用于硅膜的选择性蚀刻制造技术

在此描述一种蚀刻图案化异质含硅结构的方法，相比于现有远端等离子体蚀刻，所述方法包含具有反向选择性的远端等离子体蚀刻。可使用所述方法共形修整多晶硅，同时移除少量氧化硅或不移除氧化硅。更一般地来说，包含少量氧的含硅膜层会比含有较多氧的含硅膜层更快速地被移除。其他示例性的应用包含修整碳氮化硅(silicon?carbon?nitride)膜时，基本保留氧碳化硅(siliconoxycarbide)。可利用本文所描述的方法以及崭新的工艺流程来实施此应用。期望此工艺流程能够适用于各种更精细的线宽结构。亦可使用在此所描述的方法，以比蚀刻具有较高浓度氮的含氮硅膜层更快的速度来蚀刻含硅膜层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于硅膜的选择性蚀刻相关申请案的交叉引用本申请是Jingchun Zhang等人于2011年4月18日提交的题为“SELECTIVE ETCHFOR SILICON FILMS (用于硅膜的选择性蚀刻)”的美国专利申请No. 13/088，930的PCT申请，而且与Jingchun Zhang等人于2010年5月27日提交的题为“OXIDE DESELECTIVE ETCH(不选择氧化物蚀刻)”的美国临时专利申请No. 61/348，920相关并要求所述申请的权益，上述申请的全部公开内容出于所有目的通过引用并入本文中。
技术介绍
可藉由在基板表面上产生错综复杂的图案化材料层的工艺来制造集成电路。在基板上产生图案化材料需要经控制的方法来移除曝露的材料。化学蚀刻可用于各种用途，包含将光阻中的图案转移到下层、将多个层变薄或是将已存在在表面上的特征的横向尺寸变薄。通常，期望拥有一种蚀刻方法可以蚀刻一种材料快于蚀刻另一种材料，从而帮助例如， 图案转移工艺的进行。此蚀刻工艺称为对第一材料具选择性。由于材料、电路以及工艺的多样性，已经开发对各种材料具有选择性的蚀刻工艺。Siconi 蚀刻为远端等离子体辅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·张，王安川，N·K·英格尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：