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极低硅损失高剂量植入剥离制造技术
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文档序号:8194160
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本发明提供用于从工件表面剥离光致抗蚀剂并移除离子植入相关残留物的改进的方法。根据各种实施例,使用元素氢、含氟气体及保护剂气体来产生等离子体。经等离子体活化的气体与高剂量植入抗蚀剂发生反应,从而移除结壳及块体抗蚀剂层两者,并同时保护所述工件表...
该专利属于诺发系统有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过诺发系统有限公司授权不得商用。
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