挠性半导体装置及其制造方法、使用该挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种挠性半导体装置及其制造方法、使用该挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法。挠性半导体装置的制造方法包括：(i)在金属箔的一个主面上形成绝缘层的工序；(ii)在绝缘层上形成半导体层，并且以与该半导体层相接的方式形成源电极/漏电极的工序；(iii)以覆盖半导体层及源电极/漏电极的方式形成挠性薄膜层的工序；(iv)在挠性薄膜层中形成过孔，由此获得半导体装置前体的工序；以及(v)加工金属箔，从而从该金属箔形成栅电极的工序，在工序(v)中加工金属箔时，将半导体装置前体的过孔中的至少1个过孔用作定位标记，从而在规定位置形成栅电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有挠性的挠性半导体装置及其制造方法。更具体地说，本专利技术涉及能够用作TFT的挠性半导体装置及其制造方法。此外，本专利技术还涉及使用了上述挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法。
技术介绍
伴随着信息终端的普及，作为计算机用的显示器，对平板显示器的需求在升高。此夕卜，伴随着信息化的进一步发展，在现有技术中，通过纸介质提供的信息被电子化的机会在增大。尤其是，最近作为薄且轻的可便于携带的移动显示介质，对电子纸或数码纸的需求也在逐渐升高(专利文献I等)。 通常，在平板显示器中，使用液晶、有机EL(有机电致发光)、利用了电泳等元件来形成显示介质。在上述显示介质中，为了确保画面亮度的均匀性及帧速率等，使用有源驱动元件(TFT元件)作为图像驱动元件的技术已成为主流。例如，在普通的计算机显示器中，在基板上形成这些TFT元件，液晶、有机EL元件等被密封。在此，TFT元件主要可以使用a-Si (非晶硅)、p_Si (多晶硅)等半导体。将这些Si半导体(根据需要还将金属膜也)多层化，在基板上依次形成源极、漏极、栅极，从而制造TFT元件。在形成使用了这种Si材料的TFT元件时，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木武，平野浩一，增田忍，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：