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本发明公开了一种低温二氧化硅薄膜的形成方法，包括：利用SiH4和氧源沉积低温二氧化硅薄膜；以及采用含氧气体对所述低温二氧化硅薄膜进行远程等离子体处理。本发明是在低温二氧化硅薄膜沉积后，利用含氧气体在反应腔外产生等离子体后，通入反应腔内，由于...
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