销控制方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种抑制基板的位置偏移的销控制方法和基板处理装置。在销控制方法中，对支承基板并被多个驱动部分别上下地驱动的多个销的高度位置分别进行测定，使用所测定出的多个销的高度位置来从多个销中选择作为速度控制的基准的基准销，针对选择出的基准销，估计从测定多个销的高度位置起经过规定时间后的高度位置即基准高度位置，计算用于使除了基准销以外的其它销的高度位置与估计出的基准高度位置一致的调整速度，控制用于驱动其它销的驱动部来将其它销的驱动速度调整为所述调整速度。

Pin control method and substrate processing device

The invention provides a pin control method and a substrate processing device for suppressing the position deviation of the substrate. In the pin control method, the height positions of multiple pins which are driven up and down by a plurality of driving parts are determined respectively. The height positions of multiple pins determined are used to select a reference pin as a reference pin for speed control from a plurality of pins. For the selected reference pin, it is estimated that the height positions of multiple pins are determined from the measured reference pins. The height position after a specified time is the reference height position. The adjustment speed used to make the height position of pins other than the reference pin consistent with the estimated reference height position is calculated, and the drive unit used to drive other pins is controlled to adjust the driving speed of other pins to the said adjustment speed.

【技术实现步骤摘要】
销控制方法和基板处理装置
本专利技术的各种方面和实施方式涉及一种销控制方法和基板处理装置。
技术介绍
例如在进行蚀刻、成膜等基板处理的基板处理装置中，在用于载置半导体晶圆等基板的载置台以从载置台的载置面突出退回的方式设置多个销。而且，通过使这些多个销上升或下降来进行基板的交接。作为多个销的控制方法，例如存在如下一种方法：通过利用一个驱动部上下地驱动安装有多个销的基部构件，来经由基部构件使多个销统一地上升或下降。专利文献1：日本特开2011-54933号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述的技术中，随着基部构件的倾斜而多个销的高度位置产生差异，作为结果，存在导致由多个销支承的基板的位置相对于预先决定的位置发生偏移这样的问题。对此，考虑不使用以上那样的基部构件的方法。例如考虑以下方法：对多个销独立地设置多个驱动部，利用多个驱动部来分别驱动多个销。然而，在该方法中，随着各销的驱动速度的偏差而多个销的高度位置产生差异，作为结果，有可能发生基板的位置偏移。用于解决问题的方案关于公开的销控制方法，在一个实施方式中，对支承基板并被多个驱动部分别上下地驱动的多个销的高度位置分别进行测定，使用所测定出的所述多个销的高度位置来从所述多个销中选择作为速度控制的基准的基准销，针对选择出的所述基准销，估计从测定所述多个销的高度位置起经过规定时间后的高度位置即基准高度位置，计算用于使除了所述基准销以外的其它销的高度位置与估计出的所述基准高度位置一致的调整速度，控制用于驱动所述其它销的驱动部来将所述其它销的驱动速度调整为所述调整速度。专利技术的效果根据公开的销控制方法的一个方式，起到能够抑制基板的位置偏移的效果。附图说明图1是概要性地示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的图。图2是放大地示出图1所示的基板处理装置的载置台ST的截面图。图3是示出一个实施方式所涉及的销控制方法的流程的一例的流程图。图4是示出一个实施方式所涉及的销控制方法的具体例的图。附图标记说明10：基板处理装置；12：处理容器；14：台；16：筒状保持部；17：筒状支承部；18：聚焦环；20：排气路径；22：隔板；24：排气口；25：气体导入口；26：排气装置；28：排气管；30：闸阀；32：高频电源；34：匹配器；35：高频电源；36：匹配器；38：喷淋头；40：电极板；40h：气体通气孔；42：电极支承体；42a：缓冲室；44：气体供给部；46：气体供给导管；48：磁场形成机构；50：静电卡盘；52：电极；56：直流电源；58：气体供给管线；62：导热气体供给部；66：控制部；70：销；72：驱动部；ST：载置台；SW：开关；W：晶圆。具体实施方式下面，参照附图来详细地说明本申请公开的销控制方法和基板处理装置的实施方式。此外，在各附图中，对相同或相当的部分标注相同的标记。图1是概要性地示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的图。在图1中，示出一个实施方式所涉及的基板处理装置的截面。如图1所示，一个实施方式的基板处理装置10为平行平板型的等离子体处理装置。基板处理装置10具备处理容器12。处理容器12具有大致圆筒形状，将其内部空间界定为处理空间S。基板处理装置10在处理容器12内具备载置台ST。载置台ST是用于载置作为被处理基板的半导体晶圆(以下记载为“晶圆”)W的载置台。在一个实施方式中，载置台ST具有台14和静电卡盘50。台14具有大致圆板形状，设置于处理空间S的下方。台14例如是铝制的，构成下部电极。在一个实施方式中，基板处理装置10还具备筒状保持部16和筒状支承部17。筒状保持部16与台14的侧面及底面的缘部相接来保持台14。筒状支承部17从处理容器12的底部沿垂直方向延伸，借助筒状保持部16来支承台14。基板处理装置10还具备聚焦环18。聚焦环18载置于台14的周缘部分的上表面。聚焦环18是用于改善晶圆W的处理精度的面内均匀性的构件。聚焦环18是具有大致环形状的板状构件，例如由硅、石英或碳化硅构成。在一个实施方式中，在处理容器12的侧壁与筒状支承部17之间形成有排气路径20。在排气路径20的入口或排气路径20的中途安装有隔板22。另外，在排气路径20的底部设置有排气口24。由嵌入到处理容器12的底部的排气管28界定出排气口24。该排气管28与排气装置26连接。排气装置26具有真空泵，能够将处理容器12内的处理空间S减压到规定的真空度。在处理容器12的侧壁安装有用于开闭晶圆W的搬入搬出口的闸阀30。台14经由匹配器34而与等离子体生成用的高频电源32电连接。高频电源32向下部电极即台14施加规定的高频(例如13MHz)的高频电力。基板处理装置10在处理容器12内还具备喷淋头38。喷淋头38设置于处理空间S的上方。喷淋头38包括电极板40和电极支承体42。电极板40是具有大致圆板形状的导电性的板，构成上部电极。电极板40经由匹配器36而与等离子体生成用的高频电源35电连接。高频电源35向电极板40施加规定的高频(例如60MHz)的高频电力。当由高频电源32和高频电源35分别向台14和电极板40施加高频电力时，在台14与电极板40之间的空间、即处理空间S形成高频电场。在电极板40形成有多个气体通气孔40h。电极板40以能够装卸的方式被电极支承体42支承。在电极支承体42的内部设置有缓冲室42a。基板处理装置10还具备气体供给部44，缓冲室42a的气体导入口25经由气体供给导管46而与气体供给部44连接。气体供给部44向处理空间S供给处理气体。该处理气体例如可以为蚀刻用的处理气体，或者也可以为成膜用的处理气体。在电极支承体42形成有分别与多个气体通气孔40h连续的多个孔，该多个孔与缓冲室42a连通。从气体供给部44供给的气体经由缓冲室42a、气体通气孔40h向处理空间S供给。在一个实施方式中，在处理容器12的顶部设置有以环状或同心状延伸的磁场形成机构48。该磁场形成机构48发挥功能以易于开始处理空间S中的高频放电(等离子体点火)来稳定地维持放电。在基板处理装置10中，在台14的上表面设置有静电卡盘50。静电卡盘50包括一对绝缘膜54a和54b以及被一对绝缘膜54a和54b夹在中间的电极52。电极52经由开关SW而与直流电源56连接。当从直流电源56向电极52施加直流电压时，产生库伦力，晶圆W通过该库伦力而吸附保持在静电卡盘50上。在一个实施方式中，基板处理装置10还具备气体供给管线58和导热气体供给部62。导热气体供给部62与气体供给管线58连接。该气体供给管线58延伸到静电卡盘50的上表面，在该上表面以环状延伸。导热气体供给部62向静电卡盘50的上表面与晶圆W之间供给例如He气体之类的导热气体。(载置台ST的结构)图2是放大地示出图1所示的基板处理装置的载置台ST的截面图。如图2所示，载置台ST具有载置面PF。该载置面PF包括第一区域R1和第二区域R2。第一区域R1为用于载置晶圆W的区域。在一个实施方式中，由静电卡盘50的上表面界定出第一区域R1，该第一区域R1为大致圆形的区域。第一区域R1为载置台ST的载置面的一例。第二区域R2为用于载置聚焦环18的区域，以将第一区域R1包围的方式设置为环状。在一个实施方式中，由台14的周缘部分的上表面界定出第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种销控制方法，其特征在于，对支承基板并被多个驱动部分别上下地驱动的多个销的高度位置分别进行测定，使用所测定出的所述多个销的高度位置来从所述多个销中选择作为速度控制的基准的基准销，针对选择出的所述基准销，估计从测定所述多个销的高度位置起经过规定时间后的高度位置即基准高度位置，计算用于使除了所述基准销以外的其它销的高度位置与估计出的所述基准高度位置一致的调整速度，控制用于驱动所述其它销的驱动部来将所述其它销的驱动速度调整为所述调整速度。

【技术特征摘要】
2017.04.14 JP 2017-0806971.一种销控制方法，其特征在于，对支承基板并被多个驱动部分别上下地驱动的多个销的高度位置分别进行测定，使用所测定出的所述多个销的高度位置来从所述多个销中选择作为速度控制的基准的基准销，针对选择出的所述基准销，估计从测定所述多个销的高度位置起经过规定时间后的高度位置即基准高度位置，计算用于使除了所述基准销以外的其它销的高度位置与估计出的所述基准高度位置一致的调整速度，控制用于驱动所述其它销的驱动部来将所述其它销的驱动速度调整为所述调整速度。2.根据权利要求1所述的销控制方法，其特征在于，在所述选择的处理中，在测定出的所述多个销的高度位置不一致的情况下，将所述多个销中的高度位置最低的销或高度位置最高的销选择为所述基准销。3.根据权利要求1或2所述的销控制方法，其特征在于，在所述估计的处理中，基于从所述多个驱动部开始驱动所述多个销起到测定所述多个销的高度位置的测定定时为止的经过时间以及在所述测定定时测定出的所述基准销的高度位置，来计算所述测定定时的所述基准销的驱动速度，基于计算出的所述基准销的驱动速度、所述规定时间以及在所述测定定时测定出的所述基准销的高度位置，来估计所述基准高度位置。4.根据权利要求1所述的销控制方法，其特征在于，在所述测定的处理中，每当从上次测定所述多个销的高度位置起经过所述规定时间时，对所述多个销的...

【专利技术属性】
技术研发人员：松浦伸，堀口将人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP