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本发明公开了一种零层光刻对准标记的制造方法，包括步骤：1)形成零层光刻对准标记图形；2)倒梯形沟槽的刻蚀；3)非选择性外延生长，在沟槽内形成孔洞；4)化学机械研磨硅片表面；5)刻蚀掉孔洞上方的硅，将孔洞暴露出来，作为零层光刻对准标记。该方法...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种零层光刻对准标记的制造方法，包括步骤：1)形成零层光刻对准标记图形；2)倒梯形沟槽的刻蚀；3)非选择性外延生长，在沟槽内形成孔洞；4)化学机械研磨硅片表面；5)刻蚀掉孔洞上方的硅，将孔洞暴露出来，作为零层光刻对准标记。该方法...