零层光刻对准标记的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种零层光刻对准标记的制造方法，包括步骤：1)形成零层光刻对准标记图形；2)倒梯形沟槽的刻蚀；3)非选择性外延生长，在沟槽内形成孔洞；4)化学机械研磨硅片表面；5)刻蚀掉孔洞上方的硅，将孔洞暴露出来，作为零层光刻对准标记。该方法利用非选择性外延生长和化学机械研磨工艺来形成零层光刻对准标记，不仅改善了超结器件的对准精确度，还同时节约了器件的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
在超结器件(SUPER JUNCTION)的制程中，需要通过外延工艺，在深沟槽中填充外延层，产生PN结的交替层。随着深沟槽的深宽比越来越大，若采用选择性外延工艺，容易在顶部出现孔洞，因此，目前通常采用非选择性外延工艺，再加上化学机械研磨工艺的方法。该方法能有效地去除孔洞，但是由于非选择性外延不需要硬掩膜(如氮化硅、氧化硅等)，从而导致零层光刻对准标记因没有介质层的填充物，而在外延(EPI)和化学机械研磨(CMP)后消失，同时，由于非选择性外延生长的硅材质与硅衬底相同，因此后续的几层结构，光刻都无法对准。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以提高超结器件的对准精确度，并能节约器件的制造成本。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括以下步骤I)形成零层光刻对准标记图形；2)在硅片上刻蚀出倒梯形沟槽；3)进行非选择性外延生长，在所述沟槽内形成孔洞；4)化学机械研磨娃片表面；5)刻蚀掉孔洞上方的硅，将孔洞暴露出来，作为零层光刻对准标记。本专利技术利用非选择性外延生长和化学机械研磨工艺来形成零层光刻对准标记，用于后续本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种零层光刻对准标记的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)形成零层光刻对准标记图形；2)在硅片上刻蚀出倒梯形沟槽；3)进行非选择性外延生长，在所述沟槽内形成孔洞；4)化学机械研磨硅片表面；5)刻蚀掉孔洞上方的硅，将孔洞暴露出来，作为零层光刻对准标记。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智勇，刘鹏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：