挠性半导体装置及其制造方法、以及使用挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种挠性半导体装置及其制造方法、以及使用挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法。挠性半导体装置的制造方法包括：形成栅电极的工序；与栅电极相接触地形成栅极绝缘膜的工序；按照与栅电极对置的方式在栅极绝缘膜上形成半导体层的工序；与半导体层相接触地形成源电极、漏电极的工序；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成挠性薄膜层的工序；在挠性薄膜层形成通孔的工序；通过在挠性薄膜层上层叠金属箔来形成第1金属层，由此得到半导体装置前体的工序；以及加工第1金属层并由第1金属层的一部分形成布线的工序，在第1金属层的加工时，通过将多个通孔中的至少一个通孔用作定位标记，由此在规定位置处形成布线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有挠性的挠性半导体装置及其制造方法。更具体而言，本专利技术涉及能用作TFT的挠性半导体装置及其制造方法。进而，本专利技术还涉及利用了这样的挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法。
技术介绍
随着信息终端的普及，作为计算机用的显示器而对平板显示器的需求提高了。另夕卜，随着信息化的进一步发展，将现有的以纸介质提供的信息进行电子化的机会也在增加。特别是作为近来薄且轻、能轻松搬运的移动用显示介质而对电子纸或者数字纸的需求也不断提闻(专利文献I等)。 在平板显示器中，一般使用液晶、有机EL(有机电致发光)、利用了电泳等的元件来形成显示介质。在相应的显示介质中，为了确保画面亮度的均匀性、画面重写速度等而使用有源驱动元件(TFT元件)来作为图像驱动元件的技术成为了主流。例如，在通常的计算机显示器中在基板上形成这些TFT元件，并封装了液晶、有机EL元件等。在此，TFT元件主要能利用a-Si (非晶硅)、p_Si (多晶硅)等半导体。通过对这些Si半导体、电极、布线所用的金属材料进行多层化地在基板上形成源电极、漏电极、栅电极，来制造TFT元件。现有技术文献专利文献专利文献I :日本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木武，平野浩一，增田忍，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：