The utility model discloses a substrate processing device. The utility model relates to a substrate processing device, which gasifies or dries substances on a substrate. The substrate processing device comprises a body (100), a chamber (101) for providing a substrate processing space, and a heating part (200) for heating the interior of the chamber (101), wherein the lower part (BC) of the body (100) has a cross-sectional area from the lower part (BC). The shape from the top to the lower part (BC) gradually decreases.
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本技术涉及一种基板处理装置。更具体地，涉及具备用于控制本体内侧表面的温度的本体发热部，通过对本体的形状应用倾斜角，以防止基板处理气体或挥发性物质冷凝于本体的内侧壁，当被冷凝时，能够使被冷凝的物质沿着本体的内侧表面向下流动的基板处理装置。
技术介绍
在制造显示装置或半导体器件时所用的基板处理装置中，能够对用于处理基板的腔室内部供给大量的气体，或者从腔室内部排出大量的气体。出于在基板上形成薄膜，或者在基板的薄膜上形成图案，或者改变腔室内部的气氛等的目的，这种气体可以供给到腔室内部，或者从腔室排出到外部。尤其是，在柔性基板制造过程中，为了从非柔性基板分离柔性基板，通常注入溶剂，并且所注入的溶剂成分或包含于柔性基板的溶剂成分挥发后，可以排出到腔室外部。在基板处理工艺中，腔室内部需要保持规定的工艺温度以及工艺压力。但是，由于腔室外部与腔室内部的温度以及压力差，有可能发生溶剂成分或气体冷凝于腔室内壁的现象。被冷凝的气体在重复的基板处理工艺中重复发生蒸发以及冷凝，或者与其他化学成分的气体发生反应，或者在特定温度环境下变质，从而有可能进一步污染腔室内壁。结果，现有的...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置使基板上的物质气化或干燥，包括：本体，包括用于提供基板处理空间的腔室；发热部，用于加热所述腔室内部；以及本体发热部，配置于所述本体的内侧表面与所述本体的上部表面相接的角部以及所述本体的内侧表面与所述本体的下部表面相接的角部中的至少一处，其中，所述本体的下部具有横截面积从下部上端到下部下端逐渐减小的形状。
【技术特征摘要】
2017.12.07 KR 10-2017-01676311.一种基板处理装置，所述基板处理装置使基板上的物质气化或干燥，包括：本体，包括用于提供基板处理空间的腔室；发热部，用于加热所述腔室内部；以及本体发热部，配置于所述本体的内侧表面与所述本体的上部表面相接的角部以及所述本体的内侧表面与所述本体的下部表面相接的角部中的至少一处，其中，所述本体的下部具有横截面积从下部上端到下部下端逐渐减小的形状。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体的上部具有横截面积从上部下端到上部上端逐渐减小的形状。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体的最上端角部和所述本体的最下端角部中的至少一处上进一步配置有所述本体发热部。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体的正截面的形状呈六边形。5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体的上部或所述本体的下部呈棱锥状。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述物质在所述本体内侧表面凝集并沿着所述内侧表面向下流动，从而被捕集到所述本体的下端。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述本体发热部将所述本体的所述内侧表面的温度保持在50℃至250℃，以防止在所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质冷凝于所述本体的内侧表面。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还...
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