本实用新型公开了一种SiC基MOS器件，包括金属散热底板，所述金属散热底板开设有凹槽，所述凹槽放置有MOS管主体，所述MOS管主体包括引脚，所述金属散热底板开设有两个扣槽，两个所述扣槽开设有滑槽，所述滑槽滑动匹配有压块，所述压块与滑槽之...

本实用新型公开了一种高耐压的晶体管器件，包括晶体管本体，所述晶体管本体外侧匹配有散热绝缘硅胶外管，所述散热绝缘硅胶外管侧壁及顶部均均匀设有若干散热孔，所述散热绝缘硅胶外管内部均匀设有若干散热绝缘硅胶软柱，所述散热绝缘硅胶外管顶部设有一组...

本实用新型公开了一种微型发光二极管器件，包括容体，所述容体内设有安装腔，所述安装腔内设有聚酰亚胺胶，所述聚酰亚胺胶包裹有二极管芯片，所述聚酰亚胺胶与二极管芯片固定连接，所述二极管芯片左侧连接有正连接引脚，所述二极管芯片右侧连接有负连接引...

本实用新型公开了一种用于IGBT器件的压紧装置，包括底座，底座表面两侧连接有立柱，立柱顶部连接有盖板，盖板设有螺纹孔，螺纹孔内连接有螺纹杆，螺纹杆上侧连接有旋转盘，螺纹杆下侧连接有按压块，螺纹杆下侧连接有轴承，按压块的一侧连接有导向块，...

本实用新型公开了一种方便取用的贴片式高压整流二极管装置，包括贴片式二极管，所述贴片式二极管包括第一接电触手和第二接电触手，所述第一接电触手与第二接电触手对称设置在贴片式二极管的侧端；所述一种方便取用的贴片式高压整流二极管装置还包括固定座...

本发明公开了一种具有复合结构的快恢复二极管器件，器件具有通过深沟槽绝缘层隔离的两种类型漂移区的PN结并联结构，第一PN结以N型半导体为漂移区，第二PN结以P型半导体为漂移区,第二PN结的阴极区的掺杂浓度高，与第一PN结的第一副漂移区相接...

很多用于小体积封装的半导体芯片，需要减薄到一定厚度，才能放入封装体内，当厚度低于150微米的时候，碎片率会大幅度提升，对减薄设备、工艺等提出更高要求，常规减薄方法使用的硅片，其倒角为椭圆倒角或者圆形倒角，这种倒角的硅片在减薄的过程中，容...

本实用新型公开了一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件；该器件是在N+衬底两面同时形成上、下外延层N‑，在上、下外延层表面分别形成上、下肖特基势垒区，在上、下肖特基势垒区边缘，分别有上、下P+保护环，在上、下肖特基势垒区表面的金属层，分...

本实用新型公开了一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，包括二极管本体，所述二极管本体安装在支架上，所述支架的底部安装有若干个散热片，所述二极管本体的内部安装有阳极金属，所述阳极金属的一端安装有第一引出脚，所述第一引出脚上安装有TVS限压器...

本实用新型公开了一种安装有防护罩的场效应晶体管，包括场效应晶体管主体，所述场效应晶体管主体的顶部安装有二氧化硅胶，且所述二氧化硅胶与所述场效应晶体管主体通过强力胶粘合，所述二氧化硅胶的侧面设有对称的导电铝，且所述导电铝与所述二氧化硅胶通...

本实用新型公开了一种槽栅型肖特基二极管，包括阴极触针、阳极触针和温度传感器，所述阴极触针设置在阴极金属的下方，所述阴极金属的上方设置有N+阴极层，所述冷却套外部靠近N+阴极层的右侧位置处设置有排水口，所述N型基片的上方设置有N‑外延层，...

本实用新型公开了一种低正向肖特基二极管，包括二极管本体，所述二极管本体通过若干个减震弹簧安装在支架上，所述二极管本体上安装有电阻，所述二极管本体与所述电阻通过并联电路连接，所述电阻的一侧安装有若干个散热片，所述二极管本体的内部安装有阴极...

本实用新型公开了一种适用于全桥整流的肖特基器件；该器件具有通过P‑外延层隔离形成的四个独立的N‑外延岛，每个N‑外延岛表面都有一个肖特基势垒结，在每个势垒区边缘处，都分别有P+保护环、绝缘介质层，分别与每个肖特基势垒结相连接的金属层形成...

本实用新型公开了一种低温升高气密性肖特基二极管的结构；该肖特基二极管具有缓冲层与漂移层双层外延结构，在同等面积下较传统肖特基二极管具有低的正向饱和压降低温升的优势，同时在终端引入钝化层，较传统肖特基二极管相比封装后气密性更好，提升了肖特...

本实用新型适用于铝金属引线的半导体器件，常规器件所使用的钝化层多采用SiO

本实用新型公开一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构。常规双向ESD防护二极管的芯片电极一个从正面引出，一个从背面引出，DFN封装时，芯片背面和框架用银胶连接，正面打金属线连接，此结构的局限性是芯片尺寸要小于框架尺寸，芯片需要减薄至1...

本发明目的是提供一种基于NiO/ZnO纳米棒异质结二极管的制备方法：以FTO导电玻璃为衬底，采用溶胶凝胶旋涂的方法，以NiO纳米结构为表面修饰的ZnO纳米棒异质结二极管。此方法简单易行，可实现在低温条件下成膜，成膜性好，器件性能优良，在...

一种氧化铝钝化结构及其制备方法。本发明适用于铝金属引线的半导体器件，常规器件制造工艺所使用的钝化层多采用SiO

常规开关二极管工艺使用的硅片，都是在低阻硅层上生长高阻硅层的外延片，由于外延生长过程中掺杂物质扩散速度很快，在电阻率小于0.01Ω.㎝的低阻硅层上生长的高阻硅层的电阻率很难做到300Ω.㎝以上，本发明是在电阻率小于0.01Ω.㎝的低阻硅...

本发明公开了一种适用于全桥整流的肖特基器件；该器件具有新型的结构，用一颗本发明的肖特基器件，可实现全桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要四颗传统的肖特基器件组合封装到一起才能实现；传统的全桥整流的肖特基器件封装复杂，成品率低，而本发明...