检测结构和电阻测量方法技术

检测结构和电阻测量方法。本发明专利技术提供的检测结构，用于检测阱区的注入、源区的注入和接触孔形成采用同一块光罩经同一道光刻工艺形成的沟槽式MOS的电阻，设置在所述沟槽式MOS的外围区域，包括两种结构，根据金属连线的距离的不同来分别测量了阱区和源区注入使用同一块光罩和同一道光刻工艺的沟槽式MOS的薄层电阻，具体是将相邻两个金属连线之间的距离设置为大于和小于等于检测源区扩散距离的2倍，而由于是与沟槽式MOS采用相同工艺形成，故测得的电阻可以分别等效为所述沟槽式MOS的阱区薄层电阻和源区薄层电阻。

【技术实现步骤摘要】
检测结构和电阻测量方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种检测结构和电阻测量方法。
技术介绍
沟槽型MOS(trenchMOS)晶体管作为一种新型垂直结构器件，是在VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)的基础上发展起来的，两者均属于高元胞密度器件。但该结构与前者相比有许多性能优点：如更低的导通电阻、低栅漏电荷密度，从而有低的导通和开关损耗及快的开关速度。同时由于沟槽型MOS的沟道是垂直的，故可进一步提高其沟道密度，减小芯片尺寸。在现有技术中，阱区注入、源区注入以及接触孔形成这三道工艺是三个步骤完成的；具体地说，在根据现有技术的沟槽型MOS晶体管制造方法中，依次执行沟槽的光刻与刻蚀、栅极结构的形成、层间电介质(InterLayerDielectrics)的沉积及接触孔形成前的光刻与刻蚀、阱区注入、源区注入、接触孔形成、以及金属光刻与刻蚀等步骤。但是，由于阱区注入、源区注入以及接触孔形成这三道工艺是三个步骤完成的，所以需要三块光罩来完成这三道工艺。专利技术人在研究过程中探索发现，传统的工艺过程复杂，若将某些光刻工艺统一为一道，也是能够获得合适的沟槽式MOS。那本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测结构，用于检测阱区的注入、源区的注入和接触孔形成采用同一块光罩经同一道光刻工艺形成的沟槽式MOS的电阻，所述检测结构位于所述沟槽式MOS的外围区域，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的多个相连的检测阱区，位于所述检测阱区中的检测源区、金属连线和重掺杂区，所述金属连线贯通所述检测源区与所述重掺杂区连通；所述相邻两个金属连线之间的距离大于所述检测源区扩散距离的2倍。

【技术特征摘要】
1.一种检测结构，用于检测阱区的注入、源区的注入和接触孔形成采用同一块光罩经同一道光刻工艺形成的沟槽式MOS的电阻，所述检测结构位于所述沟槽式MOS的外围区域，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的多个相连的检测阱区，位于所述检测阱区中的检测源区、金属连线和重掺杂区，所述金属连线贯通所述检测源区并与所述重掺杂区连通；相邻两个金属连线之间的距离大于所述检测源区扩散距离的2倍。2.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，还包括检测接触孔，所述金属连线形成在所述检测接触孔中。3.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述检测源区掺杂有砷。4.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述检测阱区掺杂有硼。5.一种检测结构，用于检测阱区的注入、源区的注入和接触孔形成采用同一块光罩经同一道光刻工艺形成的沟槽式MOS的电阻，所述检测结构位于所述沟槽式MOS的外围区域，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亚贞，楼颖颖，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：