SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明专利技术制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件微纳制造领域，具体来说，涉及一种SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)衬底上用于电子束套刻工艺的凹陷型对准标记及其制作方法。
技术介绍
在Intel和IBM等半导体产业巨头的推动下，半导体器件尺寸越来越小，以互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal OxideSemiconductor)技术为主流的半导体微纳制造技术目前和将来都会继续沿着“摩尔定律”发展。集成电路发展到目前极大规模的纳米技术时代，要进一步提高芯片的集成度和运行速度，现有的体硅材料和工艺正在接近它们的物理极限。为了进一步减小集成电路的特征尺寸，必须在材料和工艺上有新的重大突破。SOI (Silicon On Insulator,分三层,包括顶娃层,埋层二氧化娃,和衬底娃)材料是一种新型的硅基集成电路和光电子集成材料，是维持摩尔定律走势的一大利器。基于SOI结构上的器件将在本质上减小结电容和漏电流，提闻开关速度，降低功耗，实现闻速低功耗运行。可以说SOI技术将是器件特征尺寸进入纳米领域的首选技术，具有非常广阔的前景。电子束光刻系统以其精度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SOI上电子束套刻工艺中所需的对准标记，其特征在于，其为在顶硅层厚度小于1μm的在SOI衬底上加工有凹陷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾成，夏金松，李丹萍，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：