低温二氧化硅薄膜的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种低温二氧化硅薄膜的形成方法，包括：利用SiH4和氧源沉积低温二氧化硅薄膜；以及采用含氧气体对所述低温二氧化硅薄膜进行远程等离子体处理。本发明专利技术是在低温二氧化硅薄膜沉积后，利用含氧气体在反应腔外产生等离子体后，通入反应腔内，由于这种等离子体含有许多活性氧离子、氧原子、氧分子等等各种活性氧化粒子，会取代低温二氧化硅中的Si-H键的氢而变为稳定的Si-O键，从而消除了低温二氧化硅薄膜性质随着时间变化而变化的这一特点，可使该低温二氧化硅薄膜达到稳定状态，提高光刻工艺中图形的准确度，并提高关键尺寸的均匀度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及ー种低温ニ氧化硅薄膜的形成方法。
技术介绍
目前，低温ニ氧化硅薄膜被广泛应用于光阻上方的硬掩膜层。例如，在90nm、65nm或45nm的双大马士革(Dual Damascene)エ艺中，形成通孔(via)之后会在通孔中填充底部抗反射层(Bare)等类似填充物，然后再通过光刻刻蚀等エ艺形成沟槽(Trench)，此时作为硬掩膜层的ニ氧化硅必然选用低温ニ氧化硅，以避免该硬掩膜层的沉积温度过高影响下方的Barc等膜层的性质。所述低温ニ氧化硅是相对于普通的ニ氧化硅而言，普通的ニ氧化硅薄膜通常是采用400°C以上温度进行沉积的，而低温ニ氧化硅薄膜通常是采用小于300°C的温度进行沉 积的。通常采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)エ艺，通入硅源(如SiH4)和氧源(如N2O)沉积低温ニ氧化硅薄膜。然而，由于沉积低温ニ氧化硅薄膜时的沉积温度相对较低，一般为5(T300°C，导致沉积所形成的ニ氧化硅薄膜中含有大量的Si-H化学键，而当该低温ニ氧化硅薄膜暴露在大气环境中吋，Si-H容易被氧化成Si-OH，Si-OH使得该氧化物薄膜更具有亲水性而容易吸收大气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温二氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括：S1：利用SiH4和氧源沉积低温二氧化硅薄膜，沉积温度小于300℃；S2：采用含氧气体对所述低温二氧化硅薄膜进行远程等离子体处理。

【技术特征摘要】
1.ー种低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括 51:利用SiH4和氧源沉积低温ニ氧化硅薄膜，沉积温度小于300°C ； 52:采用含氧气体对所述低温ニ氧化硅薄膜进行远程等离子体处理。2.如权利要求I所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述含氧气体为02、O3或N2O气体，所述02、O3或N2O的流量在100sccnT50000sccm之间。3.如权利要求I所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，反应腔压力在2Torr IOTorr之间。4.如权利要求I所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，MW功率在2000W 4000W之间。5.如权利要求I所述的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文广，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：