【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括高温臭氧处理的用于制备纳米多孔超低介电薄膜的方法以及由所述方法制备得到的纳米多孔超低介电薄膜；更具体来说，本专利技术涉及一种通过在制备所述超低介电薄膜时在热处理过程中实施臭氧处理，并且使所述臭氧处理的施行温度优化，来改善在制备的超低介电薄膜中的微孔的大小和微孔的分布，从而制备具有低介电常数、高机械强度和高弹性模量的纳米多孔超低介电薄膜的方法，以及由该方法制备得到的纳米多孔超低介电薄膜。
技术介绍
观察世界的半导体市场规模后，知道非存储用半导体市场占全球半导体市场份额 的78%，且其规模有持续增长的趋势。与存储用半导体价格频繁波动不同，所述非存储用半导体在价格上较少波动，且附加值高。然而，所述非存储用半导体需要高级别设计技术，因此，到目前为止，国内的企业集中在能采用相对低级别技术大规模生产小品种的存储用半导体工业。因此，有关的国内的存储器制造技术处于世界领先水平，且存储用半导体占全球存储用半导体市场份额的40%以上，然而，存储用半导体市场已经饱和化，因此价格也已下降，这意味着国内企业必须进入到新的商业领域。因此对于国内企业而言，要确保在全球半导体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：李熙又，申波拉，崔圭润，金范锡，
申请(专利权)人：西江大学校产学协力团，
类型：
国别省市：
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