挠性半导体装置及其制造方法、以及使用挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种挠性半导体装置及其制造方法、以及使用挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法。挠性半导体装置的制造方法包括：形成栅电极的工序；与栅电极相接触地形成栅极绝缘膜的工序；按照与栅电极对置的方式在栅极绝缘膜上形成半导体层的工序；与半导体层相接触地形成源电极、漏电极的工序；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成挠性薄膜层的工序；在挠性薄膜层形成通孔的工序；通过在挠性薄膜层上层叠金属箔来形成第1金属层，由此得到半导体装置前体的工序；以及加工第1金属层并由第1金属层的一部分形成布线的工序，在第1金属层的加工时，通过将多个通孔中的至少一个通孔用作定位标记，由此在规定位置处形成布线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有挠性的挠性半导体装置及其制造方法。更具体而言，本专利技术涉及能用作TFT的挠性半导体装置及其制造方法。进而，本专利技术还涉及利用了这样的挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法。
技术介绍
随着信息终端的普及，作为计算机用的显示器而对平板显示器的需求提高了。另夕卜，随着信息化的进一步发展，将现有的以纸介质提供的信息进行电子化的机会也在增加。特别是作为近来薄且轻、能轻松搬运的移动用显示介质而对电子纸或者数字纸的需求也不断提闻(专利文献I等)。 在平板显示器中，一般使用液晶、有机EL(有机电致发光)、利用了电泳等的元件来形成显示介质。在相应的显示介质中，为了确保画面亮度的均匀性、画面重写速度等而使用有源驱动元件(TFT元件)来作为图像驱动元件的技术成为了主流。例如，在通常的计算机显示器中在基板上形成这些TFT元件，并封装了液晶、有机EL元件等。在此，TFT元件主要能利用a-Si (非晶硅)、p_Si (多晶硅)等半导体。通过对这些Si半导体、电极、布线所用的金属材料进行多层化地在基板上形成源电极、漏电极、栅电极，来制造TFT元件。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2007-67263号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题随着显示器的大型化，搭载了多个TFT元件的TFT基板也要求大型化，但基板越大型化，布线电阻的增大所带来的电压降就越成问题。若为了避免该问题来加厚布线的厚度，则会产生如下课题在通常的TFT元件基板制作所用到的真空成膜工艺中，成膜时间增大从而生产率变差，制造成本急剧增大。本申请专利技术者针对上述的挠性半导体装置的课题，不是沿袭现有技术的方向来对应，而是以新的方向应对来尝试解决这些课题。本专利技术鉴于这些事实，其主要目的在于提供生产率优越的挠性半导体装置的制造方法，另外，提供随之带来的高性能的挠性半导体装置。进而，还在于提供这样的挠性半导体装置被层叠而构成的图像显示装置的制造方法，以及提供随之带来的高性能的图像显示装置。用于解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术提供一种挠性半导体装置，构成为具有栅电极；形成于栅电极上的栅极绝缘膜；按照与栅电极对置的方式形成于栅极绝缘膜上的半导体层；与半导体层相接触地设置的源电极、漏电极；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成的挠性薄膜层；以及形成于挠性薄膜层上的第I金属箔，由第I金属箔的一部分构成布线，另外，在挠性薄膜层中，多个通孔沿其厚度方向延伸，该多个通孔中的至少一个通孔是定位标记(对位标记)。在本说明书中使用的“挠性半导体装置”的“挠性”这一术语实质上表示半导体装置具有可弯曲的挠性。而且，本专利技术中所谓的“挠性半导体装置”有时鉴于其所具有的构成等，还能称为“挠性半导体设备”或者“挠性半导体元件”。另外，在本说明书中使用的“多个通孔”的“多个”实质上指的是，在常规的挠性半导体装置(例如TFT元件)中通常使用的通孔的个数。具体的个数根据挠性半导体装置(TFT元件)的应用而不同。以图像显示装置为例，一般的图像显示装置的像素数例如是76800(320X240)个 约3500万(8192X4320)个左右，因此若考虑I个像素中有2个通孔的情况，则通孔的个数约为15万个 7000万个。本专利技术的挠性半导体装置的特征之一是，多个通孔中的至少一个成为定位标记 (alignment marker)。在此，本专利技术中所谓的“定位”是指，针对构成挠性半导体装置的各种要素的相对性位置关系、或与挠性半导体装置关联的各种要素的相对性位置关系的校准(对位)。在某优选形态下，挠性半导体装置中，在半导体层的下方具有第2金属箔，且在该第2金属箔之上具有绝缘层，从而栅电极由第2金属箔的一部分构成，且栅极绝缘膜由绝缘层的一部分构成。换言之，该形态的挠性半导体装置构成为具有第2金属箔；形成于第2金属箔之上的绝缘层；形成于绝缘层之上的半导体层；在绝缘层上与半导体层相接触地设置的源电极、漏电极；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成的挠性薄膜层；以及形成于挠性薄膜层上的第I金属箔，由第I金属箔的一部分构成布线，由绝缘层的一部分构成栅极绝缘膜，而且，由第2金属箔的一部分形成栅电极，另外，在挠性薄膜层中，多个通孔沿其厚度方向延伸，这些多个通孔中的至少一个通孔成为定位标记(对位标记)。在某优选形态下，定位标记形成为由至少两个通孔构成的组。也就是，由至少两个通孔构成的集合体构成为实质的定位标记。在另一优选形态下，多个通孔中的至少一个通孔在其厚度方向上具有锥形形状。也就是，作为定位标记的通孔在其厚度方向上具有锥形形状。在又一优选形态下，多个通孔中的至少一个通孔从挠性薄膜层的一个主面侧起延伸至另一个主面侧。具体而言，作为定位标记的通孔按照从挠性薄膜层的一个主面侧起延伸至另一个主面侧的方式贯通该薄膜层地延伸。在又一优选形态下，至少一个通孔由含有金属的导电性部件构成。提供了作为这种定位标记的通孔的挠性半导体装置例如能按以下进行规定构成为具有栅电极；形成于栅电极上的栅极绝缘膜；按照与栅电极对置的方式形成于栅极绝缘膜上的半导体层；与半导体层相接触地设置的源电极、漏电极；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成的挠性薄膜层；以及形成于挠性薄膜层上的第I金属箔，由第I金属箔的一部分构成布线，另外，在挠性薄膜层中，多个通孔沿其厚度方向延伸，另外，在这些多个通孔中的至少一个通孔的设置地方去除了金属箔。即使是该规定的形态，也优选在设置第2金属箔的情况下，挠性半导体装置构成为在半导体层的下方具有第2金属箔，且在该第2金属箔之上具有绝缘层，由此栅电极由第2金属箔的一部分构成，且栅极绝缘膜由绝缘层的一部分构成。在设置该第2金属箔的形态下的挠性半导体装置构成为具有第2金属箔；形成于第2金属箔之上的绝缘层；形成于绝缘层之上的半导体层；在绝缘层上与半导体层相接触地设置的源电极、漏电极；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成的挠性薄膜层；以及形成于挠性薄膜层上的第I金属箔，由第I金属箔的一部分构成布线，由绝缘层的一部分构成栅极绝缘膜，而且，由第2金属箔的一部分形成栅电极，另外，在挠性薄膜层中，多个通孔沿其厚度方向延伸，在多个通孔中的至少一个通孔的设置地方去除了所述第I金属箔。在本专利技术的挠性基板的某形态下，金属箔形成了金属层。也就是，本专利技术的挠性半导体装置可以按下述方式规定一种挠性半导体装置，其特征在于，构成为具有栅电极；形成于栅电极上的栅极绝缘膜；按照与栅电极对置的方式形成于栅极绝缘膜上的半导体层；与半导体层相接触地设置的源电极、漏电极；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成的挠性薄膜层；以及形成于挠性薄膜层上的第I金属层，由第I金属层的一部分构成布线，另外，在挠性薄 膜层中，多个通孔沿其厚度方向延伸，该多个通孔中的至少一个通孔是定位标记。一种挠性半导体装置，其特征在于，构成为具有栅电极；形成于栅电极上的栅极绝缘膜；按照与栅电极对置的方式形成于栅极绝缘膜上的半导体层；与半导体层相接触地设置的源电极、漏电极；按照覆盖半导体层以及源电极、漏电极的方式形成的挠性薄膜层；以及形成于挠性薄膜层上的第I金属层，由第I金属层的一部分构成布线，另外，在挠性薄膜层中，多个通孔沿其厚度方向延伸，在该多个通孔中的至少一个通孔的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木武，平野浩一，增田忍，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：