【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法，更具体地涉及具有双层结构的半导体芯片、具有芯片的封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法。
技术介绍
近来，包括半导体芯片的电子系统的竞争可能依赖于高性能、更小和更轻的电子系统的发展。由于半导体芯片变得更高度的集成，故半导体芯片的尺寸逐步减小而半导体芯片的输入/输出(I/o)衬垫的数量可能増加。因此，使用已知的装配エ艺实现高性能半导体封装体可能有ー些限制。此外，可能难于发展更小和更轻的电子系统。因此，根据更小·和更轻的电子产品的趋势，封装技术发展为制造更小、更薄和更轻的半导体封装体。提出了一种晶片级封装エ艺来制造紧凑的半导体封装体。晶片级封装エ艺可包括在晶片上形成多个半导体芯片，封装晶片上的多个半导体芯片，以及切锯芯片以使封装的半导体芯片彼此分离。此外，由于多芯片封装体可通过垂直堆叠多个晶片级封装体而实现，所以作为增加封装体密度的备选，多芯片封装体可能是非常有吸引力的。然而，根据晶片级封装エ艺，封装体尺寸可能接近于半导体芯片尺寸。因此，如果多芯片封装体包括多个堆叠的晶片级封装体，那么在堆叠的晶片级封装体之间实现电连接可能有...
【技术保护点】
一种双层结构半导体芯片，该半导体芯片包括：第一半导体芯片，包括具有第一底表面的第一基板；以及第二半导体芯片，包括具有第二底表面的第二基板，其中该第一底表面直接接触该第二底表面。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄仁哲，金载勉，金承知，李赈洙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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