半导体芯片封装结构及封装方法技术

技术编号:8367377 阅读:194 留言:0更新日期:2013-02-28 06:58
本发明专利技术揭示了一种半导体芯片封装结构及封装方法,其中,所述封装结构包括:芯片,所述芯片上设置有控制电路;第一电连接件,电性连接所述控制电路;第二电连接件,通过再分布线路电性连接所述第一电连接件;其中,所述再分布线路和所述芯片的表面之间还设有第二绝缘层和第一绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层,且所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。与现有技术相比,本发明专利技术通过在晶圆封装结构的通孔壁上设置双层绝缘层,提高了芯片的绝缘稳定性及信耐性,且相对地简化了工艺流程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造领域,尤其涉及一种。
技术介绍
晶圆级芯片封装(Wafer Level Chip Size Packaging, WLCSP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的技术,封装后的芯片尺寸与裸片一致。晶圆级芯片尺寸封装技术改变传统封装如陶瓷无引线芯片载具(Ceramic Leadless ChipCarrier)、有机无引线芯片载具(Organic Leadless Chip Carrier)和数码相机模块式的模式,顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片尺寸封装技术封装后的芯片尺寸达到了高度微型化,芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片尺寸封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、基底制造整合为一体的技术,是当前封装领域的热点和未来发展的趋势。 现有技术中,在晶圆封装结构的芯片表面,覆盖有一气相沉积薄膜层,以作为连接焊垫与晶圆焊球的导电线路的绝缘层。然而,气相沉积薄膜层材质较脆、较硬,对于芯片表面的缓冲作用较小,受到应力容易裂开,使得其绝缘稳定性较差。另外,在晶圆级芯片封装工艺中,要在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片封装结构,包括:芯片,所述芯片上设置有控制电路;第一电连接件,电性连接所述控制电路;第二电连接件,通过再分布线路电性连接所述第一电连接件;其特征在于,所述再分布线路和所述芯片的表面之间还设有第二绝缘层和第一绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层,且所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王之奇喻琼王蔚
申请(专利权)人:苏州晶方半导体科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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