干法‑湿法集成晶片处理系统技术方案

本发明专利技术涉及干法‑湿法集成晶片处理系统。一种用于处理晶片状物品的装置包括真空传送模块和大气传送模块。第一气锁将真空传送模块和大气传送模块互连。大气处理模块连接到所述大气传送模块。气体供应系统被配置为将气体单独地且以不同的受控流供应到所述大气传送模块、所述第一气锁和所述大气处理模块中的每一个，以便致使：(i)当所述第一气锁和所述大气传送模块朝向彼此打开时，气体从所述第一气锁流向所述大气传送模块，以及(ii)当所述大气传送模块和所述大气处理模块朝向彼此打开时，气体从所述大气传送模块流向所述大气处理模块。

Dry wet integrated wafer processing system

The invention relates to a dry wet integrated wafer processing system. A device for treating wafer like articles includes a vacuum transfer module and an atmosphere transfer module. The first air lock interconnects the vacuum transfer module with the atmosphere transfer module. The atmospheric processing module is connected to the atmospheric transport module. The gas supply system is configured to separate gas and in different controlled flow supplied to the atmospheric transport module, the first gas lock and the atmospheric processing module in each one, so that: (I) when the first gas lock and the atmospheric transmission module toward each other to open. The gas from the first gas flow to the air lock transmission module, and (II) when the atmospheric transport module and the atmospheric processing module toward each other when opening the gas from the air flow to the atmospheric transmission module and processing module.

【技术实现步骤摘要】
干法-湿法集成晶片处理系统
本专利技术涉及一种用于处理晶片状物品的系统，其中集成了湿法和干法处理模块。
技术介绍
使用各种处理模块来执行半导体晶片的处理。一些处理模块，例如用于等离子体蚀刻的处理模块，在真空环境中进行，并且被认为涉及“干法”处理。其它处理模块利用各种处理液体并且在环境压力环境中进行，例如湿法蚀刻和/或清洁，并且被认为是“湿法”处理。美国专利公开No.2008/0057221号描述了一种用于界面工程的受控环境系统，其中组合实验室周围环境和受控周围环境。然而，实际上，组合湿法和干法处理模块很少是高效的，因为这些类型的模块的晶片生产量显著不同。因此，湿法和干法处理模块通常彼此独立地操作。在已经在另一类型的模块中处理之后，在一种类型的模块中待处理的晶片的等待时间可能是大量的。例如，在半导体制造设备中，在晶片可以在湿法处理模块中冲洗之前，晶片在经历等离子体蚀刻之后有几个小时或更长的等待时间是寻常的。本专利技术人已经发现，由于反应性蚀刻残余物(例如保留在晶片表面上的卤素)，等待其进行湿法处理的晶片可在晶片上形成的器件结构上经历慢速反应。这提供了开发改进的系统的动力，改进的系统集成了湿法和干法处理模块，大大减少了执行晶片的湿法处理和干法处理之间的等待时间。
技术实现思路
因此，一方面，本专利技术涉及一种用于处理晶片状物品的装置，其包括真空传送模块和大气传送模块。第一气锁将所述真空传送模块和所述大气传送模块互连。大气处理模块连接到所述大气传送模块。气体供应系统被配置为将气体单独地且以不同的受控流供应到所述大气传送模块、所述第一气锁和所述大气处理模块中的每一个，以便致使：(i)当所述第一气锁和所述大气传送模块朝向彼此打开时，气体从所述第一气锁流向所述大气传送模块，以及(ii)当所述大气传送模块和所述大气处理模块朝向彼此打开时，气体从所述大气传送模块流向所述大气处理模块。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述气体供应系统包括第一气体喷头，所述第一气体喷头位于所述第一气锁的上部区域中，并且被配置成在所述第一气锁内向下分配气体。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述第一气锁被配置为容纳具有预定直径的至少一个晶片状物品，并且所述第一气体喷头包括向下定向的气体排出开口，当具有预定直径的晶片状物品定位在所述第一气锁中时，所述气体排出开口位于该晶片状物品的径向外部。优选地，所述气体排出开口位于距所述第一气锁的竖直室壁小于5cm的距离处。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述气体供应系统包括第二气体喷头，所述第二气体喷头位于所述大气传送模块的上部区域中，并且被配置成在所述大气传送模块内向下分配气体。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述大气传送模块被配置为容纳具有预定直径的至少一个晶片状物品，并且所述第二气体喷头包括向下定向的气体排出开口，当具有预定直径的晶片状物品定位在所述大气传送模块中时，所述气体排出开口位于该晶片状物品的径向外部。优选地，所述气体排出开口位于距所述大气传送模块的竖直室壁小于5cm的距离处。替代地，所述气体排出开口环形地布置在具有比待处理的晶片状物品的直径大至少5mm的直径的环中。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述气体供应系统包括第一排放口(exhaust)，所述第一排放口位于所述大气传送模块的下部区域中，并且被配置成远离所述大气传送模块、所述第一气锁和所述大气处理模块中的每一个排放从所述第二气体喷头排出的气体的至少一部分。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述大气传送模块不配备真空泵。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述气体供应系统包括第三气体喷头，所述第三气体喷头位于所述大气处理模块的上部区域中并且被配置成在所述大气处理模块内向下分配气体。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述第三气体喷头邻近来自所述大气传送模块的入口开口定位。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述气体供应系统包括第二排放口，所述第二排放口位于所述大气处理模块中，并且被配置为远离所述大气传送模块和所述大气处理模块排放从所述第三气体喷头排出的气体的至少一部分。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述大气处理模块不配备真空泵。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述大气处理模块包括连接到所述大气传送模块的外室以及配置成执行晶片状物品的湿法处理的内室。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述内室包括下碗和上盖，其中所述下碗和所述上盖可相对于彼此竖直移动。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述内室容纳用于保持和旋转经历处理的晶片状物品的旋转卡盘。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述旋转卡盘是悬浮卡盘。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述大气处理模块包括连接到所述大气传送模块的外室和配置成执行晶片状物品的湿法处理的内室，并且所述第三气体喷头定位在所述外室内且在所述内室外部。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，至少一个真空处理模块独立于所述第一气锁附接到所述真空传送模块。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，设备前端模块经由至少一个第二气锁连接到所述真空传送模块，所述设备前端模块包括至少一个正面开口标准箱，所述至少一个正面开口标准箱用于将晶片状物品引入所述设备前端模块中并用于从所述设备前端模块移除晶片状物品。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，仅通过穿过所述大气传送模块、所述第一气锁和所述真空传送模块，可以将晶片状物品引入到所述大气处理模块中以及从所述大气处理模块移除晶片状物品。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，加热器定位在所述大气传送模块和所述第一气锁中的至少一个中，所述加热器配置成蒸发存在于从所述大气处理模块返回到所述真空传送模块的晶片状物品上的任何残留水分。这种加热器可以包括诸如LED加热元件的辐射加热器。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述真空传送模块包括真空传送机械手，所述真空传送机械手能操作以将晶片状物品从所述真空传送模块传送到所述第一气锁。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述真空传送模块包括真空传送机械手，所述真空传送机械手能操作以将晶片状物品从至少一个第二气锁传送到所述真空传送模块，以及从所述真空传送模块到所述第一气锁。在根据本专利技术的装置的优选实施方式中，所述大气传送模块包括大气传送机械手，所述大气传送机械手能操作以将晶片状物品从所述第一气锁传送到所述大气传送模块，以及从所述大气传送模块传送到所述大气处理模块。具体而言，本专利技术的一些方面可以阐述如下：1.一种用于处理晶片状物品的装置，其包括：真空传送模块；大气传送模块；第一气锁，其将所述真空传送模块和所述大气传送模块互连；大气处理模块，其连接到所述大气传送模块；以及气体供应系统，其被配置为单独地且以不同的受控流将气体供应到所述大气传送模块、所述第一气锁和所述大气处理模块中的每一个，以便致使：(i)当所述第一气锁和所述大气传送模块朝向彼此打开时，气体从所述第一气锁流向所述大气传送模块，以及(ii)当所述大气传送模块和所述大气处理模块朝向彼此打开时，气体从所述大气传送模块流向所述大气处理模块。2.根据条款1所述的装置，其中所述气体供应系统包括第一气体喷头，所述第一气体喷头位于所述第一气锁的上部区域中，并且被配置成在所述第一气锁内向下分配气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理晶片状物品的装置，其包括：真空传送模块；大气传送模块；第一气锁，其将所述真空传送模块和所述大气传送模块互连；大气处理模块，其连接到所述大气传送模块；以及气体供应系统，其被配置为单独地且以不同的受控流将气体供应到所述大气传送模块、所述第一气锁和所述大气处理模块中的每一个，以便致使：(i)当所述第一气锁和所述大气传送模块朝向彼此打开时，气体从所述第一气锁流向所述大气传送模块，以及(ii)当所述大气传送模块和所述大气处理模块朝向彼此打开时，气体从所述大气传送模块流向所述大气处理模块。

【技术特征摘要】
2016.03.17 US 15/073,3681.一种用于处理晶片状物品的装置，其包括：真空传送模块；大气传送模块；第一气锁，其将所述真空传送模块和所述大气传送模块互连；大气处理模块，其连接到所述大气传送模块；以及气体供应系统，其被配置为单独地且以不同的受控流将气体供应到所述大气传送模块、所述第一气锁和所述大气处理模块中的每一个，以便致使：(i)当所述第一气锁和所述大气传送模块朝向彼此打开时，气体从所述第一气锁流向所述大气传送模块，以及(ii)当所述大气传送模块和所述大气处理模块朝向彼此打开时，气体从所述大气传送模块流向所述大气处理模块。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述气体供应系统包括第一气体喷头，所述第一气体喷头位于所述第一气锁的上部区域中，并且被配置成在所述第一气锁内向下分配气体。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一气锁被配置为容纳具有预定直径的至少一个晶片状物品，并且其中所述第一气体喷头包括向下定向的气体排出开口，当具有所述预定直径的晶片状物品定位在所述第一气锁中时，所述气体排出开口位于该晶片状物品的径向外部。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述气体供应系统包括第二气体喷头，所述第二气体喷头位于所述大...

【专利技术属性】
技术研发人员：索斯藤·利尔，安德列亚斯·费希尔，理查德·H·古尔德，迈克尔·米斯洛沃伊，菲利普·恩格赛，哈拉尔德·奥科伦施密特，安德斯·乔尔·比约克，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：奥地利,AT