等离子处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化；高频电源（55），对基台（21）供给高频电力；环状且为板状的保护构件（31），形成为环状且为板状，构成为可载置在基台（21）的外周部，并且当载置在基台（21）的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基板（K）的外周侧缘部上表面；支撑构件（35），支撑保护构件（31）；及升降气缸（30），使基台（21）升降。在保护构件（31）的下表面上形成设置在节圆上的至少3个第1突起（33），当保护构件（31）载置在基台（21）上时，所述第1突起（33）与基台（21）的外周部卡合，且该节圆的中心与保护构件（31）的中心轴在同一轴上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种向处理腔室内供给特定的处理气体进行等离子化、且利用经过等离子化的处理气体对处理腔室内的基板进行处理的等离子处理装置。
技术介绍
作为等离子处理的一例，有蚀刻处理。该蚀刻处理是通过以下方式实施，即，将成为蚀刻对象的基板载置在配置在处理腔室内的基台上后，向所述处理腔室内供给蚀刻气体进行等离子化，并且对所述基台提供偏压电位。然而，在成为蚀刻对象的基板中有未在基板的外周侧缘部上表面形成抗蚀膜的基板，在这种情况下，基板的外周侧缘部上表面的未形成抗蚀膜的部分会被蚀刻。而且，以往，作为可防止这种异常的装置，例如有如图8及图9所示的等离子蚀刻用夹具100(參照日本 专利特开2007-150036号公报)。如该图8及图9所示，该等离子蚀刻用夹具100包括环状的构件，且与基板K的外径相比，内径形成得较大，且包括收容部101，将基板K收容在环内部；抵接部102，形成在该收容部101的内侧，且可与基板K的外周端部上表面抵接；及突出部103，以从该抵接部102向内侧突出的方式形成，且设置在与基板K的上表面隔有间隔的上方位置。根据该等离子蚀刻用夹具100，在蚀刻基板K时，由于以抵接部102抵本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：林靖之，富阪贤一，
申请(专利权)人：SPP科技股份有限公司，
类型：
国别省市：