极低硅损失高剂量植入剥离制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】极低硅损失高剂量植入剥离相关申请案的交叉参考本申请案主张2009年12月11日申请并以引用方式并入本文的第12/636,582号美国专利申请案的优先权。
本专利技术涉及从工件表面移除或剥离光致抗蚀剂材料并且移除相关残留物的方法及设备。在某些实施例中，本申请案涉及用于在离子植入或等离子体辅助掺杂植入之后剥离抗蚀剂(低剂量或高剂量植入抗蚀剂)的方法及设备。
技术介绍
光致抗蚀剂为在处理期间在工件(例如半导体晶片)上形成经图案化涂层的某些制造工艺中所使用的感光材料。在使经光致抗蚀剂涂覆的表面暴露于高能量辐射的图案之后，移除所述光致抗蚀剂的一部分以显露下方的表面，并使剩余表面得以被保护。在未经遮盖表面及剩余光致抗蚀剂上执行半导体工艺(例如蚀刻、沉积及离子植入)。在执行一个或一个以上半导体工艺之后，以剥离操作移除剩余光致抗蚀剂。在离子植入期间，使掺杂离子(例如硼离子、二氟化硼离子、铟离子、镓离子、铊离子、磷离子、砷离子、锑离子、铋离子或锗离子)朝工件目标加速。所述离子植入在所述工件的所暴露区中以及剩余光致抗蚀剂表面中。所述工艺可形成阱区(源极/漏极)及轻掺杂漏极(LDD)区...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.11 US 12/636,5821.一种在反应室中从硅表面移除高剂量植入的抗蚀剂的方法，所述方法包括：从包括分子氢、不含碳的含氟气体及化合物的工艺气体混合物形成第一等离子体，其中所述化合物为选自含碳化合物、含氮化合物或含氟化合物的化合物，其中所述第一等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气，其中所述不含碳的含氟气体与所述化合物以第一体积流量比率提供；使所述硅表暴露于所述第一等离子体以由此以第一蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的侧面结壳和顶部结壳中的一者；改变所述不含碳的含氟气体及所述化合物的所述体积流量比率以形成第二等离子体，其中所述第二等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气；及使所述硅表面暴露于所述第二等离子体以由此以不同于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的所述侧面结壳和所述顶部结壳中的另一者。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述化合物为碳氟化合物。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述碳氟化合物为CF4、C2F6、CHF3、CH2F2、C3F8中的一者。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述碳氟化合物为CF4。5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟气体为NF3、F2、HF或SF6中的一者。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述不含碳的含氟气体为NF3。7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟气体与所述化合物的所述第一体积流量比率介于1:20到1:5之间，且改变所述体积流量比率包括将所述比率改变为介于1:4到1:2之间。8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟气体与所述化合物的所述第一体积流量比率介于1:20到1:5之间。9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中改变所述不含碳的含氟气体与所述化合物的所述体积流量比率以形成第二等离子体包括：关断化合物流。10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述工艺气体混合物进一步包括二氧化碳。11.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中在移除之后所述硅表面大体上没有所述高剂量植入的抗蚀剂的残留物，且其中从所述硅表面损失少于2埃的硅。12.根据权利要求11所述的方法，其中在移除之后所述硅表面大体上没有所述高剂量植入的抗蚀剂的残留物，且其中从所述硅表面损失少于1埃的硅。13.一种在反应室中从硅表面移除高剂量植入的抗蚀剂的方法，所述方法包括：从包括分子氢、不含碳的含氟气体及化合物的工艺气体混合物形成第一等离子体，其中所述化合物为选自含碳化合物、含氮化合物或含氟化合物的化合物，其中所述第一等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气，使所述硅表面暴露于所述第一等离子体以由此以第一蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的侧面结壳和顶部结壳中的一者，且同时在所述硅表面上形成保护层；改变所述不含碳的含氟气体及所述化合物的体积流量比率以形成第二等离子体，其中所述第二等离子...
【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·张，浩权·方，杰克·郭，伊利亚·卡利诺夫斯基，李钊，姚谷华，阿尼尔班·古哈，柯克·奥斯特洛夫斯基，
申请(专利权)人：诺发系统有限公司，
类型：
国别省市：
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