【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于晶片封装体，且特别是有关于具有穿基底导通结构(through-substrate via, TSV)的晶片封装体。
技术介绍
近来，业界常于晶片封装体中形成穿基底导通结构以实现晶片的尺寸缩小化与多功能化。为进一步增进晶片封装体的功能性，需设法提升与穿基底导通结构连接的导电通路，使晶片封装体在持续缩小化之余，仍能具有高密度的导电通路。此外，业界亦亟需增进穿基底导通结构的结构稳定性
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体，包括一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底的该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一沟槽，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；一孔洞，自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸，其中该孔洞的一上侧壁倾斜于该基底的该下表面，且该孔洞的一下侧壁或一底部露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。本专利技术所述的晶片封装体，其中所述导电垫中的一上层导电垫具有至少一开口或沟槽，该开口或该沟槽露出所述导电垫中的一下层导电垫。本专利技术所述的晶片封装体，其中所述导电垫的至少其中之一接近该孔洞的...
【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底的该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一沟槽，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；一孔洞，自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸，其中该孔洞的一上侧壁倾斜于该基底的该下表面，且该孔洞的一下侧壁或一底部露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜裕林，陈键辉，刘沧宇，尤龙生，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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