化学增幅型正型抗蚀剂干膜、干膜层合体和制备层合体的方法技术

技术编号:13014787 阅读:133 留言:0更新日期:2016-03-16 13:29
待在支持膜上形成的化学增幅型正型抗蚀剂干膜包含5-40重量%的在大气压下具有55℃至250℃的沸点的组分。可以通过简单的步骤制备具有柔性和尺寸稳定性的抗蚀剂干膜。可以将所述抗蚀剂干膜有效地和简易地置于制品上并加工,以形成图案。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】化学増幅型正型抗蚀剂干膜、干膜层合体和制备层合体的 方法 相关申请的夺叉引用 本非临时申请在美国法典第35卷第119节(a)款下要求2014年9月8日于日本 提交的第2014-182423号的专利申请的优先权,所述专利申请的全部内容通过引用并入本 文。
本专利技术涉及化学增幅型正型抗蚀剂干膜、干膜层合体和制备所述层合体的方法。
技术介绍
目前使用多针薄层贴装封装以顺应高集成密度的电子器件。对这样的多针结构的 需要形成具有10至lOOym或更大的高度的凸点电极作为连接端子的技术。当通过镀覆方 法形成电极时,经常使用化学增幅型正型光致抗蚀剂材料,因为可以以相对简单的方式实 现高灵敏度和高分辨率,并且所述光致抗蚀剂膜可以在镀覆之后容易地剥离。当形成光致 抗蚀剂材料的膜时,在大多数情况下,将旋涂用于将光致抗蚀剂涂布在基材上。在某些涂布 条件下,将过量光致抗蚀剂材料干燥,然后吸入涂布机喷注室(cup)的排液装置中,以形成 被称为"棉花糖"的丝绵,其漂浮在所述涂布机喷注室上,导致对于周围和基材的污染。 为了避免这样的现象,希望另一种膜形成的手段。由于在半导体制造过程的后一 步本文档来自技高网...

【技术保护点】
待在支持膜上形成的化学增幅型正型抗蚀剂干膜,其包含5重量%至40重量%的在大气压下具有55℃至250℃的沸点的组分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:平野祯典浅井聪柳泽秀好
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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