[课题]提供：可以抑制对地球温室效应的影响，并且可以执行吞吐量高的等离子体处理的等离子体处理装置等。[解决方法]本发明的等离子体处理装置100具备：腔室(1)，其在内部生成等离子体；载置台(2)，其配置在腔室内、用于载置基板S；和，气体...

提供一种在不产生异常放电的情况下使等离子体快速点火的等离子体点火方法。本发明所涉及的等离子体点火方法包括：供给工序，向等离子体生成装置具备的腔室(1)内供给处理气体；点火工序，对被供给到腔室内的处理气体照射从半导体激光器(10)射出的激...

提供一种能够防止维护对象以外的机密信息等的泄露并且摄像条件的限制少的维护支援系统等。维护支援系统(100)具备：具备摄像单元的终端(1)；用于以规定的基准点为基准来确定包括维护对象(T)的三维区域(TA)的单元；用于确定初始状态下的摄像...

本发明提供一种能够容易地抑制判定精度的降低的基板处理装置的制造工艺判定装置等。制造工艺判定装置(20)具备：工艺日志获取部(21)，其获取基板处理装置(10)的工艺日志数据；以及判定部(22)，其基于工艺日志数据来制作输入数据，基于输入...

提供一种能够防止除维护对象以外的机密信息等泄露且摄像条件的制约少的维护辅助系统等。维护辅助系统(100)具备：可穿戴式终端(1)，其具有摄像单元(12)；第一确定单元(31)，其以规定的基准点(M)为基准，确定包含维护对象(T)的第一三...

提供一种能够迅速且高精度地检测由基板从静电吸盘脱离时的脱离故障等引起的基板的升降异常的基板升降异常检测装置等。基板升降异常检测装置(100)具备：测定部(2)，其测定与施加于升降机构(4)的载荷具有相关性的参数；以及检测部(3)，其检测...

本发明提供一种半导体基板之制造方法，可在将机械强度维持地较强的状态下形成功率损失低的原件。蚀刻方法是使用电浆化之蚀刻气体来进行蚀刻处理，以仅将配设于处理室(11)内之基台(15)上所载置之宽能隙半导体基板(W)中形成元件之区域加以薄板化...

本发明提供一种基板载置台(15)，其可减轻腔室(11)内的温度等的外部因素影响。配置于电浆处理装置(1)中的腔室(11)内的基板载置台(15)，具备静电夹头(61)与冷却套管(62)，静电夹头(61)由上侧圆盘部(61a)与下侧圆盘部(...

提供一种能够执行稳定的使用等离子体的处理、并且能够高速地执行电源部与等离子体的阻抗的匹配的等离子体控制装置。等离子体控制装置(100)具备电源部(1)、谐振产生部(2)以及电压计(5)。谐振产生部(2)具备：LC电路，其是线圈(L1)与...

本发明有关一种基板蚀刻装置，其可提高所生成等离子平面内密度的均匀性，并对基板表面整体均匀地进行蚀刻。该基板蚀刻装置具备有腔室2，其设定有等离子生成空间3及处理空间4；线圈30，其配设于上腔体部6外侧；基台40，其配设于处理空间4，用以载...

本发明的解决课题在于提供一种可于宽能隙半导体基板形成锥形的凹部的等离子体蚀刻方法。解决手段如下：在宽能隙半导体基板K的表面，形成蚀刻速度大于该宽能隙半导体基板K的高速蚀刻膜E，并于其上形成具有开口部的屏蔽M。然后，将形成有高速蚀刻膜E及...

本发明是关于能更高精度地蚀刻碳化硅基板的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法交替反复进行：第1蚀刻步骤，将碳化硅基板K加热至200℃以上，将SF6气体供给至处理腔室内进行电浆化，对基台供给偏压电位，而对碳化硅基板K进行各向同性蚀刻；第2蚀刻步骤，...

本发明提供一种可防止弯曲形状而形成表面平滑的锥形的蚀刻结构（孔或槽）的等离子体蚀刻方法。实施第一步骤，即，使用氟系气体及氮气，使该些气体同时等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氮气而在硅基板K形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体而...

本发明涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化...

本发明涉及一种利用能够获得低膜厚比例的沉积气体、及能够获得高膜厚比例的沉积气体，形成特定膜厚比例的氧化膜的沉积方法。当在基板（81）表面（不包括孔（87）的侧壁及底面）形成膜厚大于孔（87）底面的膜厚的氧化膜（88）、让形成在基板（81...

本发明涉及一种能够高精度地蚀刻宽带隙半导体基板的等离子蚀刻法。将惰性气体供给到处理腔室内进行等离子化，并且对载置宽带隙半导体基板的基台赋予偏置电位，使由惰性气体的等离子化所产生的离子入射到基台上的半导体基板而加热半导体基板，当半导体基板...