双大马士革结构中底部抗反射涂层的刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种双大马士革结构中BARC的刻蚀方法，通过采用包括H2、Ar和CxFy系气体的混合气体作为刻蚀气体，并且H2和Ar为主刻蚀气体，CxFy系气体为辅助刻蚀气体；由于H2对光阻有较高的刻蚀率，而对下层氧化层的刻蚀率几乎为零，从而减少了过刻蚀对ULK绝缘层的损伤；且由于Ar在蚀刻过程中增加了等离子体对BARC的轰击作用，这样对氧化层无损耗而克服了由于在不同图案区域以及晶片中间、周边蚀刻率的差异而引起的深度差；从而大幅减少整个晶片下层的氧化层的损失，提高了整个蚀刻深度的均匀性，同时在保证光阻图案高度真实的被转移到BARC层且无残留的情况下，减小了光阻的消耗而提高了蚀刻工艺的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
随着半导体制造工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，同时，在一个半导体芯片上的半导体器件的数量也越来越多。为了减小电路的Re延时，采用了铜代替铝作为半导体后段(BE0L，Back End Of Line)的金属互连线，并使用介电常数小的材料作为金属绝缘层。 由于铜难以被刻蚀，因此传统上用于形成铝金属布线的刻蚀技术对于铜来说是不适用的。为此，一种被称为双大马士革(Dual Damascene)结构的布线方式被开发出来。所谓双大马士革结构工艺是指现在介质层中开出互连沟槽和通孔，然后通过电镀或化学镀铜在互连沟槽和通孔中淀积铜，再利用化学机械抛光(CMP)将过填的铜磨去。当半导体技术进入到40纳米以下技术节点，在后段一倍设计规格双大马士革结构(IXDD)中，为了提高金属绝缘层的绝缘效果，普遍采用超低介电常数(ULK，Ultra Low K)材料作为金属绝缘层。由于ULK绝缘层中含有大量多孔(porous)结构，因此在等离子体刻蚀过程中ULK绝缘层很容易被损坏而导致翅曲(bowing) /扭曲(kinks)等不利后续填充，以及金属断本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双大马士革结构中底部抗反射涂层的刻蚀方法，其特征在于，该方法采用的刻蚀气体包括H2、Ar和CxFy系气体，并且其中所述H2和Ar为主刻蚀气体，所述CxFy系气体为辅助刻蚀气体。

【技术特征摘要】
1.一种双大马士革结构中底部抗反射涂层的刻蚀方法，其特征在于，该方法采用的刻蚀气体包括H2、Ar和CxFy系气体，并且其中所述H2和Ar为主刻蚀气体，所述CxFy系气体为辅助刻蚀气体。2.如权利要求I所述的双大马士革结构中底部抗反射涂层的刻蚀方法，其特征在于，所述CxFy系气体包括CF4和CHF3。3.如权利要求2所述的双大马士革结构中底部抗反射涂层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄君，张瑜，盖晨光，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：