混合光学和电子束光刻制造层的共对准的沟槽结构及方法技术

本发明专利技术提供一种方法将集成电路芯片的制造层的第一组特征对准到衬底上形成的电子束对准目标，并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层的第二组特征对准到衬底中形成的光学对准目标，并使用光学光刻来形成第二组特征，光学对准目标本身对准电子束对准目标。本发明专利技术还提供一种电子束对准目标的结构及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种方法，包括：　在衬底中形成电子束对准目标；　在形成所述电子束对准目标之后，在所述衬底中形成光学对准目标，所述光学对准目标相对于所述衬底中的所述电子束对准目标的位置被定位在所述衬底中的预定位置中；　在所述衬底上形成抗蚀剂 层；　将光掩模对准所述光学对准目标或所述电子束对准目标，所述光掩模具有透光及不透光区域的第一图形，所述第一图形代表集成电路的制造层的第一组特征；　通过所述光掩模将所述抗蚀剂层暴露于光化辐射，以在所述抗蚀剂层中形成光学曝光区域，所 述不透光区域基本上阻挡所述光化辐射以及所述透光区域基本上透射所述光化辐射；　相对于所述电子束对准目标的所述位置而定位电子束的初始位置；　将所述抗蚀剂以第二图形暴露于所述电子束，以在所述抗蚀剂层中形成电子束曝光区域，所述第二图形代 表所述集成电路的所述制造层的第二组所述特征；以及　显影所述抗蚀剂层，以将所述第一和第二图形传递到所述抗蚀剂层中的抗蚀剂图形。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：DM弗里德，JM赫根勒特尔，SJ麦克纳布，MJ鲁克斯，A托波尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]