【技术实现步骤摘要】
本公开涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及用于剥离光致抗蚀剂或者以高选择性从衬底选择性地去除膜的衬底处理系统。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、可以使用衬底处理系统来剥离诸如半导体晶片之类的衬底上的光致抗蚀剂。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入处理室，并且可以使用射频(rf)等离子体来激活化学反应。
3、基于等离子体的剥离技术通常使用自由基物质来去除光致抗蚀剂层。衬底处理系统可以使用电容耦合等离子体(ccp)或电感耦合等离子体(icp)以在衬底上方直接产生自由基。ccp和icp工艺通常在执行等离子体蚀刻工艺之后，用于原位光致抗蚀剂剥离。这些工艺的优点包括在没有真空破坏的情况下进行剥离和相对高的去除速率。然而，由直接等离子体产生的离子或真空紫外(v...
【技术保护点】
1.一种衬底处理系统，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，还包括：
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中：
4.根据权利要求2所述的衬底处理系统，其中所述双气体分配腔布置在与包括所述凸缘的平面平行且垂直间隔开的平面中。
5.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述多个连接气体通道中的相邻通道彼此平行地布置。
6.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中：
7.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中所述多排包括布置在另外两排之间且没有所述多个连接气体通道之一介入的至少一排。
<...【技术特征摘要】
1.一种衬底处理系统，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，还包括：
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中：
4.根据权利要求2所述的衬底处理系统，其中所述双气体分配腔布置在与包括所述凸缘的平面平行且垂直间隔开的平面中。
5.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述多个连接气体通道中的相邻通道彼此平行地布置。
6.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中：
7.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中所述多排包括布置在另外两排之间且没有所述多个连接气体通道之一介入的至少一排。
8.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中所述多排包括布置在另外两排之间而没有所述第一多个通孔之一介入的至少一排。
9.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中所述多排在平行于所述多个气体连接通道的长度方向的方向上彼此偏移。
10.根据权利要求6所述的衬底处理系统，其中在所述多个连接气体通道中的相邻通道之间延伸的所述多排包括七排。
11.根据权利要求2所述的衬底处理系统，其中所述凸缘中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨登亮，方浩权，大卫·张，吉那那玛尼·安布罗斯，恩苏克·科，罗伟义，张丹，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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