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本发明提供一种可防止弯曲形状而形成表面平滑的锥形的蚀刻结构（孔或槽）的等离子体蚀刻方法。实施第一步骤，即，使用氟系气体及氮气，使该些气体同时等离子体化，并且一面藉由等离子体化的氮气而在硅基板K形成抗蚀刻层，一面藉由等离子体化的氟系气体而对硅...
该专利属于SPP科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过SPP科技股份有限公司授权不得商用。

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