等离子处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化；高频电源（55），对基台（21）供给高频电力；环状且为板状的保护构件（31），形成为环状且为板状，构成为可载置在基台（21）的外周部，并且当载置在基台（21）的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基板（K）的外周侧缘部上表面；支撑构件（35），支撑保护构件（31）；及升降气缸（30），使基台（21）升降。在保护构件（31）的下表面上形成设置在节圆上的至少3个第1突起（33），当保护构件（31）载置在基台（21）上时，所述第1突起（33）与基台（21）的外周部卡合，且该节圆的中心与保护构件（31）的中心轴在同一轴上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种向处理腔室内供给特定的处理气体进行等离子化、且利用经过等离子化的处理气体对处理腔室内的基板进行处理的等离子处理装置。
技术介绍
作为等离子处理的一例，有蚀刻处理。该蚀刻处理是通过以下方式实施，即，将成为蚀刻对象的基板载置在配置在处理腔室内的基台上后，向所述处理腔室内供给蚀刻气体进行等离子化，并且对所述基台提供偏压电位。然而，在成为蚀刻对象的基板中有未在基板的外周侧缘部上表面形成抗蚀膜的基板，在这种情况下，基板的外周侧缘部上表面的未形成抗蚀膜的部分会被蚀刻。而且，以往，作为可防止这种异常的装置，例如有如图8及图9所示的等离子蚀刻用夹具100(參照日本 专利特开2007-150036号公报)。如该图8及图9所示，该等离子蚀刻用夹具100包括环状的构件，且与基板K的外径相比，内径形成得较大，且包括收容部101，将基板K收容在环内部；抵接部102，形成在该收容部101的内侧，且可与基板K的外周端部上表面抵接；及突出部103，以从该抵接部102向内侧突出的方式形成，且设置在与基板K的上表面隔有间隔的上方位置。根据该等离子蚀刻用夹具100，在蚀刻基板K时，由于以抵接部102抵接在基板K的外周端部上表面的方式配置该夹具100，且基板K的外周侧缘部上表面由突出部103及抵接部102覆盖，所以可防止因对基台105提供的偏压电位而使离子入射至基板K的外周侧缘部上表面，从而可防止基板K的外周侧缘部上表面被蚀刻。然而，如果将所述等离子蚀刻用夹具100配置在基板K的上表面，那么在基板K的外周侧缘部上表面的由所述突出部103覆盖的部分的附近，难以均匀地施加偏压电位，因此，离子容易倾斜地入射至基板K，而不是垂直地入射，如图12所示，通过蚀刻而形成的孔H或沟槽H的侧壁不与基板K垂直，例如以倾斜角度α或β倾斜，从而存在无法获得高精度的蚀刻形状的问题。另外，在图12中，以实线表示倾斜时的侧壁，以两点链线表示垂直时的侧壁。另外，符号M表示遮罩。因此，所述等离子蚀刻用夹具100必须以与基台105及基板K成为同轴的方式高精度地配置。即，如图8至图11所示，即便在基板K的外周端、与从该外周端只以一定尺寸d靠近内侧的部分之间只能获得低精度的蚀刻形状，但是当对与所述只以一定尺寸d靠近内侧的部分相比更靠中心侧的区域R ( Φ 的区域)要求高精度的蚀刻形状时，如果该夹具100的配置精度较低，那么存在所述区域R、与位于由夹具100 (所述突出部103)覆盖的部分的附近且无法获得高精度的蚀刻形状的区域S重合的情況，且即便为所述区域R，也有只能获得低精度的蚀刻形状的情況，因此，所述夹具100必须以与基台105及基板K成为同轴的方式高精度地配置。另外，图8及图9表示等离子蚀刻用夹具100的配置精度较高时的情況，图10及图11表示等离子蚀刻用夹具100的配置精度较低时的情況。因此，本案专利技术者等人提出了如图13及图14所示的蚀刻装置作为可使覆盖基板K的外周侧缘部上表面的构件的定位精度提升的蚀刻装置。如该图13及图14所示，该蚀刻装置100包括如下等部件而构成具有闭塞空间的处理腔室11、保持成为蚀刻对象的硅基板K的基板保持装置80、使基板保持装置80的基台81升降的升降气缸85、覆盖由基板保持装置80保持的硅基板K的外周侧缘部上表面的保护构件90、支撑保护构件90的支撑体91、减小处理腔室11内的压カ的排气装置40、将处理气体供给至处理腔室11内的气体供给装置45、将供给至处理腔室11内的处理气体等离子化的等离子生成装置50、及对基板保持装置80的电极82供给高频电カ的高频电源55。所述处理腔室11包括具有相互连通的内部空间的圆筒状的下部容器12及上部容器13，上部容器13形成为小于下部容器12，且配设在下部容器12的上表面中央部。而且，在下部容器12的底面立设着2个定位销19。所述基板保持装置80包括基台81，包括呈圆板状的电极82、及形成在电极82的上表面且在上表面载置硅基板K的绝缘体83 ;及直流电源84，对电极82施加直流电压；且 通过利用直流电源84对电极82施加直流电压，而使硅基板K与绝缘体83之间产生吸附力，从而吸附并保持硅基板K。所述电极82及绝缘体83是以与载置在绝缘体83上的硅基板K相比外周部更向外侧突出的方式，形成为外径大于硅基板K的外径。另外，所述基台81配置在所述下部容器12内。所述升降气缸85连接于所述电极82的下表面，且使所述基台81在上升端位置与下降端位置(待机位置)之间升降。所述保护构件90形成为环状且为板状，且构成为可载置在所述基台81 (绝缘体83)的外周部。而且，该保护构件90载置在基台81的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基台81上的硅基板K的外周侧缘部上表面。所述支撑体91包括环状且为板状的下部构件92，配置在所述保护构件90的下方，且载置在下部容器12的底面；及棒状的连接构件94，将下部构件92的上表面与保护构件90的下表面连接；且在所述上升端位置与下降端位置之间支撑保护构件90。而且，在所述下部构件92中，在以该下部构件92的中心为基准相隔180°的位置上形成着上下贯穿且与所述定位销19卡合的2个贯穿孔93。所述排气装置40包括排气泵41、及将排气泵41与下部容器12的侧面连接的排气管42，经由排气管42而排出下部容器12内的气体，从而使处理腔室11的内部成为特定压力。所述气体供给装置45包括气体供给部46，供给包含蚀刻气体的气体作为所述处理气体；及供给管47，将气体供给部46与上部容器13的上表面连接；且从气体供给部46经由供给管47而将处理气体供给至上部容器13内。所述等离子生成装置50包括上下地并排设置在上部容器13的外周部的多个环状的线圈51、及对各线圈51供给高频电カ的高频电源52，通过利用高频电源52对线圈51供给高频电力，而将供给至上部容器13内的处理气体等离子化。通过所述高频电源55对所述电极82供给高频电力，而使该电极82与处理腔室11内的等离子之间产生电位差(偏压电位)。而且，根据以如上方式构成的蚀刻装置100，利用排气装置40对处理腔室11内进行减压，且将硅基板K载置在位于下降端位置的基台81上后，利用直流电源84对电极82施加直流电压，而吸附并保持硅基板K，之后，利用升降气缸85使基台81从下降端位置朝上升端位置上升。在该上升过程中，保护构件90载置在基台81上，硅基板K的外周侧缘部上表面由保护构件90的内周侧缘部覆盖，并且，使包括保护构件90及支撑体91的构造体与基台81 —起上升(參照图15)。如果基台81上升至上升端位置，那么利用气体供给装置45将处理气体供给至处理腔室11内，且分别利用各高频电源52、55对线圈51及电极82供给高频电力。所供给的处理气体被等离子化，通过与因该等离子化而生成的自由基产生化学反应、或因等离子化而生成的离子利用偏压电位而入射至硅基板K，而蚀刻硅基板K。另外，由于利用保护构件90防止离子入射至硅基板K的外周侧缘部上表面，所以硅基板K的除该外周侧缘部上表面以外的部分受到蚀刻。之后，如果蚀刻结束，那么利用升降气缸85使基台81从上升端位置朝下降端位置下降，在该下降过程中，下部构件92载置在下部容器12的底面，保护构件90远离基台81(參本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林靖之，富阪贤一，
申请(专利权)人：SPP科技股份有限公司，
类型：
国别省市：