用于蚀刻含硅膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于蚀刻含硅膜的方法，其中有机膜的隆起或剥离得到防止。具体地，将基本上不含氢原子的蚀刻材料气体引入到处于近大气压下的等离子体生成空间(23)中，以产生蚀刻气体。使蚀刻气体与包含含硅膜(92)和有机膜(93)的待处理目标物(90)接触。含硅膜(92)可通过氧化氮(NOx)氧化。蚀刻材料气体含有7至80体积％的不含氢原子的氟组分，7至80体积％的氮气(N2)和5至60体积％的氧气(O2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利技术背景专利
本专利技术涉及一种使用通过将含有氟组分的气体等离子体化而得到的蚀刻气体蚀刻含硅例如氮化硅的膜的方法。相关技术描述在使用大气压等离子体的含硅膜蚀刻中，已知的技术是通过将水(H2O)加入到氟组分例如CF4中而产生HF，以用HF蚀刻所述膜(参见下列专利文献1至3)。例如，在专利文献1中，将硅例如非晶硅或结晶硅的膜用臭氧氧化成氧化硅(式 1)；并且将水加入到氟组分例如CF4中，然后使其通过处于近大气压下的等离子体生成空间，从而产生HF(式幻；并且通过HF或其水溶液蚀刻二氧化硅(式幻。在等离子体生成空间中，除HF以外，还产生COF2等。COF2与水反应产生HF(式4)，其用于蚀刻氧化硅(式3)。Si+203 — Si02+202 (式 1)CF4+2H20 — 4HF+C02 (式 2)Si02+4HF — SiF4+2H20 (式 3)C0F2+H20 — C02+2HF (式 4)现有技术文献专利文献专利文献1 日本未审查专利申请公布号2007-294642专利文献2 日本未审查专利申请公布号2000-58508专利文献3 日本未审查专利申请公布号2002-27057本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：功刀俊介，真弓聪，佐藤崇，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：