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检测结构和电阻测量方法。本发明提供的检测结构，用于检测阱区的注入、源区的注入和接触孔形成采用同一块光罩经同一道光刻工艺形成的沟槽式MOS的电阻，设置在所述沟槽式MOS的外围区域，包括两种结构，根据金属连线的距离的不同来分别测量了阱区和源区注...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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