【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种低张力IT0蚀刻液，尤其涉及一种草酸型低张力IT0蚀刻液。二
技术介绍
草酸型IT0蚀刻液，本品为无色透明液体，显酸性，该产品主要用于TFT-LCD、LED、OLED等行业用作面板制程中的ITO层的蚀刻剂。目前ITO蚀刻液主要由草酸晶体和纯水为组成，该产品主要存在以下几点缺点①目前国内厂家使用的草酸型ITO蚀刻液液的表面张力在70左右，对IT0层的浸润性不足，导致蚀刻后存在微晶体残留；②在低于5t:时容易结晶，运输时需要使用保温运输，运输成本高；同时客户在使用时容易致使客户端过滤器堵塞，影响客户设备及使用。三、
技术实现思路
针对上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种表面张力低于70和结晶温度低于5°C的低张力IT0蚀刻液。 本专利技术的
技术实现思路
为，一种低张力ITO蚀刻液，其特征是它包括以下重量百分比的组份 草酸 3. 2 3. 6 正己酸 0. 1 0. 2 水 96. 2 96. 6。 本专利技术在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸，添加剂正己酸的作用加入正己酸后，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，使其能够产生渗透，浸润的作用，提高草酸的蚀刻效果，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。本专利技术与现有技术相比所具有的优点是 1、表面张力低于70，蚀刻效果佳，无微晶体残留。 2、(TC 5t:下不结晶，不影响客户端设备，还可降低运输成本。四具体实施例方式下面通过实施例进一步描述本专利技术，但未限于所举的实施例。 ...
【技术保护点】
一种低张力ＩＴＯ蚀刻液，其特征是它包括以下重量百分比的组份 草酸 ３．２～３．６ 正己酸 ０．１～０．２ 水 ９６．２～９６．６。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：殷福华，栾成，邵勇，朱龙，
申请(专利权)人：江阴市江化微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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