等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种等离子体处理装置。本发明专利技术的一实施例的等离子体处理装置（1）包括：反应室单元（100），具有相互独立配置的第一室（110）和第二室（120），将基板投入该反应室单元进行等离子体处理；以及等离子体电极单元（120），具有弯折的形态，在上述第一室（110）和上述第二室（120）产生等离子体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置。更具体而言，涉及一种能够尽量降低因多个等离子体电极之间的相互作用而导致的电磁场抵消的等离子体处理装置。
技术介绍
利用由高频的能量产生的等离子体的工艺被称作“射频等离子体方法(RF PlasmaProcesses)” 或“射频等离子体处理(RF Plasma Processing)”。在如集成电路等半导体的制造技术中，利用等离子体的工艺被应用于蚀刻、蒸镀等技术中，特别是在如液晶显示装置(LCD;Liquid CrystalDisplay)等显示装置的制造中，非常普遍。此外，最近随着半导体元件的微细化及晶片的大口径化需求，利用等离子体的工艺发挥着更重要的作用。 在实施利用等离子体的工艺时，为了提高速度和生产率，一般要求增加等离子体的密度，即等离子体内的带电粒子的密度。为提高等离子体的密度而主要采用的方法是采用多个等离子体电极。但是，若考虑等离子体处理装置的制造费用和等离子体处理装置的面积，则所利用的等离子体电极的数量只能是有限的。因此，现实中，需要一种既能够尽量减少所采用的等离子体电极数量又能够实现高密度的等离子体的技术。另一方面，在为产生高密度的等离子体而采用多个等离子体电极时，需要考虑电磁场的抵消。这是因为，在采用多个等离子体电极时，很有可能因多个电极之间的相互作用而发生电磁场抵消现象。
技术实现思路
技术问题图I是示意性地示出现有的等离子体处理装置的结构的图，现有的等离子体处理装置2中，分别配置在多个等离子体电极50的一端及另一端的射频(RF)天线及地线交替且反向配置。参照图1，在反应室30内部被支撑的基板40上设有多个等离子体电极50，在多个等离子体50的一端和另一端上分别连接了射频天线和地线。可确认射频天线和地线是交替且相互反向配置。根据现有的等离子体处理装置2，虽不存在具有相对较弱的电磁场的特定区域，但是存在有特定等离子体电极50产生的电磁场被相邻的等离子体电极50产生的电磁场抵消的问题。即，存在有在图I的用参考标记A表示的区域产生电磁场的相互抵消的问题。电磁场执行产生等离子体的作用，因此，电磁场的相互抵消导致降低所产生的等离子体的密度。因此，需要一种能够使得电磁场的相互抵消最小化以产生高密度的等离子体的技术。用于解决技术问题的方案本专利技术是为了解决上述的现有技术的问题而提出的方案，本专利技术的目的在于提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置能够使得因多个等离子体电极间的相互作用而导致的电磁场的相互抵消。此外，本专利技术的目的在于，提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置能够在等离子体电极的数量最少的情况下产生高密度的等离子体。专利技术效果根据本专利技术，能够使得因多个等离子体电极间的相互作用而导致的电磁场的相互抵消最小化。 另外，根据本专利技术，在能够使得等离子体电极的数量最少的情况下产生高密度的等离子体。为了实现上述目的，本专利技术的实施例的等离子体处理装置，其特征在于，包括反应室单元，具有相互独立配置的第一室和第二室，将基板投入该反应室单元进行等离子体处理；以及等离子体电极单元，具有弯折的形态，用于在上述第一室和上述第二室产生等离子体。此外，本专利技术的实施例的等离子体处理装置，其特征在于，包括反应室单元，具有相互独立地上下配置的第一室和第二室，将基板投入该反应室单元进行等离子体处理；等离子体电极单元，配置在上述反应室单元上，产生等离子体以对上述基板进行等离子体处理。上述等离子体电极单元包括第一电极部，配置在上述第一室中，在上述第一室内部产生等离子体；第二电极部，配置在上述第二室中，在上述第二室内部产生等离子体；以及弯折部，连接第一电极部和第二电极部。附图说明图I是示意性地示出等离子体处理装置的结构的图。图2是示出本专利技术的一实施例的等离子体处理装置的结构的图。图3是只示出本专利技术的一实施例的等离子体电极单元的结构的图。图4是示意性地示出本专利技术的一实施例的射频信号在单位等离子体中流动的状态的图。图5是示出本专利技术的一实施例的等离子体处理装置的外部结构的立体图。图6是示出本专利技术的一实施例的多个第一电极部和第二电极部的配置状态的图。图7是示出连接到等离子体电极单元上的射频天线周边的结构的图。图8是示出本专利技术的另一实施例的等离子体处理装置的结构的图。具体实施例方式后述的对本专利技术的详细说明以能够实施本专利技术的特定实施例作为例子，参照图示的附图。详细说明这些实施例，以使本领域的技术人员能够实施本专利技术。本专利技术的多种实施例相互不同，但是应理解为不是相互排他的。例如，在此记载的一实施例的特定形状、特定结构及特性在不脱离本专利技术的宗旨和范围的情况下，能够通过其他实施例实现。此外，应理解为在不脱离本专利技术的宗旨和范围的情况下，能够变更所公开的各实施例中的个别构成要素的位置或配置。因此，后述的详细说明意不在于限定本专利技术，本专利技术的范围在适当说明的前提下，只由与其权利要求主张的范围均等的范围以及权利要求来限定。图上的类似的参考标记在多个方面表示相同或类似的功能，并且有可能为了便于说明而夸张地示出了长度、面积、厚度以及形态。下面，为了使得本领域的技术人员容易实施本专利技术，参照附图来详细说明本专利技术的优选实施例。图2是示出本专利技术的一实施例的等离子体处理装置的结构的图。参照图2，本专利技术的等离子体处理装置1，能够执行在整个半导体工艺领域中所有利用等离子体的工序。因而，下面对基板10 “进行等离子体处理”应解释为不仅指在基板10上形成半导体层，还包括对形成在基板10上的 半导体的表面进行改性以及对基板10上形成的半导体层进行蚀刻等。此外，在本专利技术的等离子体处理装置I中被处理的基板10的材质优选是玻璃基板，但也不限定于此。因此，本专利技术的等离子体处理装置I能够对塑料、聚合物、硅晶片、不锈钢等多种材质的基板进行处理。此外，基板10大体上形成为方形。参照图2，本专利技术的一实施例的等离子体处理装置I可以包括反应室单元100。反应室单元100是由基本上相互独立配置的第一室110和第二室120的单位构造体。所谓第一室110和第二室120独立配置可以解释为，第一室110和第二室120在位置上分开而提供相互不同的等离子体处理空间。即，相互不同的基板10能够在第一室110和第二室120分别独立进行等离子体处理。在图2中示出了在第一室110和第二室120中一次对一个基板10进行等离子体处理，但是，也可以根据情况，利用晶舟(未图示)等，在第一室110和第二室120中分别同时对多个基板10进行等离子体处理。在第一室110和第二室120内设有工艺室的一般构成要素，从而能够提供针对基板10的独立的等离子体处理空间。为了确保等离子体处理的可靠性，在第一室110和第二室120中大部分构成要素是共同的，下面，对共同设置的构成要素进行说明。首先，虽然未图示于图2，但在第一室110和第二室120中，能够设置具有规定长度的多个驱动辊单元。多个上述驱动辊单元能够发挥如下功能，即支撑基板10的同时以排队方式移动基板10。更具体而言，多个上述驱动辊单元在与基板10的下表面接触的同时，向后述的基板10的卸载部的方向即基板10的行进方向旋转，从而将基板10装载到第一室110及第二室120的内部。此外，多个上述驱动辊单元在基板10装载之后，在对基板10进行等离子体处理的期间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆镐，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：
国别省市：