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本发明公开了一种双大马士革结构中BARC的刻蚀方法，通过采用包括H2、Ar和CxFy系气体的混合气体作为刻蚀气体，并且H2和Ar为主刻蚀气体，CxFy系气体为辅助刻蚀气体；由于H2对光阻有较高的刻蚀率，而对下层氧化层的刻蚀率几乎为零，从而减...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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