【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于碳基集成电路制造
,具体涉及一种在石墨烯表面生长均匀的高k介质的方法。
技术介绍
在半导体制造领域,摩尔定律的不断延展与纵深使得硅基集成电路器件尺寸距离其物理极限越来越近,逐渐达到其材料加工极限一10纳米线宽,而硅基集成电路在11纳米后面临着电流传输损耗,量子效应,热效应等挑战,因此很难生产出性能稳定、集成度更闻的广品。在2004年,一种新材料-石墨烯(Graphene)的发现让人们看见了曙光。石墨 烯(Graphene)是由单层六角元胞碳原子组成的蜂窝状二维晶体,是石墨中的一层。图I所示为石墨烯的结构示意图。石墨烯具有远比硅高的载流子迁移率,对于零禁带宽度的石墨烯施加电场,进行掺杂或者制备成石墨烯纳米带等处理,可以打开石墨烯的禁带,使得它成为一种性能优异的半导体材料,石墨烯被认为是下一代集成电路中有望延续摩尔定律的重要材料。石墨烯表现出的高电子迁移率的特性使其最早被应用在高频器件中,但是,如何在石墨烯上生长出高质量高均匀性的高k介质却成为石墨烯广泛应用于高频器件的一大挑战。作为生长高k介质方法中的一种,使用薄的有机物涂层作为生长高k介质的缓冲层,是一种简洁和新颖的方法,将进一步推动碳基集成电路的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种适用于石墨烯上生长均匀高k介质的方法,这种高k介质的生长方法可以在未来超越硅材料后的碳基大规模集成电路制造中获得全面应用。本专利技术提出的石墨烯上生长高k介质的方法,具体步骤包括 提供需要生长高k介质的石墨烯薄膜; 将罗丹明(Rhodamine)溶于乙醇中,配制得到有机缓冲层溶液;溶液浓度为l ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在石墨烯表面生长高k介质的方法,其特征在于具体步骤为 提供需要生长高k介质的石墨烯薄膜; 将罗丹明溶于乙醇中,配制得到有机缓冲层溶液;溶液浓度为lmg/ml-5 mg/ml ; 将所述石墨烯层样品浸泡于上述有机缓冲层溶液中,浸泡的时间为25-35分钟,然...
【专利技术属性】
技术研发人员:周鹏,沈于兰,孙清清,王鹏飞,张卫,
申请(专利权)人:复旦大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。