透明导电膜湿法蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术提供一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物。该透明导电膜湿法蚀刻液组合物包含(1)0.5-10wt％的草酸；(2)0.1-50wt％的乙酸；(3)0.01-10wt％的铵盐；(4)0.001-10wt％的表面活性剂；(5)余量水。该蚀刻液组合物蚀刻速率均匀稳定，无残留，不腐蚀配线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及透明导电膜湿法蚀刻液组合物，尤其涉及一种可在等离子显示器 (PDP)，液晶显示器(LCD)，有机发光二极管显示器(OLED)等中用作像素电极的透明导电膜如氧化铟锌(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻液。
技术介绍
由于透明导电膜如氧化铟锌(ITO)具有多种独特的性质，如低电阻率、高可见光透过率、膜层硬度强且对基底附着力大、优良的化学稳定性等，因而，已经广泛地应用于 LCD、PDP、OLED等平面显示领域。目前，ITO蚀刻方法主要为湿法蚀刻，采用各种无机酸/盐或有机酸的水溶液组合物。常用的无机酸有盐酸、硫酸、磷酸、硝酸、碘酸、氢溴酸，有机酸有草酸、乙酸、柠檬酸。其中，盐酸+硝酸体系，蚀刻反应剧烈，生产中无法精确控制；另外，盐酸、硝酸的挥发造成体系组分含量不恒定，以及对环境的污染。磷酸体系，蚀刻后有残渣。三氯化铁体系，蚀刻速率快，但是侧蚀量也大，且对环境污染大。碘酸或氢溴酸体系，虽然蚀刻性好，但易游离出卤素单质或挥发，不稳定且毒性大。草酸体系，蚀刻速率慢，需要较高温度条件，且低温时易析出草酸晶体。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本专利技术提供一种改良的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物蚀刻速率均勻稳定，无残留，不腐蚀配线，不含易挥发物质。本专利技术的技术方案如下一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物为草酸和乙酸的水溶液，其中草酸含量为0. 5-10wt%;乙酸含量为0. l-50wt%。这里所讲的酸的含量均是指其有效成分占蚀刻液组合物的质量分数。本专利技术的蚀刻液组合物若还含有0. 01-10wt%铵盐，效果较佳。上述的铵盐优选硫酸铵、硫酸氢胺、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、甲酸铵、乙酸铵、丙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵中的一种或两种。实际上，一般常用的铵盐均能够应用于本专利技术。本专利技术的蚀刻液组合物若还含有0. 001-10wt%表面活性剂，与上述草酸、乙酸配合使用，效果较佳；或者蚀刻液组合物若还含有0.001-10wt%表面活性剂，与上述草酸、乙酸、铵盐配合使用，效果更佳。上述的表面活性剂优选阳离子型、阴离子型、非离子型、Gemini型和两性表面活性剂中的一种或两种。上述蚀刻液组合物中，草酸含量为l-7wt% ；乙酸含量为l-30wt% ；铵盐含量为 0. l-8wt% ；表面活性剂含量为0. 01-10wt% ；余量为水；此种配比效果较佳。上述的表面活性剂优选Gemini型表面活性剂。此时的蚀刻液组合物配比也采用草酸含量为l-7wt% ；乙酸含量为l-30wt% ；铵盐含量为0. I-Swt % ；表面活性剂含量为 0. 01-10wt% ；余量为水；则效果更佳。本专利技术的蚀刻液组合物的最佳配比为草酸含量为；乙酸含量为 5-20wt% ；铵盐含量为0. 5-5wt% ；表面活性剂含量为0. l-5wt% ；余量为水。经验证，以本专利技术的上述基础配方0. 5_10wt%草酸、0. 1_50衬％乙酸为基本方案制得的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，能够用于等离子显示器(PDP)、液晶显示器(LCD)、 有机发光二极管显示器(OLED)透明导电膜氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)图样化的湿法蚀刻。本专利技术具有稳定的蚀刻能力，蚀刻后无残渣，同时对铝、钼等金属配线无腐蚀，不含易挥发物质，不污染环境。具体实施例方式本专利技术提供如下透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其含有(1)0.草酸；(2) 0. l-50wt % 的乙酸；(3)余量水。本专利技术中，草酸起均勻蚀刻的作用。草酸的含量为0.5-10wt%，优选l-7wt%，更优选.当含量小于0. 5wt%时，蚀刻速率小，蚀刻效果差；当含量大于10wt%时，得不到更好的蚀刻效果，且易结晶析出。本专利技术中，乙酸起促进蚀刻速率、调节蚀刻速率平稳、浸润板面的作用。乙酸的含量为0. l-50wt%，优选l-30wt%，更优选5-20wt% .当含量小于0. Iwt %时，起不到促进蚀刻速率、调节蚀刻速率平稳、浸润板面的作用；当含量大于50wt%时，得不到更好的促进蚀刻速率、调节蚀刻速率平稳、浸润板面的的效果。本专利技术中，还可以添加铵盐。铵盐起辅助调节蚀刻速率平稳的作用。铵盐的含量为0. Ol-IOwt %，优选0. l-8wt %，更优选0. 5-5wt % ·当含量小于0. Olwt %时，起不到辅助调节蚀刻速率作用；当含量大于10wt%时，得不到更好的辅助调节蚀刻速率的效果。作为具体例，可以选自铵盐选自硫酸铵、硫酸氢胺、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、 甲酸铵、乙酸铵、丙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵中的1种或2种。本专利技术中，还可以添加表面活性剂。表面活性剂的含量为0. OOl-IOwt %，优选 0. Ol-IOwt %，更优选0. l-5wt% ·当含量小于0. OOlwt %时，起不到润湿作用；当含量大于 10wt%时，得不到更好的润湿的效果，并引起体系泡沫增多。表面活性剂可以选自阳离子型、阴离子型、非离子型、Gemini型和两性表面活性剂中的1种或2种。由于Gemini型表面活性剂和单链单头基表面括性剂相比较，具有高表面活性和优良的润湿性，所以为优选。 具体例可以选自硫酸酯盐型、磺酸盐型、羧酸盐型、季铵盐型Gemini型表面活性剂中的1种或2种。本专利技术中的水优选超纯水。下面详细说明本专利技术的实施例。所述实施例用于对本专利技术进行进一步说明，但本专利技术并不限于以下实施例。一、蚀刻液制备室温搅拌条件下，在超纯水中加入乙酸、草酸，搅拌至完全溶解均勻，过滤，得到所需蚀刻液组合物。二、蚀刻效果本实验所用表面电阻8-10 Ω，膜厚约150nm的ITO玻璃基板。对玻璃基板进行清洗，烘干处理。保持蚀刻液温度为45°C，将处理过的玻璃基板浸入蚀刻液中5分钟。取出清洗，烘干后，显微镜观察。蚀刻效果250倍显微镜观察蚀刻5分钟后的玻璃基板是否有残渣。不同组分含量的蚀刻液实施例和比较例的蚀刻效果如表1所示。A 示无残渣，B 几处残渣，C 少量残渣，D 较多残渣。表1不同浓度蚀刻液的蚀刻效果(45°C，5min.)权利要求1.一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于该蚀刻液组合物为草酸和乙酸的水溶液，其中草酸含量为0. 5-10wt% ；乙酸含量为0. l-50Wt%。2.根据权利要求1所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于该蚀刻液组合物还含有0. Ol-IOwt %铵盐。3.根据权利要求2所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于所述的铵盐选自硫酸铵、硫酸氢胺、硝酸铵、碳酸铵、碳酸氢铵、氯化铵、溴化铵、甲酸铵、乙酸铵、丙酸铵、 草酸铵、苯甲酸铵中的一种或两种。4.根据权利要求1至3任一所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于该蚀刻液组合物还含有0. 001-IOwt %表面活性剂。5.根据权利要求4所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于所述的表面活性剂选自阳离子型、阴离子型、非离子型、Gemini型和两性表面活性剂中的一种或两种。6.根据权利要求5所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于所述的表面活性剂为Gemini型表面活性剂。7.根据权利要求5所述的透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于该蚀刻液组合物中，草酸含量为l-7wt% ；乙酸含量为本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种透明导电膜湿法蚀刻液组合物，其特征在于：该蚀刻液组合物为草酸和乙酸的水溶液，其中草酸含量为０．５－１０ｗｔ％；乙酸含量为０．１－５０ｗｔ％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张军，常积东，李承孝，
申请(专利权)人：西安东旺精细化学有限公司，
类型：发明
国别省市：87