本发明专利技术涉及对处理腔室进行气体传送的方法与设备。在某些具体实施例中，处理基板设备包含流量控制器以提供所需的总气体流量；第一流量控制歧管，该第一流量控制歧管包含第一入口、第一出口、及选择性连接于其间的多个第一孔，其中该第一入口连接至该流量控制器；以及第二流量控制歧管，该第二流量控制歧管包含第二入口、第二出口、及选择性连接于其间的多个第二孔，其中该第二入口连接至该流量控制器。其中通过选择性使流体流经该第一歧管的该多个第一孔中的一或更多第一孔以及该第二歧管的该多个第二孔中的一或更多第二孔而可选择性获得在该第一出口与该第二出口之间的所需流量比例。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的具体实施例大体涉及基板处理。
技术介绍
超大型积体(ULSI)电路包含了形成于半导体基板(例如硅(Si)基板)上、且共同运作以执行组件内各种功能的ー个以上的电子组件(例如晶体管)。在晶体管与其它电子组件制造中常使用等离子体蚀刻；在用以形成这些晶体管结构的等离子体蚀刻处理期间，将ー或更多种处理气体(蚀刻剂)提供至一理腔室，该处理腔室中系置有基板以蚀刻一或 更多层材料。在某些蚀刻处理期间，将该一或更多种气体提供至处理腔室内两个或两个以上的区域。在这些应用中，使用主动式流量控制器(例如流量侦测器与基于侦测流量而受控制的流量控制器)来主动控制提供至处理腔室区域的一或更多种气体的流量。然而，专利技术人观察到在某些应用中，主动控制组件无法指示出測量流量在分流器控制路径下游中的突然变化，专利技术人相信这与气体混合及吸热、放热反应时所发生的热反应有关，导致主动式流量侦测器会错误确定流量。此情形会因在不需校正时试图校正气体流量而不合意地导致产量变化或失败，并在处理控制器预设处理腔室为失去控制时进ー步导致处理腔室的中断。此外，专利技术人也进ー步观察到主动式流量比例控制器中的一般处理偏差。或者是，可利用固定孔的组合来试图控制提供至处理腔室区域之一或更多种气体的流量。然而，专利技术人已观察到这些固定孔组件尚无法有效针对具有动态(例如变化)比例需求的处理来提供多种流量比例。因此，专利技术人提出了控制气体流量的改良方法与设备。
技术实现思路
本文提供了对ー处理腔室进行气体传送的方法与设备。在某些具体实施例中，处理基板设备包含流量控制器以提供所需的总气体流量；第一流量控制歧管，该第一流量控制歧管包含第一入口、第一出口、及选择性连接于该第一入口与该第一出口之间的多个第一孔，其中该第一入口连接至该流量控制器；以及第二流量控制歧管，该第二流量控制歧管包含第二入ロ、第二出口、及选择性连接于该第二入ロ与该第二出ロ之间的多个第二孔，其中该第二入口连接至该流量控制器。其中通过选择性使流体流经该第一歧管的该多个第一孔中的一或更多第一孔以及该第二歧管的该多个第二孔中的一或更多第二孔而可选择性获得在该第一出口与该第二出ロ之间的所需流量比例。在某些具体实施例中，一种用于控制对多个气体传送区域之气体分布的方法系包含选择第一气体传送区域与第二气体传送区域之间的所需气体的所需流量比例；自选择性连接至该第一气体传送区域的多个第一孔中确定第一选择集合，且自选择性连接至该第ニ气体传送区域的多个第二孔中确定第二选择集合，以便可提供该所需流量比例；以及使该所需气体通过该第一与第二选择集合的孔而流至该第一与第二气体传送区域。对本专利技术之其它与进一歩具体实施例说明如下。附图说明以上简述的本专利技术具体实施例将于本文中详细说明，可參照附图中所描述的本专利技术具体实施例来加以了解。然应注意，附图仅说明了本专利技术的一般具体实施例，因此其不应被视为对专利技术范围的限制；本专利技术允许有其它等效的具体实施例。图I说明根据本专利技术某些具体实施例的示例气体分布系统的示意图。图2A-2C分别说明了根据本专利技术某些具体实施例、与图I的气体分布系统连接的气体传送区域的部分示意图。图3说明了根据本专利技术某些具体实施例的用于使气体分为所需流量比例的流程图。图4说明了根据本专利技术某些具体实施例的用于使气体分为所需流量比例的流程 图。图5说明了根据本专利技术某些具体实施例的用于使气体分为所需流量比例的流程图。图6说明了适合与本专利技术的具体实施例一起使用的控制器。为助于理解，已尽可能使用相同的组件符号来表示图式中相同的组件；这些图式并未按比例绘制，且已经简化以求清晰。应了解ー个具体实施例的组件与特征可有利地合并于其它具体实施例中，而无须进ー步说明。具体实施例方式本专利技术的具体实施例提供了一种用于传送气体至腔室的气体分布系统与其使用方法。本专利技术设备与方法系有利地以所需流量比例对处理腔室提供气体传送。该设备以被动方式提供、而未使用主动式流量控制。特别是，本专利技术设备利用排列在两流量控制歧管中的多个精确孔，该流量控制歧管可选择性地连接于气体来源与所需气体传送区域之间。本专利技术的具体实施例更提供了确定正确孔大小的方法以被动地保持气阻流动条件供适当传导控制来利用，同时选择孔大小以被动地保持上游压カ为够低以避免低蒸汽压カ气体在上游凝結。因此，本专利技术方法与设备系有利地提供及选择孔的大小以得到所需流量比例，且可进ー步助于在各孔间的选择以同时针对气体流量的特定组合提供气阻流动条件，并使上游压カ达最小以避免低蒸汽压カ气体的相态改变，且可进ー步在无法达到特定比例时提供指示，无论是因无法保持气阻流动所致、或是因超过为避免流过气体分布系统的处理气体的相态改变所需的上游压カ所致。本专利技术的具体实施例提供了一种气体分布系统，该气体分布系统被动地将流经其间的气体分为所需流量比例。该设备系基于通过孔的流量系直接与截面积成比例的基本原理，当气体流在两孔(其中一者的截面积为另ー者的两倍大)之间分流时，流量的比例即2 I。然而，该原理系基于两孔都有同样的上游与下游压力。在本专利技术中，连接至设备的不同气体传送区域(例如喷淋头、不同处理腔室等的区域)会具有不同的传导率或流动阻力，因此下游压カ可能会不一样。在某些具体实施例中，专利技术人已经通过将该设备设计为总是在气阻流动条件(例如上游压カ等于下游压カ的至少两倍)下操作而消除了此问题；若流动产生气阻，则流量将仅为上游压カ的函数。举例而言，图I说明了根据本专利技术某些具体实施例的示例气体分布系统100的示意图。虽然在图I中所描述的系统基本上是与将ー气体流量提供至两个气体传送区域(例如126、128)有关，但该系统系可根据本文所掲示的原理而扩充为可对其他气体传送区域(例如142，如虚线所示)提供气体流量。该气体分布系统100 —般包含一或更多流量控制器(图中图示出ー个流量控制器104)、第一流量控制歧管106、与第二流量控制歧管108 (其它流量控制歧管系以类似于本文所述般配置，如以虚线表示的组件140)。流量控制器104—般系连接至气体分布平板102，该气体分布平板102提供了一或更多气体或气相混合物(在本文中以及在申请专利范围皆统称为“气体”)。流量控制器104控制气体通过气体分布设备100的总流率，且其连接至第一与第二流量控制歧管106、108两者的各别入口处。虽仅图示出ー个流量控制器104，但可有多个流量控制器连接至气体分布平板102，以 測量来自气体分布平板102的各别处理气体。所述ー或更多流量控制器104的输出一般系于分流及引导至各流量控制歧管(例如106、108)前即连接(例如馈入共同导管、混合器、风管等或其组合中)。 第一流量控制歧管106包含多个第一孔110与多个第一控制阀112，该多个第一孔110与多个第一控制阀112连接于第一流量控制歧管106的入口 114与出口 116之间。多个第一控制阀112系选择性开启或关闭，以选择性地使多个第一孔110中一或更多者连接至流量控制器104的输出(例如使气体从流量控制器104流经选择的第一孔110)。同样地，第二流量控制歧管108包含多个第二孔118与多个第二控制阀120，该多个第二孔118与多个第二控制阀120连接于第二流量控制歧管108的入口 122与出口 124之间。多个第二控制阀120本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·P·克鲁斯，伊兹拉·罗伯特·高德，杰瑞德·阿哈默德·里，明·徐，克里·林恩·柯布，安德鲁·源，约翰·W·雷恩，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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