检查装置及检查方法制造方法及图纸

检查装置具备：激光光源；将激光从金属层侧照射至半导体设备的激光标记用光学系统；通过控制激光光源来控制激光标记的控制部；在基板侧检测来自半导体设备的光并输出光学反射像的二维照相机；及生成半导体设备的图案图像的解析部；控制部以直至标记像显现于图案图像为止进行激光标记的方式控制激光光源。

Inspection device and inspection method

Check device includes a laser light source; the optical system for laser marking from the metal layer to the semiconductor laser irradiation side equipment; control by controlling the laser to control the laser marking on the substrate side; semiconductor devices and optical detection from 2D camera output optical reflection image; analysis of the semiconductor device and generating pattern image a control unit; until the marker like behavior in laser marking pattern image until the control laser light source.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检查装置及检查方法
本专利技术的一个方面涉及半导体设备的检查装置及检查方法。
技术介绍
作为检查半导体设备的技术，有在故障部位被特定了的情况下，对于故障部位的周围数处，利用激光的照射进行标记(marking)的技术。这样的技术由于能够在故障解析的后工序中利用标记容易地把握故障部位，因而是极其有效的技术。例如在专利文献1中，公开了针对由基板及基板上的金属层所形成的半导体设备，利用OBIC(OpticalBeamInducedCurrent(光束感应电流))测量检测出故障部位，并激光标记该故障部位的周围的技术。更详细而言，在专利文献1中，公开了从基板侧照射激光而进行OBIC测量后，利用配置于半导体设备的金属层侧的激光标记光学系统激光标记故障部位的周围的技术。在专利文献1中，从基板侧进行激光标记时，为了抑制半导体设备发生破损，从金属层侧进行激光标记。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-340990号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题此处，在专利文献1中，预先使基板侧的测量光学系统、及金属层侧的激光标记光学系统的激光束的光轴一致，但有起因于使激光标记光学系统移动的平台的移动精度及振动等而无法在所期望的位置对故障部位的位置进行标记的情况。在故障解析的后工序中，由于基于标记位置而把握故障部位的位置来进行半导体设备的切断等的处理，因而无法在所期望的位置对故障部位的位置进行标记成为大的问题。因此，本专利技术的一个方面的目的在于，提供一种检查装置及检查方法，其即使在从半导体设备的金属层侧进行激光标记的情况下，通过能够从基板侧观察标记位置，从而也能够正确地把握相对于故障部位的位置的标记位置。解决问题的技术手段本专利技术的一个方面所涉及的检查装置是对在基板上形成有金属层的半导体设备进行激光标记的装置，具备：输出激光的第1光源；将第1光源输出的激光从金属层侧照射至半导体设备的激光标记用光学系统；控制激光标记的标记控制部；配置于半导体设备的基板侧且传递来自半导体设备的光的观察用光学系统；经由观察用光学系统检测来自半导体设备的光且输出检测信号的光检测器；及基于检测信号生成半导体设备的图案图像的图像处理部。标记控制部以直至利用激光标记形成的标记像显现于图案图像为止进行激光标记的方式控制激光的照射。另外，本专利技术的一个方面所涉及的检查方法是对在基板上形成有金属层的半导体设备进行激光标记的方法，包含：将激光从金属层侧照射至半导体设备而进行激光标记的步骤；使用配置于半导体设备的基板侧的观察用光学系统，将来自半导体设备的光引导至光检测器的步骤；及基于对应于来自半导体设备的光而从光检测器输出的检测信号，生成半导体设备的图案图像的步骤。在进行激光标记的步骤中，直至利用激光标记形成的标记像显现于图案图像为止，执行激光的照射。在该检查装置及检查方法中，从半导体设备的金属层侧照射激光。另外，使用配置于半导体设备的基板侧的观察用光学系统来检测来自半导体设备的光，由该检测所涉及的检测信号生成半导体设备的图案图像。然后，直至利用激光标记形成的标记像显现于图案图像为止，执行激光标记。这样，由于直至标记像显现于对应于在基板侧检测出的来自半导体设备的光的图案图像为止进行激光标记，因而从基板侧也能够确认标记位置。另外，由于直至标记像显现于图案图像为止进行激光标记，因而通过确认图案图像，而能够正确地把握相对于故障部位的位置的标记位置。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查装置中，标记控制部也可以以直至激光贯通金属层为止进行激光标记的方式控制激光的照射。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查方法中，进行激光标记的步骤也可以包含直至激光贯通金属层为止进行激光标记。由此，在例如故障解析的后工序、即激光标记后，即使在切削金属层而解析故障部位时，也能够可靠地确认标记位置。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查装置中，图像处理部也可以在进行利用激光的激光标记的期间生成图案图像。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查方法中，生成图案图像的步骤也可以包含在进行激光标记的期间生成图案图像。由此，能够一边进行激光标记一边确认标记像的形成，且能够直至利用图案图像可以把握标记位置为止执行激光标记。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查装置中，也可以进一步具备输出照明光的第2光源，光检测器是经由观察用光学系统而对在半导体设备上被反射的该照明光进行摄像的二维照相机。由此，由于能够使用用于检测来自半导体设备的发光等的光学系统或光检测器而获取半导体设备的图案图像，因而能够在图案图像中正确地把握相对于故障部位的位置的标记位置。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查装置中，光检测器也可以为对来自半导体设备的热射线进行摄像的红外照相机。通过具有红外照相机，由于能够使用发热测量等用于检测来自半导体设备的热射线的光检测器而获取半导体设备的图案图像，因而能够在图案图像中正确地把握相对于故障部位的位置的标记位置。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查装置中，进一步具备输出光的第2光源。观察用光学系统也可以具有光扫描部，将从第2光源输出的光自基板侧对半导体设备进行扫描，且将对应于该被扫描的光而从半导体设备反射的光传递至光检测器。由此，能够使用OBIC测量及EOP(ElectroOpticalProbing(光电探测))测量等用于对半导体设备照射光的观察用光学系统或光检测器而获取半导体设备的图案图像。由此，在图案图像中能够正确地把握相对于故障部位的位置的标记位置。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查装置及检查方法中，也可以是激光的波长为1000纳米以上，观察用光学系统具有屏蔽包含激光的波长的光的光学滤光器。由此，即使从第1光源输出的激光透过半导体设备的基板的情况下，由于该激光在观察用光学系统中被遮光，因而也能够抑制光检测器被激光破坏。另外，在本专利技术的一个方面所涉及的检查装置及检查方法中，激光的波长也可以小于1000纳米。由此，在例如半导体设备由硅基板等的基板构成时，由于激光在基板被吸收，因而能够抑制光检测器被激光破坏。专利技术的效果根据该检查装置及检查方法，即使在从半导体设备的金属层侧进行激光标记的情况下，通过能够从基板侧观察标记位置，从而也能够正确地把握相对于故障部位的位置的标记位置。附图说明图1是本专利技术的第1实施方式所涉及的检查装置的构成图。图2是用于说明对半导体设备的激光标记影像的图，(a)是激光标记后的半导体设备的背面图，(b)是激光标记后的半导体设备的表面图，(c)是图2(b)的II(c)-II(c)剖面图。图3是用于说明图1的检查装置的标记控制的图。图4是图1的检查装置的标记处理的流程图。图5是本专利技术的第2实施方式所涉及的检查装置的构成图。图6是本专利技术的第3实施方式所涉及的检查装置的构成图。图7是第1实施方式的变形例所涉及的检查装置的构成图。图8是第3实施方式的变形例所涉及的检查装置的构成图。图9是表示呈放射状延伸的图案的影像的图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式，参照附图进行详细的说明。另外，在各图中对相同或相当部分赋予相同符号，并省略重复的说明。[第1实施方式]如图1所示，本实施方式所涉及的检查装置1是在被检查设备(DUT：DeviceUnderTest(在试设备))即半导体设备D中特定故障部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检查装置，其特征在于，是对在基板上形成有金属层的半导体设备进行激光标记的检查装置，具备：第1光源，其输出激光；激光标记用光学系统，其将所述第1光源输出的激光从所述金属层侧照射至所述半导体设备；标记控制部，其通过控制所述第1光源来控制所述激光标记；观察用光学系统，其配置于所述半导体设备的所述基板侧，传递来自所述半导体设备的光；光检测器，其经由所述观察用光学系统检测来自所述半导体设备的光并输出检测信号；及图像处理部，其基于所述检测信号而生成所述半导体设备的图案图像，所述标记控制部以直至利用所述激光标记形成的标记像显现于所述图案图像为止进行所述激光标记的方式控制所述激光的照射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.10 JP 2015-0244091.一种检查装置，其特征在于，是对在基板上形成有金属层的半导体设备进行激光标记的检查装置，具备：第1光源，其输出激光；激光标记用光学系统，其将所述第1光源输出的激光从所述金属层侧照射至所述半导体设备；标记控制部，其通过控制所述第1光源来控制所述激光标记；观察用光学系统，其配置于所述半导体设备的所述基板侧，传递来自所述半导体设备的光；光检测器，其经由所述观察用光学系统检测来自所述半导体设备的光并输出检测信号；及图像处理部，其基于所述检测信号而生成所述半导体设备的图案图像，所述标记控制部以直至利用所述激光标记形成的标记像显现于所述图案图像为止进行所述激光标记的方式控制所述激光的照射。2.如权利要求1所述的检查装置，其特征在于，所述标记控制部以直至所述激光贯通所述金属层为止进行所述激光标记的方式控制所述激光的照射。3.如权利要求1或2所述的检查装置，其特征在于，所述图像处理部在进行利用所述激光的所述激光标记的期间生成所述图案图像。4.如权利要求1至3中任一项所述的检查装置，其特征在于，进一步具备输出照明光的第2光源，所述光检测器是对在所述半导体设备上被反射的所述照明光进行摄像的二维照相机。5.如权利要求1至3中任一项所述的检查装置，其特征在于，所述光检测器是对来自所述半导体设备的热射线进行摄像的红外照相机。6.如权利要求1至3中任一项所述的检查装置，其特征在于，进一步具备输出光的第2光源，所述观察用光学系统具有光扫描部，将从所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木信介，寺田浩敏，松田俊辅，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP