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在此描述一种蚀刻图案化异质含硅结构的方法，相比于现有远端等离子体蚀刻，所述方法包含具有反向选择性的远端等离子体蚀刻。可使用所述方法共形修整多晶硅，同时移除少量氧化硅或不移除氧化硅。更一般地来说，包含少量氧的含硅膜层会比含有较多氧的含硅膜层更...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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