬酸二氢钠、柠檬酸氢二钠、磷酸氢二钠、柠檬酸三钠，和醋酸盐组成的组中的至少一种；和余量水。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于单层钥膜的蚀刻剂组合物。本申请要求在2009年11月16日提交的第10-2009-0110138号韩国专利申请的利益，在此将该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本申请中。
技术介绍
半导体设备或平板显示器包括TFT或 类似物。TFT包括栅极电极与源极/漏极电扱。形成这些电极的方法包括金属成膜エ艺、光刻エ艺和蚀刻エ艺。这种方法可进ー步包括各单个单元エ艺之前和之后进行的清洗エ艺。在此，金属成膜エ艺通过溅射进行。此外，光刻エ艺包括将光刻胶材料涂于金属膜上，曝光和显影光刻胶材料的选定区域的步骤。此夕卜，蚀刻エ艺通常为使用等离子体的干蚀刻エ艺或使用蚀刻剂的湿蚀刻エ艺。与此同吋，TFT的栅极电极和源扱/漏极电极通常由具有低电阻的铝制得。然而，由于铝导致小丘现象，铝膜可能会由于小丘现象从而导致与另ー个导电层短路。此外，铝开始与氧化层接触后会形成绝缘层。因此，使用钥(Mo)形成TFT的栅极电极和源扱/漏极电极的方法已经被提出了。可以用干蚀刻或湿蚀刻蚀刻钥。国内外的专利公开了用于湿蚀刻中的蚀刻剂组合物。例如，第4，693，983号美国专利公开了ー种用于钥金属膜的蚀刻剂组合物，该组合物包括氰化铁和硫酸鉄。然而，该蚀刻剂组合物的问题在于难以处理废液，以及难以获得实际使用所必需的倾斜角度。此外，第5，693，983号美国专利提出了用于形成电极的金属膜，特别是，用于形成TFT的栅极电极和源扱/漏极电极的金属膜，使用钥(Mo)代替铝(Al)。然而，上述专利文件只描述了干蚀刻，并没有描述湿蚀刻。此外，韩国未审查的专利公开号为2000-0014088公开了用于单层钥膜的蚀刻剂组合物，该组合物包括作为主要成分的过氧化氢。然而，问题是，因为蚀刻层数较小，所以难以将该组合物付诸实际使用。因此，这就需要发展ー种能有效地用湿蚀刻来蚀刻钥，井能大量生产的蚀刻剂组合物。
技术实现思路
相应的，本专利技术用于解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种用于单层钥膜的蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物能湿蚀刻用于半导体设备的，特别是TFT的栅极电极和源扱/漏极电极的钥。本专利技术的另ー个目的是提供一种用于单层钥膜的蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物可以简化蚀刻エ艺、提高生产率以及具有优异的蚀刻特性。本专利技术还有另ー个目的是提供ー种非常经济的用于单层钥膜的蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物不需要高价设备，井能利于大面积使用。为了实现上述目的，本专利技术一方面提供了一种用于单层钥膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重，包括5 25wt%的过氧化氢(H2O2) ；0. 5 3wt%的环胺化合物；O.5 5wt%的添加剂,所述添加剂包括选自由朽1檬酸ニ氢钠、朽1檬酸氢ニ钠、磷酸氢ニ钠、柠檬酸三钠，和醋酸盐组成的组中的至少ー种；和余量水。如上所述，本专利技术所述的用于单层钥膜的蚀刻剂组合物，由于能湿蚀刻单层钥膜，所以所述蚀刻剂组合物可以简化蚀刻エ艺，提高生产率。此外，这些蚀刻剂组合物能快速蚀刻单层钥膜，并且既不损坏下层膜，也不损坏设备。此外，因为此蚀刻剂组合物能均匀蚀刻单层钥膜，所以具有优异的蚀刻特性。此外，由于此蚀刻剂组合物不需要高价设备，井利于大面积使用，所以非常经济。具体实施例方式下文中，将详细描述本专利技术。根据本专利技术所述的用于单层钥膜的蚀刻剂组合物包括过氧化氢(H2O2)、环胺化合物、添加剂、和余量水。 根据本专利技术所述的用于单层钥膜的蚀刻剂组合物不包括氟化合物。因为蚀刻剂组合物不包括氟化合物，所以蚀刻剂组合物不影响用在玻璃基板、绝缘膜或半导体层中的硅层。在本专利技术中，单层钥膜可以是钥膜或钥合金膜。本专利技术的蚀刻剂组合物中所含的过氧化氢(H2O2)用于氧化钥。过氧化氢(H2O2)的含量为基于所述组合物总重的5 25wt%,优选，10 20wt%。当其量满足上述范围时,可防止減少钥的蚀刻速率，从而蚀刻最佳用量的钥，并且钥的蚀刻剖面变得优秀。相比之下，当其量偏离上述范围时，钥被过度蚀刻，以致图案损失，或金属布线(电极)的功能损失。因为本专利技术的蚀刻剂组合物中所含的环胺化合物与蚀刻后残留的钥离子一起形成稳定的化合物，所以所述环胺化合物用于增加蚀刻基板层数。所述环胺化合物的含量为基于所述组合物总重的O. 5 3wt%，优选，I 2wt%。当其量满足上述范围时，在其最小量时被蚀刻的基板层数会増加。所述环胺化合物可为选自由氨基四唑、苯并三唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、四氢吡咯和吡咯啉组成的组中的至少ー种。本专利技术的蚀刻剂组合物中所含的添加剂包括选自由柠檬酸ニ氢钠、柠檬酸氢ニ钠、磷酸氢ニ钠、柠檬酸三钠，和醋酸盐组成的组中的至少ー种。在此，醋酸盐可以为醋酸钠。所述添加剂用于控制所述蚀刻剂组合物的pH值，这样过氧化氢(H2O2)能有效地氧化钥膜。所述添加剂的含量为基于所述组合物总重的O. 5 5wt%，优选，I 3wt%。当其量满足上述范围时，可用其最小量控制所述蚀刻剂组合物的pH。本专利技术的蚀刻剂组合物中所含的水为用于半导体エ艺中的去离子水，优选18ΜΩ/cm或更高比电阻的水。所含的水作为余量，以使所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt%。除了上述组分外，本专利技术的蚀刻剂组合物可进ー步包括选自由蚀刻调节剂、表面活性剤、金属离子阻断剂、和防腐剂组成的组中的至少ー种。本专利技术所述的蚀刻剂组合物能更有效地用于蚀刻单层钥膜。下文中，将根据以下实施例和测试例详细描述本专利技术。但是，本专利技术的范围不限于这些实施例。实施例I至3 和对比例I :制各饨刻剂纟目合物制备180kg各蚀刻剂组合物的组分和组成比见下表I。[表I]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.11.16 KR 10-2009-01101381.一种用于单层钥膜的蚀刻剂组合物，基于所述组合物的总重，包含 5 25wt%的过氧化氢(H2O2)； O. 5 3wt%的环胺化合物； O. 5 5wt%的添加剂,所述添加剂包括选自由朽1檬酸ニ氢钠、朽1檬酸氢ニ钠、磷酸氢ニ钠、柠檬酸三钠和醋酸盐组成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林玟基，张尚勋，慎蕙赢，刘仁浩，
申请(专利权)人：东友FINECHEM股份有限公司，
类型：发明
国别省市：