下载极低硅损失高剂量植入剥离的技术资料

文档序号:8194160

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本发明提供用于从工件表面剥离光致抗蚀剂并移除离子植入相关残留物的改进的方法。根据各种实施例,使用元素氢、含氟气体及保护剂气体来产生等离子体。经等离子体活化的气体与高剂量植入抗蚀剂发生反应,从而移除结壳及块体抗蚀剂层两者,并同时保护所述工件表...
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