一种部分场板屏蔽的高压互连结构制造技术

一种部分场板屏蔽的高压互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明专利技术用于具有高压互连线的跑道型横向功率器件中，包括双层部分多晶屏蔽场板和高压互连线；所述双层部分多晶屏蔽场板仅存在于高压互连线跨过的器件表面层中，无高压互连线跨越的器件表面没有多晶屏蔽场板；所述双层部分多晶屏蔽场板由第一层场板和第二层场板构成，其中第二层场板位于第一层场板与高压互连线之间；两层场板在器件表面层中呈非连续分布状，且两层场板之间交错分布并相距适当的距离。本发明专利技术与具有高压互连的传统浮空场板结构相比，在不影响浮空场板对高压互连线效应的屏蔽作用，保证器件耐压的基础上，减小了器件尺寸，增加了器件的开态电流能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率器件
，涉及高压互连结构。
技术介绍
功率集成电路已经在通信、电源管理、马达控制等领域取得巨大的发展，并将继续受到更广泛的关注。功率集成电路将高压器件与低压控制电路集成在一起带来一系列的好处的同时，对电路设计也带来严峻的挑战。随着集成度的增高，以及更高的互连电压要求，具有高电位的高压互连线(Highvoltage Interconnect ion,简称HVI)在跨过横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOS (Lateral Double-Diffused M0SFET)等高压器件与隔离区的表面局部区域时,会导 致电力线局部集中，在器件的表面产生场致电荷，使表面电场急剧增大，严重影响器件的击穿电压。高压互连电路常常使用浮空场板来屏蔽高压线对器件耐压的有害影响。然而，在传统的浮空场板屏蔽结构中，浮空场板的存在会导致器件在同样漂移区长度下的横向击穿耐压的降低，因此器件的尺寸也必须增加，使器件的开态电流能力较无场板的结构会有所下降，器件成本与布局难度也相应增大。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对在传统具有浮空场板的高压互连结构中，无高压互本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种部分场板屏蔽的高压互连结构，用于具有高压互连线的跑道型横向功率器件中，包括双层部分多晶屏蔽场板和高压互连线；所述双层部分多晶屏蔽场板仅存在于高压互连线跨过的器件表面层中，无高压互连线跨越的器件表面没有多晶屏蔽场板；所述双层部分多晶屏蔽场板由第一层场板和第二层场板构成，其中第二层场板位于第一层场板与高压互连线之间；两层场板在器件表面层中呈非连续分布状，且两层场板之间交错分布并相距适当的距离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔明，张昕，许琬，李燕妃，周锌，吴文杰，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：