一种氧化铝钝化结构制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种氧化铝钝化结构
本技术属于半导体器件的一种钝化结构，适用于铝金属引线的半导体器件。
技术介绍
在半导体器件竞争如此激烈的今天，制造工艺每减少一步就是制造成本降低一步，就能占据成本优势，抢占产品的市场，半导体器件的设计工程师们也是想尽办法减小器件的尺寸，减少制造工艺步骤，节省制造成本。此技术针对铝金属引线的半导体器件，巧妙的利用光刻、注入技术对铝金属层做局部氧化，只用一步光刻就完成常规工艺需要两步光刻才能完成的铝金属布线及钝化，大幅度降低半导体器件生产成本，提高成品率，且氧化铝材料致密，化学稳定性极好，提高了器件可靠性。
技术实现思路
1、一种氧化铝钝化结构，其结构包括：引线孔区域，单晶硅101上面是铝金属301；非引线孔区域，单晶硅101上面是SiO2氧化层102，SiO2氧化层102上面是氧化铝501。2、一种氧化铝钝化结构，其结构优点是：只用一步光刻就完成常规工艺需要两步光刻才能完成的铝金属布线及钝化，大幅度降低半导体器件生产成本，提高成品率且氧化铝材料致密，化学稳定性极好，提高了器件可靠性。附图说明图1是引线孔前氧化之后的截面图；图2是引线孔光刻、刻蚀及去胶...
【技术保护点】
一种氧化铝钝化结构，其结构包括：引线孔区域，单晶硅（101）上面是铝金属（301）；非引线孔区域，单晶硅（101）上面是SiO
【技术特征摘要】
1.一种氧化铝钝化结构，其结构包括：引线孔区域，单晶硅（101）上面是铝金属（301）；非引线孔区...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛维平，
申请(专利权)人：上海芯石微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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