【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造工艺
,具体涉及一种外延标记制作方法,特别涉及一种外延中外延标记及其相应的制作方法。
技术介绍
集成电路制造中外延工艺是在具有一定晶向的衬底上,在一定的条件下采用化学气相沉积(CVD)等生长方法,沿着衬底原来的结晶轴方向,生长出导电类型、电阻率、厚度、晶格结构、完整性等参数都符合产品结构要求的新单晶体层的过程,这层单晶层叫做外延层。其中导电类型、电阻率、厚度、晶格结构、完整性等参数不依赖于硅片衬底中的掺杂类别和程度,设计者可综合各分立器件的特性选择合适的外延层条件。 在上述外延淀积工艺中,根据晶体学平面生长的平面异性,新生长的单晶必须严格沿着衬底的原有晶向依次排序生长。在外延前道工艺中,埋层(BUriedLay,BL)或N型埋层(NBL)在退火过程中因氧化引起的表面不连续状态也会在外延淀积时向上传播,外延淀积完成后在形成的外延层表面出现的不连续位置,相对外延层下的埋层表面的不连续位置发生图形位移和图形变形,其中平行于定位面的横向主要表现为图形位移,此横向位移称为外延漂移(Pattern Shift);垂直于定位面的纵向主要表现为图形变形,此图形变形称为外延畸变(Patterndistortion)。以〈111〉晶向硅衬底为例,图I所示为传统外延中标记制作方法形成的外延横向埋层的剖面结构示意图,其中10为衬底,11为外延前横向埋层的图形形状和位置,12为外延层,13为外延后横向埋层的图形形状和位置,如图I所示,外延后横向埋层的图形宽度变窄且位置发生了位移;图2所示为传统外延中标记制作方法形成的外延纵向埋层的剖面结构示意图,其中 ...
【技术保护点】
一种外延标记制作方法,包括如下步骤:提供一衬底,在所述衬底上生长第一氧化层;在所述第一氧化层上覆盖第一光刻胶,以所述第一光刻胶为掩膜,通过光刻工艺在所述第一光刻胶中形成埋层窗口,同时形成埋层光刻标记;在所述埋层窗口内去除所述第一氧化层,暴露出所述衬底,在暴露出的所述衬底上形成埋层区域,并向所述埋层区域进行离子注入;去除所述第一光刻胶,对所述埋层区域进行退火工艺,在对应所述埋层区域部分的所述衬底上由下至上依次形成第一消耗层和埋层氧化层,在对应所述埋层区域外的所述衬底上由下至上依次形成第二消耗层和第二氧化层,且所述第一消耗层和第二消耗层在所述埋层光刻标记处形成的台阶差作为光刻对准标记;在所述埋层氧化层及与埋层氧化层相邻的部分第一氧化层上覆盖第二光刻胶,以所述第二光刻胶为掩膜,由上至下依次刻蚀,暴露出所述衬底,形成打开口,去除所述第二光刻胶,暴露出所述第一氧化层,以使所述第一氧化层至所述埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度;在所述打开口采用外延生长工艺形成外延层。
【技术特征摘要】
1.一种外延标记制作方法,包括如下步骤 提供一衬底,在所述衬底上生长第一氧化层; 在所述第一氧化层上覆盖第一光刻胶,以所述第一光刻胶为掩膜,通过光刻工艺在所述第一光刻胶中形成埋层窗口,同时形成埋层光刻标记; 在所述埋层窗口内去除所述第一氧化层,暴露出所述衬底,在暴露出的所述衬底上形成埋层区域,并向所述埋层区域进行离子注入; 去除所述第一光刻胶,对所述埋层区域进行退火工艺,在对应所述埋层区域部分的所述衬底上由下至上依次形成第一消耗层和埋层氧化层,在对应所述埋层区域外的所述衬底上由下至上依次形成第二消耗层和第二氧化层,且所述第一消耗层和第二消耗层在所述埋层光刻标记处形成的台阶差作为光刻对准标记; 在所述埋层氧化层及与埋层氧化层相邻的部分第一氧化层上覆盖第二光刻胶,以所述第二光刻胶为掩膜,由上至下依次刻蚀,暴露出所述衬底,形成打开口,去除所述第二光刻胶,暴露出所述第一氧化层,以使所述第一氧化层至所述埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度; 在所述打开口采用外延生长工艺形成外延层。2.如权利要求I所述的制作方法,其特征在于,所述第一氧化层至所述埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度的I. 5倍。3.如权利要求I所述的制作方法,其特征在于,对于双极型电路所用的衬底为〈111〉晶向的P型半导体衬底。4.如权利要求I所述的制作方法,其特征在于,所述第一氧化层的厚度为3000A ~ 10000A。5.如权利要求I所述的制作方法,其特征在于,所述埋层窗口内刻蚀去除所述第一氧化层的方法为干法刻蚀。6.如权利要求I所述的制作方法,其特征在于,所述离子注入的材料为锑或砷,所述离子注入剂量为1E14 1E16。7.如权利要求I所述的制作方法,其特征在于,在所述退火工艺下形成厚度为1500A ~ 10000A的所述埋层氧化层后,停止所述退火工艺。8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述退火工艺采用的参数为退火温度为1150 1250度,退火气氛为氮气,生长所述埋层氧化层的气氛为干氧或氮氧。9.如权利要求I所述的制作方法,其特征在于,所述光刻对准标记包括对位标记、线宽测试标记、对位检查标记和游标检查标记中的一种或任意组合。10.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨彦涛,王平,苏兰娟,钟荣祥,袁志松,
申请(专利权)人:杭州士兰集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。