基板处理装置制造方法及图纸

公开了基板处理装置。本发明专利技术涉及的基板处理装置，其特征在于，包括：进气口(300)，用于向腔室(101)内供应基板处理气体；出气口(400)，用于向外部排出腔室(101)内的基板处理气体；加热器(200)，配置在腔室(101)内，用于对腔室(101)内部进行加热；温度控制器(500)，配置在腔室(101)的外侧面，用于控制腔室壁的温度，其中，所述温度控制器(500)将腔室(101)的内壁的温度保持在50℃至250℃，以防止所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质在所述腔室(101)的内壁上冷凝。

Substrate processing device

A substrate processing apparatus is disclosed. The invention relates to a substrate processing device, which is characterized in that: the inlet (300), to the chamber (101) in the supply of substrate processing gas; the air outlet (400), for the outside of the discharge chamber (101) substrate processing in gas heater; (200), (101) configuration in the chamber. For the chamber (101) internal heating; temperature controller (500), (101) the chamber configuration on the outer side, used to control the temperature of the chamber wall, wherein, the temperature controller (500) (101) of the inner wall of the chamber temperature is maintained at 50 to 250 DEG C, in order to prevent the substrate the chamber is gasified or dry the material in the chamber (101) on the inner wall of the condensation.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置
本专利技术涉及一种基板处理装置。更详细而言，涉及一种具备用于控制腔室壁温度的温度控制器，从而能够将腔室内壁的温度保持在规定温度，以避免基板处理气体或挥发性物质在腔室的内壁上冷凝的基板处理装置。
技术介绍
在制造显示装置或半导体元件时使用的基板处理装置中，对基板进行处理的腔室内部会被供应以及排出大量的气体。出于在基板上形成薄膜、或在基板上的薄膜上形成图案、或对腔室内部的气氛进行换气等目的，这些气体可以被供应至腔室内部，并从腔室排出至外部。在基板处理过程中，腔室内壁有可能被供应至腔室内部的气体或从基板挥发的气体污染。在基板处理工序中，腔室内部需要保持规定的工序温度以及工序压力，此时，由于腔室外部和腔室内部的温度差以及压力差，会发生气体在腔室内壁上冷凝的现象。被冷凝的气体在反复进行的基板处理工序中重复蒸发以及冷凝，或者与其他化学成分的气体进行反应，或者在特定温度环境下变质，从而会进一步污染腔室内壁。结果，现有的基板处理装置中，腔室内壁的污染物质在之后的基板处理过程中再次蒸发并流入到基板上而污染基板，从而降低产品的可靠性，降低成品率。另外，现有的基板处理装置，需洗涤腔室内壁上的污染物质或更换腔室壁本身，因此，产品的生产成本会增加。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术是为了解决上述现有技术的所有问题而提出的，其目的在于提供一种使腔室内壁保持规定温度，从而避免气体在腔室内壁上冷凝的基板处理装置。另外，本专利技术的目的在于，提供一种保持腔室内壁不受污染，从而提高产品的可靠性以及成品率的基板处理装置。解决问题的技术方案为了达成上述目的，本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置，其特征在于，包括：进气口(inlet)，用于向所述腔室内供应基板处理气体；出气口(outlet)，用于向外部排出所述腔室内的基板处理气体；加热器，配置在所述腔室内，用于对所述腔室内部进行加热；以及温度控制器，配置在所述腔室的外侧面，用于控制腔室壁的温度，其中，所述温度控制器将所述腔室的内壁的温度保持在50℃至250℃，以防止所述物质在所述腔室的内壁上冷凝。并且，为了达成上述目的，本专利技术的一实施例涉及的防止挥发性物质冷凝的方法，其特征在于，在基板处理装置中，用于控制腔室壁温度的温度控制器使所述腔室的内壁的温度保持在50℃至250℃，以防止腔室内被气化或干燥的基板上的物质在所述腔室的内壁上冷凝。专利技术效果根据如上所述构成的本专利技术，使腔室内壁保持规定温度，从而避免气体在腔室内壁上冷凝。另外，本专利技术保持腔室内壁不受污染，因此能够提高产品的可靠性以及成品率。附图说明图1是示出本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置的整体结构的立体图。图2是示出本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置的主剖视图。图3是示出本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置的侧剖视图。图4是示出本专利技术的一实施例涉及的温度控制器的动作的概略图。图5是示出本专利技术的一实施例涉及的进气口以及出气口的剖视图。图6是示出本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置上形成有物质排出孔的状态的立体图。附图标记10：基板11：基板支架100：主体101：腔室110：门120：加强肋条200：加热器210：主加热器220：副加热器300：进气口400：出气口500：温度控制器600：腔室壁加热模块700：腔室壁冷却模块具体实施方式对于后述的本专利技术的详细说明，参照了例示出能够实施本专利技术的特定实施例的附图。这些实施例充分详细说明，以便本领域技术人员能够实施本专利技术。应理解为，本专利技术的各种实施例虽彼此不同，但无需相互排斥。例如，这里所记载的特定形状、结构以及特性与一个实施例相关，在不超出本专利技术的精神以及范围的情况下，可以由其他实施例实现。另外，应理解为，各公开的实施例内的个别结构要素的位置或配置在不超出本专利技术的精神以及范围的情况下可以变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定本专利技术，本专利技术的范围仅以权利要求书和其等同的所有范围限定。附图中的相似的附图标记在多方面表示相同或相似的功能，为方便起见，有可能放大示出长度以及面积、厚度等和其形状。在本说明书中，基板可以理解为，包括用于LED、LCD等显示装置的基板、半导体基板、太阳能电池基板等的所有基板，可以优选理解为，用于柔性(Flexible)显示装置的柔性基板。另外，在本说明书中，基板处理工序可以理解为，包括蒸镀工序、热处理工序等，可以优选理解为，在非柔性(Non-Flexible)基板上形成柔性基板、在柔性基板上形成图案、分离柔性基板等工序。下面，参照附图，对本专利技术的实施例涉及的基板处理装置进行详细说明。图1是示出本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置的整体结构的立体图，图2是示出本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置的主剖视图，图3是示出本专利技术的一实施例涉及的基板处理装置的侧剖视图。参照图1至图3，本实施例涉及的基板处理装置可以包括主体100、加热器200、进气口(inlet)300、出气口(outlet)400以及温度控制器500。主体100构成腔室101，该腔室101是在内部装载基板10并对其进行处理的密闭空间。主体100的材料可以是石英(Quartz)、不锈钢(SUS)、铝(Aluminium)、石墨(Graphite)、碳化硅(Siliconcarbide)或氧化铝(Aluminiumoxide)中的至少任意一种。在腔室101内部可以配置有多个基板10(参照图2)。多个基板10可以各自隔着一定间隔配置，以被基板支架11(参照图2)支承或安放于晶舟(未图示)的方式配置于腔室101内部。在主体100的一面(例如，正面)可以形成有出入口115，该出入口115是装载/卸载基板10的通道。出入口115可以仅形成于主体100的一面(例如，正面)，也可以形成于相反面(例如，背面)。门110可以设置于主体100的一面(即，形成有出入口115的面)。门可以设置为能够沿着前后方向、左右方向或上下方向进行滑动。门110可以开闭出入口115，当然，也可以通过开闭出入口115来开闭腔室101。另外，在门110与主体100的形成有出入口115的面之间可以夹设有O形环(O-ring)等密封部件(未图示)，以使出入口115完全被门110密封。另一方面，在主体100的外侧面上可以结合有加强肋条120。在工序中，主体100内部会因受到强压或高温的影响而发生破损或变形。因此，通过在主体100的外侧面上结合加强肋条120，能够提高主体100的耐久性。根据需要，也可以只在特定外侧面或外侧面上的一部分结合加强肋条120。加热器200可以包括：主加热器210，用于对腔室101的内部进行加热而形成基板处理气氛，对基板10直接进行加热；以及副加热器220，用于防止腔室101内部的热量损失。主加热器210可以在与装载/卸载基板10的方向垂直的方向上隔着一定间隔配置，可以沿着基板10的层叠方向在垂直方向上隔着一定间隔配置。副加热器220可以沿着与装载/卸载基板10的方向平行的方向配置在腔室101的内壁上，并沿着基板10的层叠方向在垂直方向上隔着一定间隔。主加热器210可以包括多个发热体211以及设置于各发热体211两端的端子212，副加热器220也可以同样包括多个发热体221以及设置于各发热体221两端的端子222。发热体211本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：进气口(inlet)，用于向腔室内供应基板处理气体；出气口(outlet)，用于向外部排出所述腔室内的基板处理气体；加热器，配置在所述腔室内，用于对所述腔室内部进行加热；以及温度控制器，配置在所述腔室的外侧面，用于控制腔室壁的温度，所述温度控制器将所述腔室的内壁的温度保持在50℃至250℃，以防止所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质在所述腔室的所述内壁上冷凝。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.18 KR 10-2014-01611551.一种基板处理装置，其特征在于，包括：进气口(inlet)，用于向腔室内供应基板处理气体；出气口(outlet)，用于向外部排出所述腔室内的基板处理气体；加热器，配置在所述腔室内，用于对所述腔室内部进行加热；以及温度控制器，配置在所述腔室的外侧面，用于控制腔室壁的温度，所述温度控制器将所述腔室的内壁的温度保持在50℃至250℃，以防止所述腔室内被气化或干燥的基板上的物质在所述腔室的所述内壁上冷凝。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述物质是挥发性物质，其在50℃至250℃下气化。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，当所述腔室内部的基板处理温度在300℃以下时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炳一，朴暻完，康浩荣，朴俊圭，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR