沉积方法技术

本发明专利技术涉及一种利用能够获得低膜厚比例的沉积气体、及能够获得高膜厚比例的沉积气体，形成特定膜厚比例的氧化膜的沉积方法。当在基板（81）表面（不包括孔（87）的侧壁及底面）形成膜厚大于孔（87）底面的膜厚的氧化膜（88）、让形成在基板（81）表面（不包括孔（87）的侧壁及底面）的氧化膜（88）的膜厚与形成在孔（87）底面的氧化膜（88）的膜厚的膜厚比例为特定膜厚比例时，将四乙氧基硅烷及氧混合气体等离子化，形成氧化膜（88a）后，将与四乙氧基硅烷及氧混合气体相比可获得较高膜厚比例的硅烷与一氧化二氮混合气体等离子化，形成氧化膜（88b）。因此，利用由四乙氧基硅烷及氧形成的氧化膜（88a）、及由硅烷及一氧化二氮形成的氧化膜（88b），形成具有特定膜厚比例的氧化膜（88）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种将沉积气体等离子化，在包括孔或者槽的侧壁及底面的基板的表面形成氧化膜的，更详细而言，本专利技术涉及ー种在基板除孔或槽的侧壁及底面以外的表面上形成膜厚比所述孔或槽的底面厚的氧化膜的。
技术介绍
在半导体器件领域，其小型化及薄型化不断发展，作为如此的半导体器件，存在例如图5所示。该图5是图示影像感测器80作为半导体器件的一例，该影像感测器80具有利用接着剂96将硅基板81的背面与玻璃基板95的表面接合的结构。在所述硅基板81的背面形成有摄像部82、及与该摄像部82电性连接的焊盘电极83，且在表面形成有连接端子84、及与该连接端子84电性连接的配线膜85。进而，在硅基 板81中形成有将焊盘电极83与配线膜85电性连接的导通电极86。所述导通电极86是在以焊盘电极83的上表面露出的方式形成在硅基板81的表面的孔87内填充导电材料而构成，且在该孔87的内周面与导通电极86的外周面之间、及除该孔87的部分以外的硅基板81的表面形成有氧化膜(绝缘膜)88。而且，在该氧化膜88的上表面分别形成着所述配线膜85及保护膜89。而且，在如此的影像感测器80中，在硅基板81上形成导通电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：畑下晶保，大石明光，村上彰一，
申请(专利权)人：SPP科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：