【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、等离子体处理系统用于在半导体晶片上制造半导体装置，例如芯片/管芯。在等离子体处理系统中，半导体晶片被暴露于各种类型的等离子体，以例如通过材料沉积和/或材料移除和/或材料植入和/或材料改性等等，引起半导体晶片的条件的规定变化。按照惯例，等离子体处理系统包含射频(rf)源、rf传输缆线、rf阻抗匹配网络、电极、以及等离子体产生室。rf源通过rf传输缆线而连接至rf阻抗匹配网络。rf阻抗匹配网络通过电导体而连接至电极。由rf源所产生的rf功率通过rf传输缆线并且通过rf阻抗匹配网络而传输至电极。从电极所传输的rf功率在等离子体产生室内使处理气体转变成等离子体。在本公开内容中所述的实施方案正是在这种背景下产生。
技术实现思路
1、在一示例性实施方案中，一种接合系统被公开用于rf功率传输系统，该rf功率传输系统被用于等离子体处理室。该接合系统包含被配置成连接至rf信号供应引脚(pin)的第一端子，该rf信号供应引脚被连接至直接驱动式rf信号产生器的一输出端。该接合系统包含被配置成连接至线圈的第二端子。该接合系统包含连接在该第一端子与该第二端子之间的电抗电路。该电抗电路被配置成在从该第一端子到该第二端子的路程中使成形放大方形波形信号转变为成形正弦信号。
2、在一示例性实施方案中，公开一种用于等离子体处理室的rf功率传输系统。该rf功率传输系统包含直接驱动式rf信号产生器、线圈、以及电抗电路。该电抗电路被连接在该直接驱动式rf信号产生器的输出端与该线圈之间。该电抗电路
3、在一示例性实施方案中，一种方法被公开用于将rf功率从直接驱动式rf电源输送到等离子体处理室。该方法包含将成形放大方形波形信号从直接驱动式rf信号产生器的输出端传输至电抗电路。该电抗电路进行操作以使该成形放大方形波形信号转变为成形正弦信号。该方法还包含将该成形正弦信号从该电抗电路的输出端传输至所述等离子体处理室的线圈。该成形正弦信号将rf功率传送到该线圈。该方法还包含调整该电抗电路内的电容设定，以使高峰量的rf功率从该直接驱动式rf信号产生器通过该电抗电路而传输至该线圈。
4、所述实施方案的其他方面与优点通过下列详细说明和附图而变得更加明显。
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1.一种用于射频功率传输系统的接合系统，所述射频功率传输系统用于等离子体处理室，所述接合系统包含：
2.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路提供在从约-2500欧姆延伸到约-10欧姆的范围内的电抗。
3.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路是在所述第一端子与所述第二端子之间提供在从约2500皮法延伸到约4500皮法的范围内的电容。
4.根据权利要求3所述的接合系统，其中所述直接驱动式射频信号产生器被配置成供应具有约2百万赫的频率的所述成形放大方形波形信号。
5.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路包含相互并联连接的可变电容器与固定电容器。
6.根据权利要求5所述的接合系统，其中所述可变电容器的电容设定可在从约100皮法延伸到约2000皮法的范围内进行调整。
7.根据权利要求5所述的接合系统，其中所述固定电容器的电容在从约2000皮法延伸到约3500皮法的范围内。
8.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路在所述第一端子与所述第二端子之间提供在从约5皮法延伸到约
9.根据权利要求8所述的接合系统，其中所述直接驱动式射频信号产生器被配置成供应具有约13.56百万赫的频率的所述成形放大方形波形信号。
10.根据权利要求8所述的接合系统，其还包含：
11.根据权利要求10所述的接合系统，其中所述电容器具有在从约200皮法延伸到约500皮法的范围内的电容。
12.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述第二端子被连接至所述线圈的多个独立绕组。
13.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路包含可变电容器，且其中所述接合系统包含连接至所述可变电容器的电容设定控制件，所述电容设定控制件能够进行所述可变电容器的电容设定的调整。
14.根据权利要求13所述的接合系统，其中所述电容设定控制件包含步进马达，通过对所述步进马达的电控制信号的传输，所述步进马达能够进行所述可变电容器的所述电容设定的调整。
15.根据权利要求1所述的接合系统，其还包含：
16.一种用于等离子体处理室的射频功率传输系统，其包含：
17.根据权利要求16所述的射频功率传输系统，其中所述电抗电路包含可变电容器，所述可变电容器具有电容设定以使高峰量的射频功率从所述直接驱动式射频信号产生器通过所述电抗电路而传输至所述线圈。
18.根据权利要求16所述的射频功率传输系统，其中所述电抗电路被配置成基本上抵消经由所述线圈而与所述直接驱动式射频信号产生器所连接的负载的电感部分，以使得所述负载主要为电阻性负载。
19.根据权利要求16所述的射频功率传输系统，其中所述直接驱动式射频信号产生器具有非50欧姆输出阻抗。
20.根据权利要求16所述的射频功率传输系统，其中所述电抗电路被配置成去除所述成形放大方形波形信号的非基本谐波分量。
21.根据权利要求16所述的射频功率传输系统，其中所述成形放大方形波形信号具有约2百万赫的频率，且所述电抗电路在所述直接驱动式射频信号产生器的所述输出端与所述线圈之间提供在从约2500皮法延伸到约4500皮法的范围内的电容，或
22.一种将射频功率从直接驱动式射频电源输送到等离子体处理室的方法，其包含：
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述直接驱动式射频信号产生器具有非50欧姆输出阻抗。
24.根据权利要求22所述的方法，其中所述电容设定的调整基本上抵消经由所述线圈而与所述直接驱动式射频信号产生器所连接的负载的电感部分，以使得所述负载主要为电阻性负载。
25.根据权利要求22所述的方法，其中调整所述电容设定的步骤去除所述成形放大方形波形信号的非基本谐波分量。
26.根据权利要求22所述的方法，其中所述成形放大方形波形信号具有约2MHz的频率，且所述电容设定在从约2500pF延伸到约4500pF的范围内进行调整，或
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于射频功率传输系统的接合系统，所述射频功率传输系统用于等离子体处理室，所述接合系统包含：
2.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路提供在从约-2500欧姆延伸到约-10欧姆的范围内的电抗。
3.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路是在所述第一端子与所述第二端子之间提供在从约2500皮法延伸到约4500皮法的范围内的电容。
4.根据权利要求3所述的接合系统，其中所述直接驱动式射频信号产生器被配置成供应具有约2百万赫的频率的所述成形放大方形波形信号。
5.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路包含相互并联连接的可变电容器与固定电容器。
6.根据权利要求5所述的接合系统，其中所述可变电容器的电容设定可在从约100皮法延伸到约2000皮法的范围内进行调整。
7.根据权利要求5所述的接合系统，其中所述固定电容器的电容在从约2000皮法延伸到约3500皮法的范围内。
8.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路在所述第一端子与所述第二端子之间提供在从约5皮法延伸到约1000皮法的范围内的电容。
9.根据权利要求8所述的接合系统，其中所述直接驱动式射频信号产生器被配置成供应具有约13.56百万赫的频率的所述成形放大方形波形信号。
10.根据权利要求8所述的接合系统，其还包含：
11.根据权利要求10所述的接合系统，其中所述电容器具有在从约200皮法延伸到约500皮法的范围内的电容。
12.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述第二端子被连接至所述线圈的多个独立绕组。
13.根据权利要求1所述的接合系统，其中所述电抗电路包含可变电容器，且其中所述接合系统包含连接至所述可变电容器的电容设定控制件，所述电容设定控制件能够进行所述可变电容器的电容设定的调整。
14.根据权利要求13所述的接合系统，其中所述电容设定控制件包含步进马达，通过对所述步进马达...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大·米勒·帕特森，迈克尔·约翰·马丁，王雨后，约翰·德鲁厄里，尼马·拉斯特加尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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