透明导电膜湿法蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术提供一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物。该透明导电膜湿法蚀刻液组合物包含(1)0.5-10wt％的草酸；(2)0.1-50wt％的乙酸；(3)0.01-10wt％的铵盐；(4)0.001-10wt％的表面活性剂；(5)余量水。该蚀刻液组合物蚀刻速率均匀稳定，无残留，不腐蚀配线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及透明导电膜湿法蚀刻液组合物，尤其涉及一种可在等离子显示器 (PDP)，液晶显示器(LCD)，有机发光二极管显示器(OLED)等中用作像素电极的透明导电膜如氧化铟锌(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻液。
技术介绍
由于透明导电膜如氧化铟锌(ITO)具有多种独特的性质，如低电阻率、高可见光透过率、膜层硬度强且对基底附着力大、优良的化学稳定性等，因而，已经广泛地应用于 LCD、PDP、OLED等平面显示领域。目前，ITO蚀刻方法主要为湿法蚀刻，采用各种无机酸/盐或有机酸的水溶液组合物。常用的无机酸有盐酸、硫酸、磷酸、硝酸、碘酸、氢溴酸，有机酸有草酸、乙酸、柠檬酸。其中，盐酸+硝酸体系，蚀刻反应剧烈，生产中无法精确控制；另外，盐酸、硝酸的挥发造成体系组分含量不恒定，以及对环境的污染。磷酸体系，蚀刻后有残渣。三氯化铁体系，蚀刻速率快，但是侧蚀量也大，且对环境污染大。碘酸或氢溴酸体系，虽然蚀刻性好，但易游离出卤素单质或挥发，不稳定且毒性大。草酸体系，蚀刻速率慢，需要较高温度条件，且低温时易析出草酸晶体。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本专利技术提供一种改良的透明导本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物为草酸和乙酸的水溶液，其中草酸含量为０．５－１０ｗｔ％；乙酸含量为０．１－５０ｗｔ％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张军，常积东，李承孝，
申请(专利权)人：西安东旺精细化学有限公司，
类型：发明
国别省市：87