等离子体蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种可防止弯曲形状而形成表面平滑的锥形的蚀刻结构（孔或槽）的等离子体蚀刻方法。实施第一步骤，即，使用氟系气体及氮气，使该些气体同时等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氮气而在硅基板K形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体而对硅基板K进行蚀刻，之后，实施第二步骤，即，使用氟系气体及氧系气体，使该些气体同时等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氧系气体而在硅基板K形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体对硅基板K进行蚀刻，从而在硅基板K形成上部开口宽度较宽且底部宽度较窄的锥形的蚀刻结构H（孔或槽）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种使特定的处理气体等离子体化而对硅基板进行蚀刻，在该硅基板形成上部开口宽度较宽且底部宽度较窄的锥形(前端渐细状)的蚀刻结构(锥形蚀刻结构)的。
技术介绍
存在如下情形，即藉由对硅基板进行蚀刻而形成的蚀刻结构(孔或槽)的侧壁如图3 (b)所示般，并非垂直而为带有倾斜地形成上部开口宽度变宽且底部宽度变窄的锥形。而且，作为在硅基板上形成此种锥形蚀刻结构的蚀刻方法，先前已知有例如日本专利特开平2-89310号公报中所揭示者。该蚀刻方法是使用溴化氢及氧的混合气体作为蚀刻气体，使该混合气体等离子体化而对硅基板进行蚀刻。 该蚀刻方法中，藉由氧气的等离子体化而在硅基板形成作为抗蚀刻层的氧化膜，并藉由溴化氢气体的等离子体化而对硅基板进行蚀刻，故而一面藉由氧化膜保护蚀刻结构的侧壁，一面进行蚀刻，藉此，藉由蚀刻而形成的蚀刻结构成为锥形。日本公开公报日本专利特开平2-89310号公报
技术实现思路
然而，若如所述先前的蚀刻方法般，利用藉由使氧气等离子体化而在硅基板上形成的氧化膜保护侧壁，则在硅基板的深度方向上易于进行蚀刻，相对于此，在如对屏蔽正下部基蚀般的硅基板的宽度方向上难以进行蚀刻。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池本尚弥，山本孝，野沢善幸，
申请(专利权)人：SPP科技股份有限公司，
类型：
国别省市：