低温二氧化硅薄膜的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种低温二氧化硅薄膜的形成方法，包括：利用SiH4和氧源沉积低温二氧化硅薄膜；以及采用含氧气体对所述低温二氧化硅薄膜进行远程等离子体处理。本发明专利技术是在低温二氧化硅薄膜沉积后，利用含氧气体在反应腔外产生等离子体后，通入反应腔内，由于这种等离子体含有许多活性氧离子、氧原子、氧分子等等各种活性氧化粒子，会取代低温二氧化硅中的Si-H键的氢而变为稳定的Si-O键，从而消除了低温二氧化硅薄膜性质随着时间变化而变化的这一特点，可使该低温二氧化硅薄膜达到稳定状态，提高光刻工艺中图形的准确度，并提高关键尺寸的均匀度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及ー种低温ニ氧化硅薄膜的形成方法。
技术介绍
目前，低温ニ氧化硅薄膜被广泛应用于光阻上方的硬掩膜层。例如，在90nm、65nm或45nm的双大马士革(Dual Damascene)エ艺中，形成通孔(via)之后会在通孔中填充底部抗反射层(Bare)等类似填充物，然后再通过光刻刻蚀等エ艺形成沟槽(Trench)，此时作为硬掩膜层的ニ氧化硅必然选用低温ニ氧化硅，以避免该硬掩膜层的沉积温度过高影响下方的Barc等膜层的性质。所述低温ニ氧化硅是相对于普通的ニ氧化硅而言，普通的ニ氧化硅薄膜通常是采用400°C以上温度进行沉积的，而低温ニ氧化硅薄膜通常是采用小于300°C的温度进行沉 积的。通常采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)エ艺，通入硅源(如SiH4)和氧源(如N2O)沉积低温ニ氧化硅薄膜。然而，由于沉积低温ニ氧化硅薄膜时的沉积温度相对较低，一般为5(T300°C，导致沉积所形成的ニ氧化硅薄膜中含有大量的Si-H化学键，而当该低温ニ氧化硅薄膜暴露在大气环境中吋，Si-H容易被氧化成Si-OH，Si-OH使得该氧化物薄膜更具有亲水性而容易吸收大气中的水汽，因此该低温ニ氧化硅薄膜的性质会随着时间的延长而逐渐变化，如厚度、应力、折射率等。
技术实现思路
本专利技术提供ー种低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，以使该低温ニ氧化硅薄膜达到稳定状态，从而提高光刻エ艺中图形的准确度，提高关键尺寸的均匀度。为解决上述技术问题，本专利技术提供的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，包括SI :利用SiH4和氧源沉积低温ニ氧化硅薄膜，沉积温度小于300°C ；S2 :采用含氧气体对所述低温ニ氧化硅薄膜进行远程等离子体处理。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述步骤S2中，含氧气体为02、O3 或 N2O 气体，02、O3 或 N2O 的流量在 100sccnT50000sccm 之间。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述步骤S2中，反应腔压力在 2Torr^lOTorr 之间。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述步骤S2中，丽功率在2000W 4000W 之间。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述步骤S2中，反应时间在20秒 120秒之间。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述步骤SI中，氧源为N2O气体。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述步骤SI中，在PECVD腔室中沉积低温ニ氧化硅薄膜。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述步骤SI中，沉积温度在500C 250°C之间。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述低温ニ氧化硅薄膜的厚度为100A 800A。可选的，在所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法中，所述低温ニ氧化硅薄膜用作硬掩膜层。与现有技术相比，本专利技术是在低温ニ氧化硅薄膜沉积后，利用含氧气体在反应腔外产生等离子体(远程等离子体，remote plasma)后,通入反应腔内，对该低温ニ氧化娃薄膜进行远程等离子体处理，由于这种等离子体含有许多活性氧离子、氧原子、氧分子等等各种活性氧化粒子，会取代低温ニ氧化硅中的Si-H键的氢而变为稳定的Si-O键，从而消除了低温ニ氧化硅薄膜性质随着时间变化而变化的这ー特点，可使该低温ニ氧化硅薄膜达到稳定状态，从而提高了光刻エ艺中图形的准确度，提高了关键尺寸的均匀度。此外，相比于原 位等离子处理，在反应腔外产生远程等离子体后将远程等离子体通入反应腔室内，可避免损坏反应腔室内的机台部件，有利于延长机台本身的寿命，并且对被处理的薄膜表面几乎没有任何损伤。附图说明图I为ニ氧化硅薄膜的厚度随沉积后时间变化的曲线示意图；图2为ニ氧化硅薄膜的应カ随沉积后时间变化的曲线示意图；图3为ニ氧化硅薄膜的折射率随沉积后时间变化的曲线示意图；图4为本专利技术一实施例的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法的流程示意图。具体实施例方式在
技术介绍
中已经提及，低温ニ氧化硅薄膜的性质会随着时间的延长而逐渐变化，经本申请专利技术人长期研究发现，这是由于沉积低温ニ氧化硅薄膜时的沉积温度相对较低，导致沉积所形成的ニ氧化硅薄膜中含有大量的Si-H化学键，而当该低温ニ氧化硅薄膜暴露在大气环境中吋，Si-H容易被氧化成Si-OH，Si-OH使得该氧化物薄膜更具有亲水性而容易吸收大气中的水汽，因此该低温ニ氧化硅薄膜的性质会随着时间的延长而逐渐变化，如厚度、应力、折射率等。具体如图I至图3所示，其中，图I为ニ氧化硅薄膜的厚度(Thickness)随沉积后时间(Time after deposition)变化的曲线示意图，图2为ニ氧化娃薄膜的应カ(Stress)随沉积后时间(Time after deposition)变化的曲线示意图，图3为ニ氧化娃薄膜的折射率(Refractive Index)随沉积后时间(Time after deposition)变化的曲线示意图。可知，由于低温ニ氧化硅薄膜中含有较多的Si-H键，薄膜的性质随着时间的变化而变化剧烈，尤其是在前5小时之内，薄膜的厚度、应カ以及折射率均有较大程度的变化。为此，本专利技术在低温ニ氧化硅薄膜沉积后，继续将晶圆留在腔内，利用含氧气体在反应腔外产生等离子体(远程等离子体，remote plasma)后,通入反应腔内，对该低温ニ氧化硅薄膜进行远程等离子体处理(即表面去氢和钝化处理)，由于这种等离子体含有许多活性氧离子、氧原子、氧分子等等各种活性氧化粒子，会取代低温ニ氧化硅中的Si-H键的氢而变为稳定的Si-O键，从而使该低温ニ氧化硅薄膜达到稳定状态。详细的，如图4所示，本专利技术ー实施例的低温ニ氧化硅薄膜包括如下步骤SI :利用SiH4和氧源沉积低温ニ氧化硅薄膜；所述步骤SI中，可在PECVD腔室中沉积低温ニ氧化硅薄膜，亦可利用其他常规的エ艺形成低温ニ氧化硅薄膜。在较佳的实施例中，沉积温度为50°C 250°C，利用SiH4作为硅源，利用N2O气体作为氧源，也可通入氮气或氩气等作为载气。沉积时间与低温ニ氧化硅薄膜的厚度相关，本领域技术人员可通过有限次实验获知，此处不再赘述。S2 :采用含氧气体对所述低温ニ氧化硅薄膜进行远程等离子体处理；所述步骤S2中，含氧气体优选为02、O3或N2O气体，所述O2或O3或N2O的流量在100sccnT50000sccm之间，反应腔室外的射频功率(MW Power)在2000W 4000W之间，反应腔室的压カ例如在2Torr 10Torr之间。远程等离子体处理时间(反应时间)与低温ニ氧化硅 的厚度相关，若低温ニ氧化硅薄膜的厚度越厚，相应地远程等离子体处理的时间随之増加，以确保将其内的Si-H键的氢全部转变为稳定的Si-O键。本实施例中，所述低温ニ氧化硅薄膜的厚度为丨00a\ 800A,远程等离子体的处理时间在20秒 120秒之间。综上所述，在沉积低温ニ氧化硅薄膜后，利用含氧气体在反应腔外产生等离子体(远程等离子体，remote plasma)后，通入反应腔内，对该低温ニ氧化硅薄膜进行远程等离子体处理，由于这种等离子体含有许多活性氧离子、氧原子、氧分子等等各种活性氧化粒子，会取代低温ニ氧化硅中的Si-H键的氢而变为稳定的Si-O键，从而消除了低温ニ氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温二氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括：S1：利用SiH4和氧源沉积低温二氧化硅薄膜，沉积温度小于300℃；S2：采用含氧气体对所述低温二氧化硅薄膜进行远程等离子体处理。

【技术特征摘要】
1.ー种低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括 51:利用SiH4和氧源沉积低温ニ氧化硅薄膜，沉积温度小于300°C ； 52:采用含氧气体对所述低温ニ氧化硅薄膜进行远程等离子体处理。2.如权利要求I所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述含氧气体为02、O3或N2O气体，所述02、O3或N2O的流量在100sccnT50000sccm之间。3.如权利要求I所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，反应腔压力在2Torr IOTorr之间。4.如权利要求I所述的低温ニ氧化硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述步骤S2中，MW功率在2000W 4000W之间。5.如权利要求I所述的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文广，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：