基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基板处理装置。本实用新型专利技术涉及的基板处理装置使基板上的物质气化或干燥，该基板处理装置包括：本体(100)，包括用于提供基板处理空间的腔室(101)；以及发热部(200)，用于加热腔室(101)内部，其中，本体(100)的下部(BC)具有横截面积从下部(BC)上端到下部(BC)下端逐渐减小的形状。

Substrate processing device

The utility model discloses a substrate processing device. The utility model relates to a substrate processing device, which gasifies or dries substances on a substrate. The substrate processing device comprises a body (100), a chamber (101) for providing a substrate processing space, and a heating part (200) for heating the interior of the chamber (101), wherein the lower part (BC) of the body (100) has a cross-sectional area from the lower part (BC). The shape from the top to the lower part (BC) gradually decreases.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本技术涉及一种基板处理装置。更具体地，涉及具备用于控制本体内侧表面的温度的本体发热部，通过对本体的形状应用倾斜角，以防止基板处理气体或挥发性物质冷凝于本体的内侧壁，当被冷凝时，能够使被冷凝的物质沿着本体的内侧表面向下流动的基板处理装置。
技术介绍
在制造显示装置或半导体器件时所用的基板处理装置中，能够对用于处理基板的腔室内部供给大量的气体，或者从腔室内部排出大量的气体。出于在基板上形成薄膜，或者在基板的薄膜上形成图案，或者改变腔室内部的气氛等的目的，这种气体可以供给到腔室内部，或者从腔室排出到外部。尤其是，在柔性基板制造过程中，为了从非柔性基板分离柔性基板，通常注入溶剂，并且所注入的溶剂成分或包含于柔性基板的溶剂成分挥发后，可以排出到腔室外部。在基板处理工艺中，腔室内部需要保持规定的工艺温度以及工艺压力。但是，由于腔室外部与腔室内部的温度以及压力差，有可能发生溶剂成分或气体冷凝于腔室内壁的现象。被冷凝的气体在重复的基板处理工艺中重复发生蒸发以及冷凝，或者与其他化学成分的气体发生反应，或者在特定温度环境下变质，从而有可能进一步污染腔室内壁。结果，现有的基板处理装置由于腔室内壁的被污染的物质在此后的基板处理过程中再蒸发后，流入到基板上，污染基板，因而降低产品的可靠性，减少收率。另外，现有的基板处理装置由于需要清洗腔室内壁的被污染的物质，或者更换被污染的腔室壁，导致产品的生产费用上升。
技术实现思路
所要解决的技术问题本技术是为了解决上述现有技术的诸多问题而提出的，其目的在于，提供一种能够使本体内壁保持规定的温度以防止气体冷凝于本体内壁的基板处理装置。另外，本技术的目的在于，提供一种改变本体形状以使冷凝于腔室内壁的物质向下流动的基板处理装置。另外，本技术的目的在于，提供一种通过同时使用温度控制部以及本体发热部，以使本体内壁迅速保持在所需温度上的基板处理装置。另外，本技术的目的在于，提供一种保持腔室内壁不被污染以提高产品的可靠性以及收率的基板处理装置，以及挥发性物质冷凝防止方法。解决技术问题的方案为了实现上述目的，本技术的一实施例涉及的基板处理装置使基板上的物质气化或干燥，该基板处理装置包括：本体，包括提供基板处理空间的腔室；发热部，用于加热所述腔室内部；以及本体发热部，配置于所述本体的内侧表面与所述本体的上部表面相接的角部以及所述本体的内侧表面与所述本体的下部表面相接的角部中的至少一处，其中，所述本体的下部具有横截面积从下部上端到下部下端逐渐减小的形状。所述本体的上部可以具有横截面积从上部下端到上部上端逐渐减小的形状。所述本体的最上端角部和所述本体的最下端角部中的至少一处上可以进一步配置有所述本体发热部。所述本体的正截面的形状可以呈六边形。所述本体的上部或所述本体的下部可以呈棱锥状。所述物质在所述本体内侧表面凝集并且沿着所述内侧表面向下流动，从而可以被捕集到所述本体的下端。所述本体发热部可以将所述本体的所述内侧表面的温度保持在50℃至250℃，以防止在所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质冷凝于所述本体的内侧表面。还包括温度控制部，所述温度控制部配置于所述本体的外侧表面，用于控制所述本体内侧表面的温度，其中，在所述本体的正面形成有使所述基板出入的出入口，并且设置有用于开闭所述出入口的门，在所述门上可以设置有用于调节所述门的温度的单元。所述温度控制部将所述本体的所述内侧表面的温度保持在50℃至250℃，以防止在所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质冷凝于所述本体的内侧表面，用于调节所述门的温度的单元将所述门与所述出入口相接的所述本体的部分的温度保持在50℃至250℃，以防止所述物质冷凝于所述门与所述出入口相接的所述本体的部分。所述物质为挥发性物质，可以是在50℃至250℃下被气化的物质。所述发热部以及所述本体发热部可以包括从所述腔室的一侧表面连通到另一侧表面的棒状的发热体。所述基板处理装置还可以包括：气体供给部，与所述腔室的外部一侧表面连接，用于向所述腔室内供给基板处理气体；以及气体排出部，与所述腔室的外部另一侧表面连接，用于向外部排出所述腔室内的基板处理气体。所述气体供给部和所述气体排出部中的至少一个还可以具有用于排出所述物质的泄口。在所述腔室的至少一个侧表面上可以形成有多个物质排出孔。有益效果根据如上构成的本技术，能够使本体内壁保持规定的温度以防止气体冷凝于本体内壁。另外，根据本技术，改变本体形状以使冷凝于腔室内壁的物质向下流动。另外，根据本技术，通过同时使用温度控制部以及本体发热部，以使本体内壁迅速保持在所需温度。另外，根据本技术，保持腔室内壁不被污染以提高产品的可靠性以及收率。附图说明图1是示出本技术的一实施例涉及的基板处理装置的整体结构的立体图。图2是示出本技术的一实施例涉及的基板处理装置的主视剖视图。图3是示出本技术的一实施例涉及的基板处理装置的本体形状的示意图。图4是示出本技术的一实施例涉及的温度控制部的动作的示意图。图5是本技术的一实施例涉及的门和出入口的局部放大立体图。图6a至图6b是示出本技术的一实施例涉及的气体供给部以及气体排出部的剖视图。图7是示出在本技术的一实施例涉及的基板处理装置上形成有排出孔的状态的立体图。图8是示出本技术的另一实施例涉及的基板处理装置的本体形状的示意图。附图标记100：本体101：腔室110：门120：加强筋130：排出单元140：排出孔200：发热部210：主发热部220：辅助发热部230：门发热部250：本体发热部300：气体供给部400：气体排出部500：温度控制部BC：本体下部BC1：本体下部上端BC2：本体下部下端TC：本体上部TC1：本体上部上端TC2：本体上部下端a、b：角度具体实施方式以下对于本技术的详细说明将参照附图，该附图示出了能够实施本技术的特定实施例。详细说明这些实施例，以使本领域技术人员能够充分地实施本技术。应该理解的是，虽然本技术的各种实施例不同，但是不必相互排斥。例如，在此记载的与一实施例有关的特定形状、结构以及特性在不脱离本技术的精神和范围的情况下，能够通过其他实施例实现。还应该理解的是，在不脱离本技术的精神和范围的情况下，可以改变每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或布置。因此，以下详细说明不应被视为限制意义，如果适当地说明本技术的范围，则仅由与其多个权利要求所主张的等同的全部范围和所附的权利要求进行限制。在附图中，相似的附图标记在多个方面表示相同或类似的功能，并且，为了方便起见，也可以夸张地表现长度、面积、厚度及其形状。在本说明书中，基板可以被理解为包括用于LED、LCD等显示装置的基板、半导体基板、太阳能电池基板等，优选地，可以被理解为用于柔性(Flexible)显示装置的柔性基板。另外，在本说明书中，基板处理工艺可以被理解为包括沉积工序、热处理工序等，优选地，可以被理解为在非柔性(Non-Flexible)基板上形成柔性基板，在柔性基板上形成图案，分离柔性基板等工序。另外，在本说明书中，基板上的物质可以被理解为包括与基板的表面接触的物质和不与基板的表面接触但存在于基板的上侧的物质。下面，将参照附图详本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置使基板上的物质气化或干燥，包括：本体，包括用于提供基板处理空间的腔室；发热部，用于加热所述腔室内部；以及本体发热部，配置于所述本体的内侧表面与所述本体的上部表面相接的角部以及所述本体的内侧表面与所述本体的下部表面相接的角部中的至少一处，其中，所述本体的下部具有横截面积从下部上端到下部下端逐渐减小的形状。

【技术特征摘要】
2017.12.07 KR 10-2017-01676311.一种基板处理装置，所述基板处理装置使基板上的物质气化或干燥，包括：本体，包括用于提供基板处理空间的腔室；发热部，用于加热所述腔室内部；以及本体发热部，配置于所述本体的内侧表面与所述本体的上部表面相接的角部以及所述本体的内侧表面与所述本体的下部表面相接的角部中的至少一处，其中，所述本体的下部具有横截面积从下部上端到下部下端逐渐减小的形状。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体的上部具有横截面积从上部下端到上部上端逐渐减小的形状。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体的最上端角部和所述本体的最下端角部中的至少一处上进一步配置有所述本体发热部。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体的正截面的形状呈六边形。5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体的上部或所述本体的下部呈棱锥状。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述物质在所述本体内侧表面凝集并沿着所述内侧表面向下流动，从而被捕集到所述本体的下端。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体发热部将所述本体的所述内侧表面的温度保持在50℃至250℃，以防止在所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质冷凝于所述本体的内侧表面。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：绁竣淏，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：新型
国别省市：韩国,KR